模电·晶体管的共射特性曲线_011

妖兽喽

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分类专栏：模电文章标签：基带工程

于 2023-11-22 19:28:15 首次发布

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晶体管的共射特性曲线

输入特性曲线
输出特性曲线

集体管的输入特性和输出特性曲线描述各电极之间电压、电流的关系，用于对晶体管的性能、参数和晶体管电路的分析估算。

输入特性曲线

输入特性曲线描述管压降 $U\tiny CE$ 一定的情况下，基极电流 $i\tiny B$ 与发射结压降 $\large u\tiny BE$ 之间的函数关系，即
${i\tiny B}=f({\large u\tiny BE}){\mid_ {U\tiny CE=常数}}$
当 ${U\tiny CE}=0V$ 时，相当于集电极与发射极短路，即发射结与集电结并联。因此，输入特性曲线与PN结的伏安特性相类似，呈指数关系，如下图所标注 ${U\tiny CE}=0V$ 的那条曲线。
集体管的输入特性曲线

当 ${U\tiny CE}$ 增大时，曲线将右移，如上图中标注0.5V和≥1V的曲线。这是因为，由发射区注入基区的非平衡少子有一部分越过基区和集电结形成集电极电流 $i\tiny C$ ，使得在基区参与复合运动的非平衡少子随 $U\tiny CE$ 的增大(即集电结反向电压的增大)而减小；因此，要获得同样的 $i\tiny B$ ，就必须加大 $\large u\tiny BE$ ，使发射区向基区注入更多的电子。
实际上，对于确定的 $U\tiny BE$ ，当 $U\tiny CE$ 增大到一定值以后，集电结的电场已足够强，可以将发射区注入基区的绝大部分非平衡少子都收集到集电区，因而再增大 $U\tiny CE$ ， $i\tiny C$ 也不可能明显增大了，也就是说， $i\tiny B$ 已基本不变。因此， $U\tiny CE$ 超过一定数值后，曲线不再明显右移而基本重合。对于小功率管，可以用 $U\tiny CE$ 大于1V的任何一条曲线来近似 $U\tiny CE$ 大于1V的所有曲线。

输出特性曲线

输出特性曲线描述基极电流 $I\tiny B$ 为一常量时，集电极电流 $i\tiny C$ 与管压降 $U\tiny CE$ 之间的函数关系，即
${i\tiny C}=f({\large u\tiny BE}){\mid_ {I\tiny B=常数}}$
对于每一个确定的 $i\tiny B$ ，都有一条曲线，所以输出特性是一族曲线，如下图所示。对于某一条曲线，当 $\large u\tiny CE$ 从零逐渐增大时，集电结电场随之增强，收集基区非平衡少子的能力逐渐增强，因而 $i\tiny C$ 也就逐渐增大。而当 $\large u\tiny CE$ 增大到一定数值时，集电结电场足以将基区平衡少子的绝大部分收集到集电区来， $\large u\tiny CE$ 再增大，收集能力已不能明显提高，表现为曲线几乎平行于横轴，即 $i\tiny C$ 几乎仅仅决定于 $I\tiny B$ 。
晶体管的输出特性曲线

从输出特性曲线可以看出，晶体管有三个区域：
(1)截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路， ${\large u\tiny BE}≤U\tiny on$ 且 ${\large u\tiny CE}>{\large u\tiny BE}$ 。此时 ${I\tiny B}=0$ ，而 $i\tiny C}≤I\tiny CEO$ 。小功率硅管的 $I\tiny CEO$ 在1uA以下，锗管的 $I\tiny CEO$ 小于几十微安，因此在近似分析中可以认为晶体管截止时的 $i\tiny C$ ≈0。
(2)放大区：其特征是发射结正向偏置( $\large u\tiny BE$ 大于发射结开启电压 $U\tiny on$ )且集电结反向偏置。对于共射电路， ${\large u\tiny BE}>U\tiny on$ 且 ${\large u\tiny CE}≥{\large u\tiny BE}$ 。此时， $I\tiny C$ 几乎仅仅决定于 $i\tiny B$ ，而与 $\large u\tiny CE$ 无关，表现出 $i\tiny B$ 对 $i\tiny C$ 的控制作用， ${I\tiny C}={\={\beta}I\tiny B}$ ， ${\Delta i\tiny C}=\beta \Delta i\tiny B$ .理想情况下，当 $I\tiny B$ 按等差变化时，输出特性是一族横轴坐标的等距离平行线。
(3)饱和区：其特征是发射结与集电结均处于正向偏置。对于共射电路， ${\large u\tiny BE}>U\tiny on$ 且 ${\large u\tiny CE}<{\large u\tiny BE}$ 。此时 $i\tiny C$ 不仅与 $i\tiny B$ 有关，而且明显随 $\large u\tiny CE$ 增大而增大， $i\tiny C$ 小于 ${\={\beta}I\tiny B}$ 。在实际电路中，若晶体管的 ${\large u\tiny BE}$ 增大时， $i\tiny B$ 随之增大，但 $i\tiny C$ 增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管，可以认为 ${\large u\tiny CE}={\large u\tiny BE}$ ，即 ${\large u\tiny CB}=0V$ 时，晶体管处于临界状态，即临界饱和或临界放大状态。
在模拟电路中，绝大数情况下，应保证晶体管工作在放大状态。