模电·场效应管的主要参数_017

本文详细解释了场效应管的各种重要参数,包括直流参数如开启电压、饱和漏极电流和输入电阻,以及交流参数如低频跨导和极间电容。还介绍了极限参数如最大漏极电流和击穿电压。通过实例分析了不同场效应类型的特点,如N沟道增强型MOS管的特性应用。

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直流参数

开启电压 U G S ( t h ) {U}{\tiny GS(th)} UGS(th)

   U G S ( t h ) {U}{\tiny GS(th)} UGS(th)是在 U D S {U}{\tiny DS} UDS为一常量时,使 i D {i}{\tiny D} iD大于零所需的最小值 ∣ u G S ∣ |{\large u}{\tiny GS}| uGS值。手册中给出的是在 i D {i}{\tiny D} iD为规定的微小电流(如5uA)时的 u G S {\large u}{\tiny GS} uGS U G S ( t h ) {U}{\tiny GS(th)} UGS(th)是增强型MOS管的参数。

夹断电压 U G S ( o f f ) {U}{\tiny GS(off)} UGS(off)

  与 U G S ( t h ) {U}{\tiny GS(th)} UGS(th)相类似, U G S ( o f f ) {U}{\tiny GS(off)} UGS(off)是在 u D S {\large u}{\tiny DS} uDS为常量情况下 i D {i}{\tiny D} iD为规定的微小电流(如5uA)时的 u G S {\large u}{\tiny GS} uGS,它是结场型场效应管和耗尽型MOS管的参数。

饱和漏极电流 I D S S {I}{\tiny DSS} IDSS

  对于结型场效应管,在 u G S = 0 V {\large u}{\tiny GS}=0V uGS=0V情况下产生预夹断时的漏极电流定义为 I D S S {I}{\tiny DSS} IDSS

直流输入电阻 R G S ( D C ) {R}{\tiny GS(DC)} RGS(DC)

   R G S ( D C ) {R}{\tiny GS(DC)} RGS(DC)等于栅 - 源电压与栅极电流之比,结型管的 R G S ( D S ) {R}{\tiny GS(DS)} RGS(DS)大于 1 0 7 10^7 107Ω,而MOS管的 R G S ( D S ) {R}{\tiny GS(DS)} RGS(DS)大于 1 0 9 10^9 109Ω。手册中一般只给出栅极电流的大小

交流参数

低频跨导 g m {g}{\tiny m} gm

   g m {g}{\tiny m} gm数值的大小表示 u G S {\large u}{\tiny GS} uGS i D {i}{\tiny D} iD控制作用的强弱。在管子工作在恒流区且 u D S {\large u}{\tiny DS} uDS为常量的条件下, i D {i}{\tiny D} iD的微小变化量 Δ i D {\Delta i}{\tiny D} ΔiD与引起它变化的 Δ u G S {\large \Delta u}{\tiny GS} ΔuGS之比,称为低频跨导。即
g m = Δ i D Δ u G S ∣ U D S = 常数 {g}{\tiny m}=\frac{\large \Delta i\tiny D}{{\large \Delta u}{\tiny GS}}{\huge \mid_{\small U\tiny DS=常数}} gm=ΔuGSΔiDUDS=常数
g m {g}{\tiny m} gm的单位S(西门子)或mS。 g m {g}{\tiny m} gm是转移特性曲线上某一点的切线的斜率,可通过下式求导而得:
i D = I D S S ( 1 − u G S U G S ( o f f ) ) 2 ( U G S ( o f f ) < u G S < 0 ) {i}{\tiny D}={I\tiny DSS}{(1-\frac {{\large u}{\tiny GS}}{U\tiny GS(off)})}^2({U\tiny GS(off)}<{{\large u}\tiny GS}<0) iD=IDSS(1UGS(off)uGS)2(UGS(off)uGS0) i D = I D O ( u G S U G S ( t h ) − 1 ) 2 {i\tiny D}={I\tiny DO}(\frac {\large u\tiny GS}{U\tiny GS(th)}-1)^2 iD=IDO(UGS(th)uGS1)2
g m {g}{\tiny m} gm与切点的位置密切相关,由于转移特性曲线的非线性,因而 i D {i}{\tiny D} iD越大, g m {g}{\tiny m} gm也越大。

极间电容

  场效应管的三个极之间均存在极间电容。通常,栅 - 源电容 C g s {C}{\tiny gs} Cgs和栅 - 漏电容 C g d {C}{\tiny gd} Cgd约为1 ~ 3pF,而漏 - 源电容 C d s {C}{\tiny ds} Cds约为0.1 ~ 1pF。在高频电路中,应考虑极间电容的影响。管子的最高工作频率 f M {f}{\tiny M} fM是综合考虑了三个电容的影响而确定的工作频率的上限值。

极限参数

最大漏极电流 I D M {I}{\tiny DM} IDM

   I D M {I}{\tiny DM} IDM是管子正常工作时漏极电流的上限值。

击穿电压

  管子进入恒流区后,使 i D {i}{\tiny D} iD骤然增大的 u D S {\large u}{\tiny DS} uDS称为漏 - 源击穿电压 U ( B R ) D S {U}{\tiny (BR)DS} U(BR)DS u D S {\large u}{\tiny DS} uDS超过此值会使管子损坏。
  对于结场型效应管,使栅极与沟道间PN结反向击穿的 u G S {\large u}{\tiny GS} uGS为栅 - 源击穿电压 U ( B R ) G S {U}{\tiny (BR)GS} U(BR)GS;对于绝缘栅型场效应管,使绝缘层击穿的 u G S {\large u}{\tiny GS} uGS为栅 - 源击穿电压 U ( B R ) G S {U}{\tiny (BR)GS} U(BR)GS

最大耗散功率 P D M {P}{\tiny DM} PDM

   P D M {P}{\tiny DM} PDM决定于管子允许的温升。 P D M {P}{\tiny DM} PDM确定后,便可在管子的输出特性上画出临界最大功耗线;再根据 I D M {I}{\tiny DM} IDM U ( B R ) D S {U}{\tiny (BR)DS} U(BR)DS,便可得到管子的安全工作区
  对于MOS管,栅 - 衬之间的电容容量很小,只要有少量的感应电荷就可以产生很高的电压。而由于 R G S ( D C ) {R}{\tiny GS(DC)} RGS(DC)很大,感应电荷难于释放,以至于感应电荷所产生的高压会使很薄的绝缘层击穿,造成管子的损坏。因此,无论是在存放还是在工作电路中,都应为栅 - 源之间提供直流通路,避免栅极悬空;同时在焊接时,要将电烙铁良好接地。


  已知某管子的输出特性曲线如下图所示。试分析该管是什么类型的场效应 (结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型)。
输出特性曲线
  解:
  从 i D {i}{\tiny D} iD u D S {\large u}{\tiny DS} uDS u G S {\large u}{\tiny GS} uGS的极性可知,该管为N沟道管;从输出特性曲线中开启电压 U G S ( t h ) = 4 V > 0 {U}{\tiny GS(th)}=4V>0 UGS(th)=4V0可知,该管为增强型MOS管;所以该管为N沟道增强型MOS管。


  管子T的输出特性曲线与电路分别如下图所示。试分析 u I {\large u}{\tiny I} uI为0V、8V、和10V三种情况下 u O {\large u}{\tiny O} uO分别为多少?
图
  解:
  当 u G S = u I = 0 V {\large u}{\tiny GS}={\large u}{\tiny I}=0V uGS=uI=0V时,管子处于夹断状态。因而 i D = 0 {i}{\tiny D}=0 iD=0。而 u O = u D S = V D D − i D R D = V D D = 15 V {\large u}{\tiny O}={\large u}{\tiny DS}={V}{\tiny DD}-{\large i}{\tiny D}{R }{\tiny D}={V}{\tiny DD}=15V uO=uDS=VDDiDRD=VDD=15V
  当 u G S = u I = 8 V {\large u}{\tiny GS}={\large u}{\tiny I}=8V uGS=uI=8V时,设管子工作在恒流区。则 i D = 1 m A {i}{\tiny D}=1mA iD=1mA,因此 u O = u D S = V D D − i D R D = ( 15 − 1 ∗ 5 ) V = 10 V {\large u}{\tiny O}={\large u}{\tiny DS}={V}{\tiny DD}-{\large i}{\tiny D}{R }{\tiny D}=(15-1*5)V=10V uO=uDS=VDDiDRD=(1515)V=10V大于 u G S − U G S ( t h ) = ( 8 − 4 ) V = 4 V {\large u}{\tiny GS}-{U}{\tiny GS(th)}=(8-4)V=4V uGSUGS(th)=(84)V=4V,说明假设成立,管子工作在恒流区。
  当 u G S = u I = 10 V {\large u}{\tiny GS}={\large u}{\tiny I}=10V uGS=uI=10V时,若认为管子工作在恒流区,这 i D {i}{\tiny D} iD约为2.2mA。因而 u O = ( 15 − 2.2 ∗ 5 ) V = 4 V {\large u}{\tiny O}=(15-2.2*5)V=4V uO=(152.25)V=4V。但是, u G S = 10 V {\large u}{\tiny GS}=10V uGS=10V时的预夹断电压为
u D S = u G S − U G S ( t h ) = ( 10 − 4 ) V = 6 V {\large u}{\tiny DS}={\large u}{\tiny GS}-{U}{\tiny GS(th)}=(10-4)V=6V uDS=uGSUGS(th)=(104)V=6V
u D S {\large u}{\tiny DS} uDS小于d - s在 u G S = 10 V {\large u}{\tiny GS}=10V uGS=10V时的预夹断电压,说明管子已不工作在恒流区,而是工作在可变电阻区。从输出特性曲线可得 u G S = 10 V {\large u}{\tiny GS}=10V uGS=10V时d - s间的等效电阻为
R D S = U D S I D ≈ 3 1 ∗ 1 0 − 3 Ω = 3 k Ω {R}{\tiny DS}=\frac{\large U\tiny DS}{\large I\tiny D}≈\frac{3}{1*10^{-3}}Ω=3kΩ RDS=IDUDS11033Ω=3kΩ所以 u O = R D S R d + R D S ∗ V C C ≈ 3 5 + 3 ∗ 15 V ≈ 5.6 V {\large u}{\tiny O}=\frac{R\tiny DS}{{R\tiny d}+{R\tiny DS}}*{V}{\tiny CC}≈\frac{3}{5+3}*15V≈5.6V uO=Rd+RDSRDSVCC5+3315V5.6V


  电路如下图所示,场效应管的夹断电压 U G S ( o f f ) = − 4 V {U}{\tiny GS(off)}=-4V UGS(off)=4V,饱和漏极电流 I D S S = 4 m A {I}{\tiny DSS}=4mA IDSS=4mA。试问为保证负载电阻 R L {R}{\tiny L} RL上的电流为恒流, R L {R}{\tiny L} RL的取值范围应为多少?
电路图

  解:
  从电路图可知, u G S = 0 V {\large u}{\tiny GS}=0V uGS=0V,因而 i D = I D S S = 4 m A {i}{\tiny D}={I}{\tiny DSS}=4mA iD=IDSS=4mA。并且 u G S = 0 V {\large u}{\tiny GS}=0V uGS=0V时的预夹断电压 u D S = u D S − U G S ( t h ) = [ 0 − ( − 4 ) ] V = 4 V {\large u}{\tiny DS}={\large u}{\tiny DS}-{U}{\tiny GS(th)}=[0-(-4)]V=4V uDS=uDSUGS(th)=[0(4)]V=4V,而
u D S = V D D − i D R L {\large u}{\tiny DS}={V}{\tiny DD}-{i\tiny D}{R\tiny L} uDS=VDDiDRL所以保证 R L {R}{\tiny L} RL为恒流的最大输出电压 U o m a x = ( V D D − 4 ) V = 8 V {U}{\tiny omax}=({V\tiny DD}-4)V=8V Uomax=(VDD4)V=8V输出电压范围为0 ~ 8V,负载电阻 R L {R\tiny L} RL的取值范围为
R L = U O I D S S = 0   2 k Ω {R}{\tiny L}=\frac{\large U\tiny O}{\large I\tiny DSS}=0 ~ 2kΩ RL=IDSSUO=0 2kΩ


笔记 \huge 笔记 笔记
  NMOS和PMOS的区别

晶体管NMOSPMOS
符号在这里插入图片描述在这里插入图片描述
主电流方向D->SS->D
导通条件 V G S > V t h {V\tiny GS}>{V\tiny th} VGSVth V G S < V t h {V\tiny GS}<{V\tiny th} VGS<Vth
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效极数目或类型。0-光(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分:日本子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 3、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分:美国子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国子工业协会登记的顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 4、国际子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下: 第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光池使用的材料 第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下: 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断压中数值较小的那个压值。 如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分:O-表示半导体器件 第二部分:A-二极管、C-三极管、AP-光二极管、CP-光三极管、AZ-稳压管、RP-光器件。 第三部分:多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。 关于“材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)”给你解释一下 如:SI-NPN 0.1 20 45 >100 意为三极管为硅材料、NPN结、标称功率为0.1W、工作流为20mA、耐压45V、工作频率大于100MHz。
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