场效应管的主要参数
直流参数
开启电压 U G S ( t h ) {U}{\tiny GS(th)} UGS(th)
U G S ( t h ) {U}{\tiny GS(th)} UGS(th)是在 U D S {U}{\tiny DS} UDS为一常量时,使 i D {i}{\tiny D} iD大于零所需的最小值 ∣ u G S ∣ |{\large u}{\tiny GS}| ∣uGS∣值。手册中给出的是在 i D {i}{\tiny D} iD为规定的微小电流(如5uA)时的 u G S {\large u}{\tiny GS} uGS。 U G S ( t h ) {U}{\tiny GS(th)} UGS(th)是增强型MOS管的参数。
夹断电压 U G S ( o f f ) {U}{\tiny GS(off)} UGS(off)
与 U G S ( t h ) {U}{\tiny GS(th)} UGS(th)相类似, U G S ( o f f ) {U}{\tiny GS(off)} UGS(off)是在 u D S {\large u}{\tiny DS} uDS为常量情况下 i D {i}{\tiny D} iD为规定的微小电流(如5uA)时的 u G S {\large u}{\tiny GS} uGS,它是结场型场效应管和耗尽型MOS管的参数。
饱和漏极电流 I D S S {I}{\tiny DSS} IDSS
对于结型场效应管,在 u G S = 0 V {\large u}{\tiny GS}=0V uGS=0V情况下产生预夹断时的漏极电流定义为 I D S S {I}{\tiny DSS} IDSS。
直流输入电阻 R G S ( D C ) {R}{\tiny GS(DC)} RGS(DC)
R
G
S
(
D
C
)
{R}{\tiny GS(DC)}
RGS(DC)等于栅 - 源电压与栅极电流之比,结型管的
R
G
S
(
D
S
)
{R}{\tiny GS(DS)}
RGS(DS)大于
1
0
7
10^7
107Ω,而MOS管的
R
G
S
(
D
S
)
{R}{\tiny GS(DS)}
RGS(DS)大于
1
0
9
10^9
109Ω。手册中一般只给出栅极电流的大小
。
交流参数
低频跨导 g m {g}{\tiny m} gm
g
m
{g}{\tiny m}
gm数值的大小表示
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS对
i
D
{i}{\tiny D}
iD控制作用的强弱。在管子工作在恒流区且
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS为常量的条件下,
i
D
{i}{\tiny D}
iD的微小变化量
Δ
i
D
{\Delta i}{\tiny D}
ΔiD与引起它变化的
Δ
u
G
S
{\large \Delta u}{\tiny GS}
ΔuGS之比,称为低频跨导。即
g
m
=
Δ
i
D
Δ
u
G
S
∣
U
D
S
=
常数
{g}{\tiny m}=\frac{\large \Delta i\tiny D}{{\large \Delta u}{\tiny GS}}{\huge \mid_{\small U\tiny DS=常数}}
gm=ΔuGSΔiD∣UDS=常数
g
m
{g}{\tiny m}
gm的单位S(西门子)或mS。
g
m
{g}{\tiny m}
gm是转移特性曲线上某一点的切线的斜率,可通过下式求导而得:
i
D
=
I
D
S
S
(
1
−
u
G
S
U
G
S
(
o
f
f
)
)
2
(
U
G
S
(
o
f
f
)
<
u
G
S
<
0
)
{i}{\tiny D}={I\tiny DSS}{(1-\frac {{\large u}{\tiny GS}}{U\tiny GS(off)})}^2({U\tiny GS(off)}<{{\large u}\tiny GS}<0)
iD=IDSS(1−UGS(off)uGS)2(UGS(off)<uGS<0)
i
D
=
I
D
O
(
u
G
S
U
G
S
(
t
h
)
−
1
)
2
{i\tiny D}={I\tiny DO}(\frac {\large u\tiny GS}{U\tiny GS(th)}-1)^2
iD=IDO(UGS(th)uGS−1)2
g
m
{g}{\tiny m}
gm与切点的位置密切相关,由于转移特性曲线的非线性,因而
i
D
{i}{\tiny D}
iD越大,
g
m
{g}{\tiny m}
gm也越大。
极间电容
场效应管的三个极之间均存在极间电容。通常,栅 - 源电容 C g s {C}{\tiny gs} Cgs和栅 - 漏电容 C g d {C}{\tiny gd} Cgd约为1 ~ 3pF,而漏 - 源电容 C d s {C}{\tiny ds} Cds约为0.1 ~ 1pF。在高频电路中,应考虑极间电容的影响。管子的最高工作频率 f M {f}{\tiny M} fM是综合考虑了三个电容的影响而确定的工作频率的上限值。
极限参数
最大漏极电流 I D M {I}{\tiny DM} IDM
I D M {I}{\tiny DM} IDM是管子正常工作时漏极电流的上限值。
击穿电压
管子进入恒流区后,使
i
D
{i}{\tiny D}
iD骤然增大的
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS称为漏 - 源击穿电压
U
(
B
R
)
D
S
{U}{\tiny (BR)DS}
U(BR)DS,
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS超过此值会使管子损坏。
对于结场型效应管,使栅极与沟道间PN结反向击穿的
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS为栅 - 源击穿电压
U
(
B
R
)
G
S
{U}{\tiny (BR)GS}
U(BR)GS;对于绝缘栅型场效应管,使绝缘层击穿的
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS为栅 - 源击穿电压
U
(
B
R
)
G
S
{U}{\tiny (BR)GS}
U(BR)GS。
最大耗散功率 P D M {P}{\tiny DM} PDM
P
D
M
{P}{\tiny DM}
PDM决定于管子允许的温升。
P
D
M
{P}{\tiny DM}
PDM确定后,便可在管子的输出特性上画出临界最大功耗线;再根据
I
D
M
{I}{\tiny DM}
IDM和
U
(
B
R
)
D
S
{U}{\tiny (BR)DS}
U(BR)DS,便可得到管子的安全工作区
对于MOS管,栅 - 衬之间的电容容量很小,只要有少量的感应电荷就可以产生很高的电压。而由于
R
G
S
(
D
C
)
{R}{\tiny GS(DC)}
RGS(DC)很大,感应电荷难于释放,以至于感应电荷所产生的高压会使很薄的绝缘层击穿,造成管子的损坏。因此,无论是在存放还是在工作电路中,都应为栅 - 源之间提供直流通路,避免栅极悬空;同时在焊接时,要将电烙铁良好接地。
已知某管子的输出特性曲线如下图所示。试分析该管是什么类型的场效应 (结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型)。
解:
从
i
D
{i}{\tiny D}
iD或
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS、
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS的极性可知,该管为N沟道管;从输出特性曲线中开启电压
U
G
S
(
t
h
)
=
4
V
>
0
{U}{\tiny GS(th)}=4V>0
UGS(th)=4V>0可知,该管为增强型MOS管;所以该管为N沟道增强型MOS管。
管子T的输出特性曲线与电路分别如下图所示。试分析
u
I
{\large u}{\tiny I}
uI为0V、8V、和10V三种情况下
u
O
{\large u}{\tiny O}
uO分别为多少?
解:
当
u
G
S
=
u
I
=
0
V
{\large u}{\tiny GS}={\large u}{\tiny I}=0V
uGS=uI=0V时,管子处于夹断状态。因而
i
D
=
0
{i}{\tiny D}=0
iD=0。而
u
O
=
u
D
S
=
V
D
D
−
i
D
R
D
=
V
D
D
=
15
V
{\large u}{\tiny O}={\large u}{\tiny DS}={V}{\tiny DD}-{\large i}{\tiny D}{R }{\tiny D}={V}{\tiny DD}=15V
uO=uDS=VDD−iDRD=VDD=15V。
当
u
G
S
=
u
I
=
8
V
{\large u}{\tiny GS}={\large u}{\tiny I}=8V
uGS=uI=8V时,设管子工作在恒流区。则
i
D
=
1
m
A
{i}{\tiny D}=1mA
iD=1mA,因此
u
O
=
u
D
S
=
V
D
D
−
i
D
R
D
=
(
15
−
1
∗
5
)
V
=
10
V
{\large u}{\tiny O}={\large u}{\tiny DS}={V}{\tiny DD}-{\large i}{\tiny D}{R }{\tiny D}=(15-1*5)V=10V
uO=uDS=VDD−iDRD=(15−1∗5)V=10V大于
u
G
S
−
U
G
S
(
t
h
)
=
(
8
−
4
)
V
=
4
V
{\large u}{\tiny GS}-{U}{\tiny GS(th)}=(8-4)V=4V
uGS−UGS(th)=(8−4)V=4V,说明假设成立,管子工作在恒流区。
当
u
G
S
=
u
I
=
10
V
{\large u}{\tiny GS}={\large u}{\tiny I}=10V
uGS=uI=10V时,若认为管子工作在恒流区,这
i
D
{i}{\tiny D}
iD约为2.2mA。因而
u
O
=
(
15
−
2.2
∗
5
)
V
=
4
V
{\large u}{\tiny O}=(15-2.2*5)V=4V
uO=(15−2.2∗5)V=4V。但是,
u
G
S
=
10
V
{\large u}{\tiny GS}=10V
uGS=10V时的预夹断电压为
u
D
S
=
u
G
S
−
U
G
S
(
t
h
)
=
(
10
−
4
)
V
=
6
V
{\large u}{\tiny DS}={\large u}{\tiny GS}-{U}{\tiny GS(th)}=(10-4)V=6V
uDS=uGS−UGS(th)=(10−4)V=6V
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS小于d - s在
u
G
S
=
10
V
{\large u}{\tiny GS}=10V
uGS=10V时的预夹断电压,说明管子已不工作在恒流区,而是工作在可变电阻区。从输出特性曲线可得
u
G
S
=
10
V
{\large u}{\tiny GS}=10V
uGS=10V时d - s间的等效电阻为
R
D
S
=
U
D
S
I
D
≈
3
1
∗
1
0
−
3
Ω
=
3
k
Ω
{R}{\tiny DS}=\frac{\large U\tiny DS}{\large I\tiny D}≈\frac{3}{1*10^{-3}}Ω=3kΩ
RDS=IDUDS≈1∗10−33Ω=3kΩ所以
u
O
=
R
D
S
R
d
+
R
D
S
∗
V
C
C
≈
3
5
+
3
∗
15
V
≈
5.6
V
{\large u}{\tiny O}=\frac{R\tiny DS}{{R\tiny d}+{R\tiny DS}}*{V}{\tiny CC}≈\frac{3}{5+3}*15V≈5.6V
uO=Rd+RDSRDS∗VCC≈5+33∗15V≈5.6V
电路如下图所示,场效应管的夹断电压
U
G
S
(
o
f
f
)
=
−
4
V
{U}{\tiny GS(off)}=-4V
UGS(off)=−4V,饱和漏极电流
I
D
S
S
=
4
m
A
{I}{\tiny DSS}=4mA
IDSS=4mA。试问为保证负载电阻
R
L
{R}{\tiny L}
RL上的电流为恒流,
R
L
{R}{\tiny L}
RL的取值范围应为多少?
解:
从电路图可知,
u
G
S
=
0
V
{\large u}{\tiny GS}=0V
uGS=0V,因而
i
D
=
I
D
S
S
=
4
m
A
{i}{\tiny D}={I}{\tiny DSS}=4mA
iD=IDSS=4mA。并且
u
G
S
=
0
V
{\large u}{\tiny GS}=0V
uGS=0V时的预夹断电压
u
D
S
=
u
D
S
−
U
G
S
(
t
h
)
=
[
0
−
(
−
4
)
]
V
=
4
V
{\large u}{\tiny DS}={\large u}{\tiny DS}-{U}{\tiny GS(th)}=[0-(-4)]V=4V
uDS=uDS−UGS(th)=[0−(−4)]V=4V,而
u
D
S
=
V
D
D
−
i
D
R
L
{\large u}{\tiny DS}={V}{\tiny DD}-{i\tiny D}{R\tiny L}
uDS=VDD−iDRL所以保证
R
L
{R}{\tiny L}
RL为恒流的最大输出电压
U
o
m
a
x
=
(
V
D
D
−
4
)
V
=
8
V
{U}{\tiny omax}=({V\tiny DD}-4)V=8V
Uomax=(VDD−4)V=8V输出电压范围为0 ~ 8V,负载电阻
R
L
{R\tiny L}
RL的取值范围为
R
L
=
U
O
I
D
S
S
=
0
2
k
Ω
{R}{\tiny L}=\frac{\large U\tiny O}{\large I\tiny DSS}=0 ~ 2kΩ
RL=IDSSUO=0 2kΩ
笔记
\huge 笔记
笔记
NMOS和PMOS的区别
晶体管 | NMOS | PMOS |
---|---|---|
符号 | ![]() | ![]() |
主电流方向 | D->S | S->D |
导通条件 | V G S > V t h {V\tiny GS}>{V\tiny th} VGS>Vth | V G S < V t h {V\tiny GS}<{V\tiny th} VGS<Vth |