NAND FLASH MT29F4G08

1 简介

我们通过stm32f429的fmc接口实现对MT29F4G08的访问，实现读写数据功能

• NAND FLASH信号线
  
  

• NAND FLASH 框图
  

• NAND FLASH 存储阵列
  
  以上可以得知：(MT29F4G08)
  每个这样的芯片有两个plane
  每个plane有2048个block，一个包含偶数块，一个包含奇数块
  每个block有64个pege
  每个page有2K+64字节
  所以这个芯片的总容量为512M
  page有两个区
  数据存储区：一般用于存放用户数据
  备份区：存放ECC校验值，实现坏块管理和磨损均衡

• 阵列寻址
  
  访问存储单元需要通过三个地址告诉芯片是哪个位置，
  CAx：column address也就是列地址，就是一个page内的地址，MT29F4G08page大小为2112Bytes， 需要12根地址线表示，所以CA0~CA11
  PAx：page address 页地址，每个block有64个页，可以用6个地址线表示
  BAx：block address块地址，此芯片总共有4096个块，可以用12个地址线表示
  寻址需要五个周期数据：
  1~2 周期表示发送列地址，3 ~ 5周期表示块和页地址，可以用过一个参数被传递

2 命令定义

• 命令定义
  
  

1. 0x90 读取设备ID，非常重要，首先读取ID验证读写操作是否有问题
   

2. READ PAGE
   这个指令用于读取一个page，不能直接跨页读取
   
   首先发送一个字节命令00h，然后发送五个字节要读取内容的地址，然后发送30h等待

3. WRITE PAGE.
   首先发送08h表示写数据命令，然后发送五个字节的地址，告诉芯片要写哪个位置，等待tADL时间后，可以连续读出数据内容，不能跨页，然后发送10h，表示加载到存储位置，最后发送70h读取状态，等待芯片状态为READY后，一次写操作完成。

4. ERASE BLOCK
   NAND FLASH最小的擦除单位是一个block
   
   首先发送60h，然后发送三个字节地址表示要擦除哪一个块，然后发送DOh，等待READY后，一次擦除块操作完成。

• ECC 校验
  ECC，英文全称为： Error checking and Correction，是一种对传输数据的错误检测和修正的
  算法。 STM32 的 FMC 模块就支持硬件 ECC 计算，使用的就是汉明码，

3. STM32 FMC接口