著名的复旦二级运放设计,这里做一个学习记录。
一、电路分析
电路分为偏置,两级运放以及负载。偏置电路为widlar电流源,最好设置启动电路防止进入死区。
第一级为五管OTA,差分输入抑制共模干扰,然后单端输出到共源极进行二次增益。M14和Cc为相位补偿结构,M14为线性区,等效为电阻,与Cc构成RC米勒补偿。
此外,文章给出另一种从电压电流转换角度理解电路的方法,如下图所示。
静态特性
上图是半边电路的等效小信号模型。
容易推得第一、二级增益(正负和极性相关)
考虑沟道调制效应,换算成下式:
利用厄利电压,又可以变为:
即过驱动电压越小、L越大,则增益越大(考虑带宽L并不能太大)
频率特性
两个输出节点的对地电容为:
利用KCL方程得到
解得
分别让分子分母为0,得到一个零点,两个极点.极点表达式符合1/RC的形式(未近似)
近似
近似
增益带宽积为
根据GBW的三种表达式可以知道,想要得到大的GBW就需要宽W,大过驱动,这同样会对别的方面造成影响。同时,大的GWB也会带来较大功耗。
对于极点分析,从拉书可以知道,通过米勒电容计算得到的传输函数会丢掉一个零点,极点也并不准确。为了获得60°的相位裕度,次极点需大于2.2GBW.
这里附上allen书上的证明,可以发现他是考虑了一个右半平面(RHP)零点,相当于左半平面的极点。
上面的推导基于z>10GB,因此可以得到gm6>10gm1,进一步得到Cc>0.22CL.
经计算本例会有四个极点,两个零点。只考虑两个极点p1,p2和一个零点z1.由于z1在右半平面,因此会恶化相位裕度。为了消除它,有两种方式:一种是在前馈通路插入反馈路径的单位buffer,但会带来左半平面极点和零点;另一种方式是添加调零电阻。
(对于频率特性,在另一篇文章整理)
调零电阻
利用M14,可以得到零点变为
消除零点主要有以下三种方式:
1.调整Rz将fz移到左半平面与第二极点重合。但实际工艺中很难重合,反而会引入零极点对,影响瞬态特性(产生震荡,幅值与零点和次极点之比有关,与e指数正比,上下震荡逐渐衰减到稳定值)。
2.将零点移至无穷远处,即gm6=Rz
由于M14栅极与M11栅极相连,调整偏置再让它们的源极电压相等,结合M14电阻表达式,则可以得到
根据M14,M11源极相等可以推导得到
(这一步体现了这个调零电阻添加位置的巧妙之处,即将Rz和gm6的关系转换到电流已知的饱和管M6,M13,再转换到可调控的电流镜)
进一步的,根据电流镜关系可以得到
这样子就和温度工艺无关了,调节尺寸即可。但这一切都基于满足平方律,因此在小制程下误差很大。
3.将零点移到左半平面GBW之外,即先让它上升一段裕度,一般为1.2GBW
文章指出,由于Rz的存在,会让输出端存在一个环路,从而引入一个零点,但这个零点往往很远
偏置电路
前文已述,它是个带cascode的widlar电流镜,产生的电流与电源无关,但需要启动电路防止进入死区。
二、设计指标
1.共模输入范围
即放大器第一级所有 MOS 管工作在饱和区的共模输入电压范围。输入电压的上升和下降分别会影响M5和M1的饱和,因此有下面范围:
可以注意到,如果考虑体偏置,让输入管体接VDD,那么|Vtp|变大,Vin可以更低。
对于输出摆幅,由M6,M7的过驱动电压决定
2.增益带宽积
有GBW和GB两种表达方式,前者为频率,后者为角频率
3.输入失调电压
一般为了让输出摆幅最大,输出直流静态工作点被设定在VDD/2,此时的差分输入电压即失调电压。可以这样理解,本来差分输入为0,只有共模的时候想让输出为VDD/2,但现在需要额外引入一个电压差才可以让它到达这个值,这就是失调电压。
失调电压分为系统误差(系统本身引起,例如电流镜复制时由于漏端电压不相等引入的误差)和随机误差(工艺温度等引起)
4.共模抑制比(CMRR)
将输出电压理解为差模增益和共模增益的和
共模抑制比定义为:
可以理解为共模输入变化引起的失调电压变化,即为了消除共模输入变化引起的输出变化所需要补偿的差分输入电压。共模抑制比越大,所需要的差分电压就越小,理想的全差分为无穷大。这里可以注意到,共模输入电压的变化会引起输出电压变化,从而影响摆幅,与上文所说的摆幅相通。
本例由于二级为单端输入输出,不引入CMRR。
由于M1,M2端口都相连(或者相等),可以等效为并联后的单端电路。
5.电源抑制比(PSRR)
考虑正负电源变化,由于它们到输出存在小信号增益,因此会引起Vo变化。
理想情况下,第一级正电源到输出增益与第二级正电源到输出增益相互抵消,因此低频下PSRR=0.
6.转换速率(SR)
大信号情况下运放的输入端接入较大的阶跃信号,输出信号波形也会发生大的变化,会发生截至或者饱和的现象。输出电压变化对时间的比值叫做压摆率,单位是 V/μs,也可以由I/C求得。
(单位增益跟随器下)
引入全波带宽fmax概念,在这个点输出的正弦电压的幅度设为运放输出电压的最大值。
对于本例,由于密勒电容的存在,输出节点的变化受流经两个电容的两条支路的影响,因此压摆率由下式给出
一般的,因为为了让次极点较远,Cc约为1/5CL,因此后者会更小。事实上,如果没有密勒电容,结果就是我们熟知的I/C
代入到本例,经GBW公式推导,得到最大输出电压如下式
为了较大增益和带宽,gm不会太小,因此可以去增大输入mos的过驱动来提高最大输出电压
对于外部SR,在设定好密勒电容和负载电容后,最好调整Ids7
7.噪声
这里做简单的记录,单独开一章来讲
mos的等效噪声如下,分为白噪声+1/f噪声,中频以上白噪声占主导,低频时 1/f 噪声占主导。
增大输入管跨导,可以降低噪声,一般地,通过增大输入管面积来实现。
这还有个概念叫输入积分噪声.等于输入噪声功率谱密度在所有频率上的积分,其包含三部分贡献: 低频下 1/f 拐角频率 fc 内的 1/f 噪声;单位增益带宽内的白噪声;高于第二级点的白噪声。第二部分贡献最大。
三、电路设计
经过前面的指标分析可以知道,降低过驱动电压几乎都是益处,除了会少量增加噪声以及抑制SR。
电源电压5V,功耗2mW,因此最大电流400uA。
根据直流增益80dB以及前面的增益公式,可以得到输入管的过驱动电压小于220mv(实际设计复杂点的运放是比较难推导得到这种形式的增益公式的)。
根据SR要求,可以得到Ids5大于30u,Ids7大于120u
文章选择零点z1在1.2GBW处,次极点p2在1.5GBW处,因此得到
参数计算
文章展示了不采用gm/id方法的情况下,根据需求实现手算的过程。lz认为这得是建立在需求给定的比较充足情况下才好进行,而且要基于电流特性方程。
下面简单记录下计算的过程
1.选取Cc。根据CL=3pF,尽量让Cc大来获得较好的相位裕度,又不至于损失太多GBW和SR。文章取为1.8pF。
2.这样带入上面的公式得到gm6=3.2gm1
3.选择输入管过驱动电压100mv增大跨导
4.取第二级电流为第一级两倍。这里认为是考虑到大的增益和GWB,第一级电流要大。但从摆幅公式知道第二级电流要大于第一级,且要让第二极点较远,输入跨导要大,因此这里取IDS7=2IDS5=240u。一般来讲电流的选取应该根据GBW或摆幅,第二级的电流则可以根据次极点与GBW关系确定。
5.这里对M1宽长比的选择较复杂。已知电流和过驱动,根据平方律公式知道W/L=347.8.考虑积分噪声,WL大于64.4um2(这里没给出公式,只是举例),因此有效沟道L大于0.4u。考虑扩散长度Ld,L要大于0.8u。在现代工艺中,采用浅沟道掺杂LDD技术,在源漏和沟道间形成一条浅掺杂的缓变结来缓解有源区节深和突变电场带来的热载流子注入效应。以前则采用让栅和源漏重叠的方式防止有源区对不齐,这时的重叠部分即Ld。接着,根据L=0.4(注意算W不取L=0.8)算得W=140u
6.根据前一步确定的积分噪声系数α=2=L3/L1,得到3,4,6,的L,5,6则取与1相同即可。根据相位裕度要求计算得到的gm6=3.2gm1可知gm6,可以计算得到W6。再根据前文对3,4,5,6,7管宽长比关系的假设,可以分别得到W/L。对于做电流镜的管子,因为要降低电流噪声和寄生电容,过驱动电压要大点。
7.为了便于计算,这里取(W/L)12=4(W/L)13.根据RB公式计算得到RB=6.25K。对于别的宽长比则根据电流镜比例关系计算。事实上,也可以从另一个角度理解。偏置电路采用的是widlar电流镜,想要静态工作点有解则必须M12/M13>M8/M9来弥补电阻带来的M14源极电压的抬升,否则两条电流比的曲线是没有交点的。
至此,文章手算得到所有管子宽长比,后续还需要仿真迭代,只是提供一个范围。
四、仿真
这里我们采用tsmc65nm仿真(懒得下.18了),参数跟随文章计算结果
增益70dB,GBW100MHz,相位裕度47deg。与文章的要求差别较大
调整Cc让零点左移,提高了相位裕度。对于增益,则可以增加输入跨导。
具体调整这里就不赘述,根据前文所述逻辑调整即可,或者用gm/id重新计算。