数字信号与电路的基本概念

1. 周期数字信号与非周期数字信号

图1 周期与非周期数字信号

2. 非理想数字波形

 图2 非理想数字波形

 对于非理想数字波形(矩形脉冲),常用以下指标来定量描述其特性:
        脉冲周期T:周期性重复的脉冲序列中,两个相邻脉冲间的时间间隔,频率f=1/T表示单位时间内脉冲重复的次数;
        脉冲幅度Um:脉冲电压的最大变化幅度;
        脉冲宽度tw:从脉冲前沿上升到0.5Um处开始,到脉冲后沿下降到0.5Um为止的一段时间;
        上升时间tr:脉冲前沿从0.1Um上升到0.9Um所需要的时间。
        下降时间tf:脉冲后沿从0.9Um下降到0.1Um所需要的时间。
                      数字信号上升时间和下降时间的典型值约为几纳秒,视不同类型的器件和电路而异。
        占空比——脉冲宽度tw占整个脉冲周期T的百分数,称为脉冲占空比,占空比一般用q表示,即

q = tw/T*100%;

3. 模拟电路与数字电路的比较

表1 模拟电路与数字电路的比较
内容模拟电路数字电路
工作信号模拟信号数字信号
管子工作状态放大饱和导通或截止
研究对象放大性能逻辑功能
基本单元电路放大器逻辑门,触发器
分析工具图解法真值表,卡诺图,逻辑表达式,状态转换图,布尔代数

4. 模拟信号的数字化

        如果取样点足够多,那么模拟信号便可较真实地被复制下来,必要时也可用数/模转换器还原模拟信号。

图3 AD转换 

5. 数字电路的分类

5.1.按电路类型分类

        数字电路按照电路类型可分为组合逻辑时序逻辑电路两大类。        

  • 组合逻辑电路(Combinational Logic Circuits)

    • 特点:输出仅取决于当前输入,无记忆功能。

    • 典型电路:加法器、编码器、译码器、多路复用器(MUX)、比较器。

  • 时序逻辑电路(Sequential Logic Circuits)

    • 特点:输出依赖于当前输入和电路的历史状态,包含存储元件。

    • 典型电路:触发器(Flip-Flop)、寄存器、计数器、移位寄存器、有限状态机(FSM)。

5.2 按集成度分类     

  • SSI(小规模集成电路):包含几十个逻辑门,如基本门电路。

  • MSI(中规模集成电路):含数百个门,如编码器、计数器。

  • LSI(大规模集成电路):含数千个门,如早期微处理器。

  • VLSI(超大规模集成电路):含数十万至数亿个门,如现代CPU、GPU。

  • ULSI(极大规模集成电路):更高集成度,如先进SoC芯片。

5.3. 按工作频率分类

        (1) 低频数字电路:工作在低频段,如音频电路。

        (2) 高频数字电路:工作在高频段,如射频电路和高速数字电路。

5.4 按电源电压分类

        (1) 低电压数字电路

        通常使用较低的电压供电,一般在 1.2V 到 5V 之间。例如,一些常见的 CMOS(互补金属氧化物半导体)数字电路,工作电压可能为 3.3V 或 1.8V。

  • 功耗较低,因为电压较低,根据功率公式P=UI(其中P为功率,U为电压,I为电流),在相同电流情况下,电压越低,功率越小。
  • 速度相对较慢,由于低电压下信号的摆幅较小,晶体管的开关速度会受到一定影响,导致信号传输和处理速度相对较慢。
  • 抗干扰能力相对较弱,低电压信号的幅度较小,更容易受到噪声的干扰。    
  • 设计时需要更加关注噪声抑制和电源管理,以确保在低电压下电路能够稳定工作。
  • 由于晶体管的导通电阻在低电压下可能较大,需要合理设计电路结构,以减少信号失真和延迟。

(2) 高电压数字电路

        工作电压相对较高,一般在 5V 以上,甚至可达几十伏。例如,在一些早期的 TTL(晶体管 - 晶体管逻辑)电路中,常使用 5V 电压,而一些特殊的高压数字电路可能工作在 12V、24V 等更高电压下。       

  • 能够提供较大的驱动能力,因高电压可以产生更大的电流,从而能够驱动更多的负载;
  • 速度通常较快,高电压下信号摆幅大,晶体管开关速度快,有利于实现高速信号处理和传输;
  • 抗干扰能力较强,信号幅度大,相对不易受到噪声影响,但同时也可能会产生较大的电磁干扰。
  • 要考虑晶体管的耐压能力,选择合适的器件以承受高电压。
  • 高压电路可能会产生较大的电磁辐射,需要采取有效的电磁兼容性(EMC)设计措施,如屏蔽、滤波等。

5.5.按制造工艺分类

  • TTL(Transistor-Transistor Logic)

    • 特点:基于双极型晶体管,速度快但功耗较高,适用于高速场景。

    • 常见应用:早期计算机和工业控制设备。

  • CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)

    • 特点:低静态功耗、高集成度,现代主流工艺。

    • 常见应用:微处理器、存储器、移动设备芯片。

  • ECL(Emitter-Coupled Logic)

    • 特点:超高速但功耗极高,用于特殊高频场景(如通信系统)。

5.6 按应用场景分类

  • 通用型电路

    • 特点:设计灵活,适用于多种场景。

    • 典型器件:微处理器(CPU)、存储器(RAM/ROM)、通用逻辑芯片。

  • 专用型电路(ASIC)

    • 特点:为特定功能定制,性能高效但成本高。

    • 典型应用:数字信号处理器(DSP)、通信协议芯片。

  • 可编程逻辑器件(PLD)

    • 特点:用户可编程配置逻辑功能。

    • 典型器件:FPGA(现场可编程门阵列)、CPLD(复杂可编程逻辑器件)。

5.7 按工作方式分类

  • 同步电路

    • 特点:依赖全局时钟信号同步操作,设计简单但易受时钟偏移影响。

    • 应用:大多数现代数字系统(如CPU)。

  • 异步电路

    • 特点:无全局时钟,通过事件触发,功耗低但设计复杂。

    • 应用:低功耗设备、特定高速场景。

6. 逻辑运算与逻辑表达式

图4 逻辑符号

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