半导体笔记（一）

1.常见设备

氧化（氧化炉）、光刻（光刻机）、刻蚀（刻蚀机）、离子注入（离子注入机）、物理气相沉积（PVD沉积）、化学气相沉积（CVD）、机械抛光（CMP设备）、晶圆检测（测试机、探针台）

2.刻蚀

2.1刻蚀分类

干、湿法刻蚀；

刻蚀材料分类：介质刻蚀（氧化硅、氮化硅等介质材料）、硅（单晶硅、多晶硅、硅化物等硅材料）、金属刻蚀。

2.2某种刻蚀机组成

高频电源（给线圈放高压电）、阻抗匹配器（使功率稳定在固定位置，减少反射）、送气系统（CF4和O2的混合）、反应室（线圈在高频电激发下起辉，生成活性等离子）、真空系统（尾气抽到排放系统）

【补充】1.晶圆：制作硅半导体电路所用的硅晶片（用于电路衬底）；

                2.等离子体（电浆）：离子组成的离子化气体状物质，除气、液、固的第四种物质状态

3.电源类型

3.1分类

直流电（有非静电力）、交流电（常见正弦）、脉冲电源、无线电、射频电源；

射频电源：等离子体配套电源，由射频功率源、阻抗匹配器、阻抗功率计组成。属于高频交变电源。

【补充】1.射频：一种频率（300k-300GHz)

                2.非静电力：干电、蓄电池根据离子溶解和沉积过程中的化学能产生电能；直流发电机根据电磁感应使机械能产生电能；光电池利用 光生伏效应将光能产生电能。

3.2电磁波频率分类

甚低频：3-30kHz

低频：30-300kHz

中频：300-3000kHz

高频：3-30MHz                   //射频频段

甚高频：30-300MHz           //射频

特高频：300-3000MHz       //射频            +微波频段 

超高频：3-30GHz               //射频            +微波

极高频：30-300GHz           //射频            +微波

【补充】高于100KHz的电磁波不会被地表吸收，可以有效传播。

3.3物质以下

物质——分子——原子——|原子核——|质子（正电）——夸克

                                           |                  |中子（负电）——夸克

                                           |电子（核外

                                           |电离产生离子

【补充】量子：物理量的最小不可分的基本单位。（普朗克提出）

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4.1射频电源和匹配器参数

射频电源：供电接口（电压）、射频输出接头、输出阻抗、频率、功率

匹配器：供电接口（电压）、射频输入和输出接头、输入和输出阻抗、频率、功率、通讯接口

4.2不同接口

射频接口：N、DIN、HN、LC（F）...           用于射频领域的连接器和转接器，连接电缆，N系产                                                                         品为螺纹连接的中功率连接器。

电源到主板的接口：CPCI总线标准，24pin接口——主板供电；8pin/4pin——CPU供电接口；

                                6+2pin——PCIE供电接口；SATA——硬盘的接口；4D——风扇接口。

通信接口：RS232接口；GPIB接口；以太网接口；USB；无线