2021-06-20

（这段时间期末考试，一直比较忙没有学习新的内容，忙完了考试今天来更新一下以前的老知识，顺便回忆一下），大家知道现在的DRAM家族已经有5代了包括SDRAM、DDR2、DDR3、DDR4以及DDR5种。下面就SDRAM为例带大家简单认识一下SDRAM的初始化、自刷新、读、写等功能的实现。

SDRAM初始化

本文以w9812g6kh-75芯片为例来对SDRAM初始化的一个过程进行一个简单的讲解。

SDRAM为什么要进行初始化呢？

原文大概是这么说的，在上电的时候，整个系统的工作模式都是未知的，通过初始化化来保证系统能够按照使用者的需求运行。简单的来说，就是为了能让系统能够按照我们预想的模式运行，需要提前对它进行模式的一个功能配置。

初始化过程？

初始化的一个过程：上电--等待一定时间--预充电--N次刷新操作--工作模式配置--延时一段时间，初始化过程结束

1、为什么需要一定的等待时间？
SDRAM作为一个模拟器件，在刚刚上电的那一瞬间是不稳定的，需要一定的等待时间让电路稳定下来，然后才能对它进行操作，常见的SDRAM最少需要一个100us的延时（但是大多数人写代码的时候，都会给它一个200us的延时）而这款以w9812g6kh-75的SDRAM直接点明了需要一个200us的延时。
同时这里还强调了，为了防止DQ出现竞争险象，在这段等待时间内，需要将DQM和CKE信号进行拉高。
2 预充电过程
当等待时间结束以后开始进行预充电操作，预充电的指令是{cs, ras, cas, we} = 4’b0010（这里说一下，控制整个SDRAM初始化、刷新、读写操作都是受这4个引脚控制的）当指令发出以后，系统进行预充电操作，预充电操作完成以后需要一定的等待时间，这个时间里面系统不执行任何命令使用{cs, ras, cas, we} = 4’b0111空命令（大多数器件对这个等待时间的要求是不低于20ns）
预充电过程中必须对所有BANK进行预充电，此时A10拉高，bank1和bank2全部拉低表示所有bank，其他地址为不关心。

3 刷新过程
在预充电过程结束以后，开始刷新操作，刷新操作的指令是{cs, ras, cas, we} = 4’b0001，这里需要进行多次的刷新操作，上一次刷新到这一次刷新是具有一定时间间隔的（大多数SDRAM器件的刷新次数不低于两次，刷新时间一般不低于63ns,所以在写代码时一般都是两次刷新配上一个80ns的时间间隔）

w9812g6kh-75系列的刷新等待时间是不低于60ns，我们就将这段时间间隔取80ns，文中提到了在模式配置之前或之后需要进行8次的自动刷新操作而不是两次（这芯片也是够奇葩的，就是不走寻常路呗，别人2个我就8个我气死你，哈哈哈）。
4模式配置过程
这个模式配置，主要是对SDRAM的地址位进行配置，现在的SDRAM基本上都是13位的地址位了，它的一个配置模式图如下图所示。

本文的模式配置是init_addr = 13’b0_0000_0011_0010表示采用写突发模式，具有三个潜伏周期，采用连续突发，突发长度为4。
下面简单的写一下这款sdram的初始化代码

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这里写的比较简单，时钟周期采用的是20ns，通过线性序列机来完成它指令的一个跳转，稍微有点不太规范，标准一点的话可以采用状态机来完成各个指令的跳转。这里只写了sdram初始化的程序，仿真的话还需要写一个SDRAM的顶层通过仿真模型来进行验证，这里就不在将这些代码贴出来了，直接看仿真结果吧。