[DDR5] 命令 (Precharge, Active)

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专栏 《深入理解DDR》

1. Precharge

1.1. 预充电（Precharge）含义

由于SDRAM的寻址具体独占性，因此在进行完读写操作后，若需对同一L-Bank的另一行进行寻址，则必须先关闭原有的行，然后重新发送行/列地址。预充电（Precharge）操作用于关闭当前的工作行，以准备打开新行。

1.2. Cell 预充电原理

预充电是一种操作，通过对存储体内的数据进行重写，对工作行中的所有存储体进行数据重置。

预充电操作会将S-AMP中的数据回写，这会干扰存储电容的电量。电容的电量或产生的电压将成为判断逻辑状态的依据。在判断过程中需要设定一个临界值，一般为电容电量的一半。如果电容电量超过这个临界值，就进行重写，表示逻辑1；否则，不进行重写，表示逻辑0（即放电）。一般会将电容的另一端接入一个指定的电压（电容电压的一半）