MULTISIM仿真具有光耦隔离的PMOS管驱动电路设计

        最近一个项目需要用到PMOS管做开关管控制设备，控制电流要求较高，所以综合考虑没有选择晶体三极管而选择了MOS管。但是MOS管有一个致命的缺点就是开关频率远远低于三极管，并且也怕静电，很容易就被静电打了所以需要设计一款合适的MOS管驱动电路。

        MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生电容，这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1电阻对Cgs充电，充电时间常数=R1*Cgs。所以R1较大的话，时间常数就大了，这样如果频率很高的话，在脉宽的时间内管子很可能无法正常导通，或者输出波形严重畸变。

        话不多说，先上电路。

        这是一款普通的直接驱动型电路。

        开关频率1KHZ时输出波形图，波形还算完美

        

 开关频率5KHZ时输出波形图，波形严重失真

这个电路的R2是Cgs寄生电容的泄放电阻，其两个功能，一是防止MOS管由于静电积累的电荷没有释放回路，引起静电击穿 ；二是在MOS关断时给Cgs寄生电容一个快速放电的回路，提高关断速度，泄放电阻一般取值为10K，也可根据实际情况做调整，阻值大，MOS关断速度慢。

        这个电路有一个很大的缺点就是，当开关信号在3KHZ以上时MOS明显跟不上了，输出波形变形严重，原因就是Cgs寄生电容中充的电不能及时放掉，减少R2的值可以缓解这种问题，但是一般情况不能把这个电阻改太小，所以电路还需要进一步改进。

        改进后的电路

        这个电路加入了一个三极管Q2来辅助Cgs寄生电容的泄放电荷，可以大大缩短MOS的关断时间。其原理是当MOS要关断瞬间，Cgs寄生电容电压是电源电压，三极管的e极连接的是Cgs寄生电容的负极，三极管的b极经R10连接Cgs寄生电容的正极为高电平，所以三极管Q2导通，形成放电回路，Cgs寄生电容的电荷经Q2---R4快速放电，同时也经R2进行放电，迅速消耗Cgs寄生电容的电荷，减少MOS的关断时间，提高MOS的开关频率。

        开关频率1KHZ时输出波形图，波形完美

开关频率10KHZ时输出波形图，波形还算完美

         改进后的电路，MOS的开关频率提升10倍左右。

具有光耦隔离的PMOS管驱动电路下载链接

https://download.csdn.net/download/m0_50560976/87812245