存储器理解

存储器的理解

存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门，之后在此基础上，形成组合逻辑例如R-S锁存器和门控D锁存器，进而高度集成化，形成我们所寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。·

存储器的分类

存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器是指设备掉电，存储的信息会消失，但其优点是读写速度快；而非易失性存储器具有存储时间长，掉电数据不会消失的，相对的其读写速度缓慢。存储器分类如图一所示：

图一 存储器分类

RAM

对CPU而言，数据读写速度由高到低为：片内寄存器，RAM、FLASH和机械硬盘。易失性存储器主要指RAM,根据RAM的存储机制，又分为DRAM（动态随机存储器）和 SRAM（静态随机存储器）。其中DRAM是通过电容的充放电来刷新存储数据的，而SRAM是通过锁存器来存储数据。由于其组成元器件的区别,DRAM和SRAM具有如下特性：

特性	DRAM	SRAM
存取速度	较慢	较快
集成度	较高	较低
生产成本	较低	较高
是否需要刷新	是	否

常见的存储器依据其是否有时钟信号分为同步和异步存储器，DRAM通常采用同步方式，即SDRAM（synchronous DRAM），普通的SDRAM在时钟上升沿同步数据。而在时钟上升沿和下降沿均同步数据，且依据时钟信号频率的不同，出现了DDRⅡ SDRAM、DDRⅢ SDRAM等。通常我们电脑的内存条通常为DDRⅢ SDRAM。

ROM

ROM和FLASH均为半导体存储器，而机械磁盘，光盘均是磁结构构成。ROM为只读存储器，其内数据是出厂时已经写好，不允许进行擦写操作。个人理解，其内存储计算机启动的boot程序、单片机引导程序数据等，ROM分类如下。

种类	特性
MASK ROM	出厂时固化，不可修改
OTPROM	用户可写入一次，之后不可修改
EPROM	可反复擦写，需要使用紫外线擦除
EEPROM	可反复擦写，电擦写

FLASH

FLASH存储器又称为闪存，且可重复擦除，容量比一般的ROM大很多。根据存储单元电路不同，其分为NOR FLASH和NAND FLASH。个人理解，基于NOR FLASH 坏块少和以字节读写的特点，芯片片内FLASH以及通过EBI（外部总线接口单元）扩展的FLASH块，大多采用NOR FLASH。

特性	NOR FLASH	NAND FLASH
同容量存储器成本	较贵	较便宜
集成度	较低	较高
存储类型	随机存储	连续存储
擦除单元	以“扇区/块”擦除	以“扇区/块”擦除
读写单元	基于字节读写	基于块读写
读取速度	较高	较低
写入速度	较低	较高
坏块	较少	较多

扩展

1 我们通常所说的手机内存，计算机内存条，均指掉电数据消失的RAM存储器；
2 计算机主板的固态硬盘和移动存储介质（U盘，移动硬盘（大多用来存游戏、电影等）），均指NAND FLASH结构。
3 SATA接口的机械硬盘，通过磁头的转动来读取数据，然后读入内存单元（RAM）以通过CPU来处理，其磁盘的读写速度远远不及CPU处理数据速度。

寄存器

谈一谈对寄存器的理解，寄存器也用来存储数据的，无论是通用寄存器还是特殊寄存器，无论是CPU内核的寄存器还是片上外设寄存器，其存在的目的是加快CPU对指令和数据的处理速度，而就不同CPU内核所对应的ISA结构中寻址模式，必将牵扯到寄存器结构。

以上为个人理解，仅供参考，如有错误和补充，请指正，谢谢。