存储器部分知识总结

存储器部分知识总结

从模电、数电、微机原理、单片机，每本书都有对存储器进行介绍。学习单片机，其中最基本的一项也是对存储器的学习，可见理解好存储器是十分重要的。以下是我对存储器一部分知识总结。

存储器是计算机的重要组成部分，用于存放系统工作的信息（数据和程序）。

我们如何判断存储器的指标：
1、存储容量是存储器系统的首要性能指标，因为存储容量越大，则系统能够保存的信息量就越多，相应计算机系统的功能就越强；
2、存储器的存取速度直接决定了整个微机系统的运行速度，因此，存取速度也是存储器系统的重要的性能指标；
3、存储器功耗：维持和操作功耗；
4、可靠性：平均无故障时间；
5、存储器的成本。

存储器的分类：

下面是对各种存储器原理的理解：
(1)．随机存储器RAM
能够通过指令随机地对各个单元进行读/写操作，读写时间相同，存储信息关机后会消失。
SRAM：静态RAM是以双稳态元件作为基本的存储单元来保存信息的，只要不断电，保存的信息不会被破坏。

DRAM ：动态RAM是靠电容的充、放电原理来存放信息的，电容上的电荷会随着时间而泄露，必须定时进行刷新。

NVRAM：非易失型RAM。
PSRAM：伪静态读写存储器。
MPRAM：多端口RAM。
FRAM：铁电介质读写存储器 。

（2）．只读存储器ROM
在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器。ROM通常用来存放固定不变的程序、汉字字型库、字符及图形符号等。
掩膜型ROM
PROM：可编程只读存储器
EPROM：可擦除的可编程的只读存储器（紫外光）

写信息“0”：在漏极和源极（即S）之间加上十25v的电压，同时加上编程脉冲信号，所选中的单元在这个电压的作用下，漏极与源极之间被瞬时击穿，就会有电子通过SiO2绝缘层注入到浮动栅。在高压电源去除之后，因为浮动栅被SiO2绝缘层包围，所以注入的电子无泄漏通道，浮动栅为负，就形成了导电沟道，从而使相应单元导通，此时说明将0写入该单元。
清除存储单元中所保存的信息：用一定波长的紫外光照射浮动栅，使负电荷获取足够的能量，摆脱SiO2的包围，以光电流的形式释放掉，原来存储的信息就不存在了。由这种存储单元所构成的ROM存储器芯片，在其上方有一个石英玻璃的窗口，紫外线正是通过这个窗口来照射其内部电路而擦除信息的，一般擦除信息需用紫外线照射l5~20分钟。

OTPROM：一次可编程只读存储器
EEPROM：电可擦除的可编程只读存储器，与EPROM类似，但可用电擦除，现在单片机大部分都有该存储器
Flash Memory：快擦型存储器具有EEPROM的特点，又可在计算机内进行擦除和编程，它的读取时间与DRAM相似，而写时间与磁盘驱动器相当。快擦型存储器有5V或12V两种供电方式。对于便携机来讲，用5V电源更为合适。