第三章 存储系统

存储系统基本概念

存储器的层次结构

主存–辅存：实现虚拟存储系统，解决了主存容量不够的问题
Cache–主存：解决了主存与CPU速度不匹配的问题

存储的分类

存储介质
以半导体器件存储信息：半导体存储器，如主存，Cache；
以磁性材料存储信息：磁表面存储器，如磁盘‘磁带；
以光介质存储信息：光存储器。

存取方式
随机存取存储器RAM：读写任何一个存储单元所需时间都相同，与存储单元所在的物理位置无关；
顺序存取存储器SAM：读写一个存储单元所需时间取决于存储单元所在的物理位置；
直接存取存储器DAM：既有RAM特性，也有SAM特性先直接选取信息所在区域，然后按顺序方式存取；
相联存储器CAM：可以按内容访问的存储器，可以按照内容检查到存储位置进行读写，“快表”就是一种相联存储器。

信息的可更改行
读写存储器：既可读，也可写，如磁盘，内存，Cache；
只读存储器ROM：只能读不能写。

信息的可保存性
断电后，存储信息消失的存储器：易失性存储器，如主存，Cache；
断电后，存储信息依然保持的存储器：非易失性存储器，如磁盘，光盘。

信息读出后，原存储信息被破坏：破坏性读出，如DRAM；
信息读出后，原存储信息不被破坏：非破坏性读出，如SRAM，磁盘，光盘。

存储器的性能指标

存储容量：存储字数 x 字长。MDR位数反映存储字长。
单位成本：每位价格=总成本/总容量。
存储速度：数据传输率=数据宽度/存储周期。数据宽度即存储字长。

主存带宽：主存带宽又称为数据传输率，表示每秒从主存进出信息的最大容量，单位为字/秒，字节/秒，位/秒。

主存储器

主存储器的基本组成

基本元件
MOS管，作为通电开关；
电容，存储电荷(即存储01二进制)。

存储芯片的结构
译码驱动电路：将地址信号转化成为字选通线的高电平；
存储矩阵(存储体)：由多个存储单元构成，每个存储单元又由多个存储元件构成；
读写电路：每次只读/写一个存储字；
地址线、数据线、片选线，读写控制线(两根或一根)。

寻址
现代计算机通信常按字节编址(每个字节)，即每个字节对应一个地址。
按字节寻址，按字寻址，按半字寻址，按双字寻址。

SRAM和DRAM

SRAM是静态PAM，DRAM是动态RAM。DRAM用于主存，SRAM用于Cache。
存储元件不同导致的特性差异
DRAM：使用栅极电容存储信息，破坏性读出；

SRAM：使用双稳态触发器存储信息，非破坏性读出，无重写；

核心区别：存储元不一样。

DRAM的刷新
刷新周期：一般为2ms；
以行为单位，每次刷新一行存储单元；(行列地址用于减少选通线的数量)
如何刷新？硬件支持，读出一行的信息后再重新写入，占用一个读写周期；
何时刷新？
假设DRAM内部结构排列128x128的形式，读/写周期(存取周期)=0.5μs。
2ms共2ms/μs=4000周期。
分散刷新：每次读写完都刷新一行–>系统的存取周期变为1μs。前0.5μs用于正常读写，后0.5μs用于刷新某行；
集中刷新：2ms内集中安排时间全部刷新–>系统的存取周期还是0.5μs。有一段时间专门用于刷新，无法访问存储器，称为访存四区。
异步刷新：2ms内每行刷新1次即可–>2ms内需要产生128次刷新请求。每隔2ms/128=15.6μs一次，每15.6μs内有0.5μs的“死时间”，可在译码阶段刷新。

DRAM的地址线复用技术
行列地址分两次送，可使地址线减少，芯片引脚更少。

SRAM和DRAM的对比

只读存储器ROM

RAM具有易失性，断电后数据消失；ROM具有非易失性，断电后数据不会丢失。
MROM掩模式只读存储器
厂家按照客户需求，在芯片生产过程中直接写入信息，之后任何人不可重写，只能读出。可靠性高，灵活性差，生产周期长，只适合批量定制。

PROM可编程只读存储器
用户可用专门的PROM写入器写入信息，写一次之后就不可更改。

EPPROM可擦除可编程只读存储器
允许用户写入信息，之后用某种方式擦除数据，可进行多次重写。
UVEPROM，用紫外线照射8~20分钟，擦除所有信息；
EEPROM，可用电擦除的方式，擦除特定的字。

Flash Memory闪存存储器(U盘，SD卡)
在EPPROM基础上发展而来，断电后也能保存信息，且可进行多次快速擦除重写。由于闪存需要先擦除再写入，因此闪存的“写”比“读”慢。

SSD固态硬盘
由控制单元+存储单元构成，与闪存的核心区别在于控制单元不一样，但存储介质都类似，可进行多次快速擦除重写。SSD速度快，功耗低，价格高。目前个人电脑上常用SSD取代传统的机械硬盘。

计算机内的重要ROM
主板上的BIOS存储了“自举装入程序”，负责引导装入操作系统。主存由ROM+RAM组成，二者统一编制。

主存储器与CPU的连接

存储器芯片的基本结构：译码驱动电路，存储矩阵，读写电路，地址线，数据线，片选线，读写控制线。

增加主存储的存储字长–位扩展

增加主存储的存储字数–字扩展
线选法：一条线只能是0或1，n条线能得到n个片选信号；电路简单；地址空间不连续

译码片选法：n条线能得到2ⁿ个选片信号；电路复杂，地址空间可连续

主存容量扩展–字位同时扩展

双端口RAM
作用：优化多核CPU同时访问一根内存条的速度。

两个端口对同一主存操作有以下四种情况：
(1) 两个端口同时对不同的地址单元存取数据；
(2)两个端口同时对同一地址单元读数据；
(3)两个端口同时对同一个地址单元写数据；(不能实现)
(4)两个端口同时对同一地址单元，一个读数据另一个写数据。(不能实现)
解决方法：置忙信号为0，由判断逻辑决定暂时关闭一个端口(即被延时)，未被关闭的端口正常访问，被关闭的端口延长一个很短的时间后再访问。

多模态存储器
多体并行存储器
高位交叉编址的多体存储器：[体号，体内地址]，连续读取n个存储字耗时nT；
地位交叉编址的多体存储器：[体内地址，体号]，连续读取n个存储字耗时T+(n-1)r。

采用“流水线”的方式并行存取(宏观上并行，微观上串行)；
宏观上，一个存储周期内，m体交叉存储器可以提供的数据量为单个模块的m倍。存储周期为T，存取时间为r(总线传输周期为r)，为了使流水线不断，应保证模块数m≥T/r；若m＜T/r，则CPU需等待r，若m＞T/r，则存储体M闲置r；
每个模块都由相同的容量和存取速度。各模块都由独立的读写控制电路，地址寄存器和数据寄存器，他们既能并行工作又能穿串行工作。

单体多字存储器
每个存储单元存储m个字，总线宽度也为m个字，一次并行读出m个字；每次只能同时存取m个字，不能单独取其中某个字；
指令和数据在主存内必须是连续的。

外部存储器

计算机的外存储器又称辅助存储器，目前主要使用磁表面存储器。
磁表面存储器的优点：存储量大，位价格低；记录介质可以重复使用；记录信息可以长期保存而不丢失，甚至可以脱机存档；非破坏性读出。
磁表面存储器的缺点：存取速度慢；机械结构复杂；对工作环境要求高。

磁盘存储器

磁盘设备的组成
存储区域：一块硬盘含有若干个记录面，每个记录面划分为若干条磁道，而每条磁道又划分为若干个扇区，扇区(块)是磁盘读写的最小单位，也就是说磁盘按块存取。磁头数即为记录面数，表示硬盘总共有多少个磁头，磁头用于读取/写入盘面上记录的信息，一个记录面对应一个磁头。柱面数表示硬盘的每一面盘片上有多少条磁道，在一个盘组中，不同记录面的相同编号(位置)的诸磁道构成一个柱面。扇区数表示每一条磁道上有多少个扇区。

硬盘存储器：由磁盘驱动器，磁盘控制器和盘片组成。磁盘驱动器的核心部件是磁头组件和磁片组件。磁盘控制器是磁盘存储器和主机的接口，主流的标准由IDE,SCSI,SATA。

磁盘的性能指标
磁盘的容量：一个磁盘所能存储的字节总数。有格式化容量和非格式化容量之分。格式化容量指按照特定的记录格式所能存储的信息；非格式化容量指磁记录面可以利用的磁化单元总数。

记录密度：盘片单位面积上记录的二进制的信息量，通常以道密度，位密度和面密度表示。道密度是沿磁盘半径方向单位长度上的磁道数；位密度是磁道单位长度上能记录的二进制代码的位数；面密度是位密度和道密度的乘积。磁盘所有磁道记录的信息量一定是相等的，并不是圆越大信息越多，所以每个磁道的位密度不同。

平均存取时间：寻道时间(磁头移动到目的磁道的时间)+旋转延迟时间(磁头定位到所在扇区的时间)+传输时间(传输数据所花费的时间)

数据传输率：磁盘存取器在单位时间内向主机传送数据的的字节数。假设磁盘转数为r(转/秒)，每条磁道容量为N个字节，则传输速率为D=rN

硬盘地址

驱动器号：一台电脑可能有多个硬盘；
柱面(磁道)号：移动磁头臂寻道；
盘面号：激活某个磁头；
扇区号：通过旋转将特定扇区划过磁头下方。

磁盘的工作过程
硬盘的主要操作是寻址，读盘，写盘。每个操作都对应一个控制字，硬盘工作时，第一步是取控制字，第二步是执行控制字。
硬盘属于机械式部件，其读写操作是串行的，不可能在同一时刻既读又写，也不可能在同一时刻读两组数据或写两组数据。

磁盘阵列
RAID(廉价冗余磁盘阵列)将多个独立的物理磁盘组成一个独立的逻辑盘。数据在多个物理盘上分割交叉存储，并行访问，具有更好的存储性，可靠性和安全性。

分级：
RAID0:无冗余和无校验的磁盘阵列。类比“地位交叉编址”。
RAOD1:镜像磁盘阵列。
RAID2：采用纠错的海明码的磁盘阵列。
RAID3：位交叉奇偶校验的磁盘阵列。
RAID4：块交叉奇偶校验的磁盘阵列。
RAID5：无独立校验的奇偶校验磁盘阵列。

固态硬盘SSD

原理：基于闪存技术，属于电可擦除ROM,EEPROM。

组成：闪存翻译层，负责翻译逻辑块号，找到对应页；存储介质，多个闪存芯片，每个芯片包含多个块，每个块包含多个页。

读写性能特性：以页为单位读/写，相当于磁盘的扇区。以块为单位擦除，擦干净的块，其中的每页都可以写一次，读无限次。支持随机访问，系统给定一个逻辑地址，闪存翻译层可通过电路迅速定位到对应的物理地址。读块，写慢。要写的页如果有数据，则不能写入，需要将块内其他页面全部复制到一个新的(擦除过的)块中，再写入新的页。

与机械硬盘相比的特点：SSD读写速度快，随机访问性能高，用电路控制访问位置，机械硬盘通过移动磁臂旋转磁盘控制访问位置，有寻道时间和旋转延迟。SSD安静无噪音2，耐摔抗震，耗能低，造价更贵。SSD的一个“块”被擦除次数过多(重复写同一个块)可能会坏掉，而机械硬盘的扇区不会因为写的次数而坏掉。

磨损均衡技术：将“擦除”平均分布在各个块上，以提升使用寿命。动态磨损均衡，写入数据时在，优先选择累计擦除次数少的新闪存块。静态磨损均衡，SSD监测并自动进行数据分配，迁移，让老旧的闪存块承担以读为主的存储任务，让较新的闪存块承担更多的写任务。

Cache

基本概念和原理

工作原理：
将某些主存块复制到Cache中，缓和CPU与主存之间的速度矛盾。

性能分析：
设tc为访问一次Cache所需时间，tm为访问一次主存所需时间，命中率H是指CPU欲访问的信息已在Cache中的比率，缺失率(未命中率)M=1=H。
先访问Cache，若Cache未命中再访问主存，则Cache-主存系统的平均访问时间t为t=Htc+(1-H)(tc+tm)；
同时访问Cache和主存，若Cache命中则立即停止访问主存，t=Htc+(1-H)tm。

Cache和主存的映射方式

Cache中存储的信息
有效位(0/1)+标记+整块数据
标记用于指明对应的内存块，不同映射方式，“标记”的位数不同

全相联映射
主存块可以放到Cache的任意位置。
主存地址结构：标记(整个主存块号)+块内地址。
优点：Cache存储空间利用充分，命中率高。
缺点：查找”标记“最慢，有可能需要对比所有的标记。

直接映射
主存块只能放到特定的某个Cache行，行号=主存块号%总行数。
主存地址结构：标记(主存块号前几位)+行号(主存块号末几位)+块内地址。
优点：对于任意一个地址，只需对比一个”标记“，速度最快。
缺点：Cache存储空间利用不充分，命中率低。

组相联映射
主存块可以放到特定分组中的任意位置，所属组号=主存块号%总组数。
主存地址结构：标记(主存块号前几位)+组号(主存块号末几位+)+块内地址。
优点：另外两种方式的折中，综合效果好。
术语：n路组相联映射指每n个Cache为一组。

Cache替换算法

与《操作系统》的页面置换算法类似
随机算法RAND
若Cache已满，则随机选取一块替换。实现简单，但没考虑局部性原理，命中率低，实际效果不确定。

先进先出算法FIFO
若Cache已满，则替换最先被调入Cache的块。不遵循局部性原理，效果差。

最近最少使用LRU
为每一个Cache块设置一个“计数器”，用于记录每个Cache块已经多久没有被访问了。当Cache满后替换“计数器”最大的。
命中时，所命中的行的计数器清零，比其低的计数器+1，其余不变；
未命中且还有空闲时，新装入的行的计数器置0，其余非空闲行计数器+1；
未命中且无空闲行时，计数器值最大的行的信息块被淘汰，新装入行的块的计数器置0，其余全+1；

最不经常使用算法LFU
为每个Cache块设置一个“计数器”，用于记录每个Cache块被访问几次。当Cache满后替换“计数器”最小的。
新调入的块计数器=0，之后每被访问一次计数器+1，需要替换时，选择计数器最小的一行。实际效果运行不好。

Cache写策略

写命中
写回法：当CPU对Cache写命中时，只修改Cache的内容，而不立即写入主存，只有当此块被换出时才写回主存。减少了访存次数，但存在数据不一致的隐患。
全写法(写直通法)：当CPU对Cache写命中时，必须把数据同时写入Cache和主存，一般使用写缓冲。访存次数增加，速度变慢，但更能保证数据一致性。

写不命中
写分配法：当CPU对Cache写不命中时，把主存中的块调入Cache，在Cache中修改，通常搭配写回法使用。
非写分配法：当CPU对Cache写不命中时，只写入主存，不调入Cache，通常搭配全写法使用。

现代计算机常采用多级Cache结构，各级Cache间常采用“全写法+非写分配法”；Cache和主存间常采用“写回法+写分配法”。