(一)半导体产业介绍
1.2 产业根基
制造电子器件的基本半导体材料:圆形单晶薄片,而由硅片生产的半导体产品称为芯片或者微芯片
放大电子信号的三级真空管发明于1906年,但是因为性能原因,后来科学家们想用固态半导体材料替代真空管
半导体产业在1950年快速增长,并开始以硅为基础进行商业化实践
1.3 电路集成
最早的半导体材料是Ge,现在85%都是Si
1.4 集成电路制造
硅片上芯片数的不同取决于产品的类型和每个芯片的尺寸。芯片尺寸改变取决于在一个芯片的集成水平
半导体的制作仅发生在接近硅片表层的几微米,硅片上的金属线路层将作为器件和芯片外边的各种电信号之间的连接
1.4.1 硅片制造厂
随着集成度的提高,允许沾污的程度需要显著降低
1.4.2 集成电路的制造步骤
微芯片制造设计五个大的阶段
1. 硅片制备 2. 硅片制造 3.硅片测试 4. 装配与封装 5.终测
五个过程是相互独立的,不可或缺
1. 硅片制备
1. 将硅从沙中提炼并纯化
2.经过特殊工艺,产生适当直径的硅锭,然后将硅锭切割成用于制造芯片的薄硅片,流程如下 :
2.硅片制造:
1.裸露的硅片到达制造厂,然后经过清洗,成膜,光刻,刻蚀和掺杂步骤。加工完的硅片具有永久刻蚀在硅片上的,一整套集成电路。硅片制造的其他名称为微芯片制造和芯片制造
制造芯片的公司 分为制造商和受控生产商
3.硅片的制造和拣选
进行单个芯片的测试和电学测试,然后挑选出可接受和不可接受的芯片
4.装配与封装
5.终测
1.5 半导体趋势
三大趋势:提高性能,提高可靠性,降低成本
1.5.1 提高性能
1.芯片做得越小,可以提高性能 2.改善材料,提高电信号的传输速度也可以提高性能
芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸,最小特征尺寸称为关键尺寸或者是CD
1.5.2 提高可靠性
致力于提高寿命:控制沾污
1.5.3 降低芯片价格
减小特征尺寸和增加硅片直径
(二) 半导体的材料特性
2.2 原子结构
固体能带理论:能带理论解释了固体材料中电子怎样改变轨道能级
2.4 材料分类
2.4.1 导体
在导体中把一个价电子从价带移动到导带只需要很少的能量。电子的移去在价带中形成一个穴位,称为空穴,每个导带电子必然存在一个价带电子与之对应。价带电子能够跃入空穴的位置,从而推动电子的移动和导电。这种状态称为电子-空穴对
2.5 硅
为何选择硅?
1.硅的丰裕度
2.更高的熔化温度允许更高的工艺容限
3.更宽的工作温度范围
4.氧化硅的自然生成
氧化硅是一种性能优良的绝缘材料,同时可以保护硅不受外部沾污
2.5.3 掺杂硅
掺杂剂可以显著改变硅的导电性
(三) 器件技术
模拟电路是指电参数在一定范围内变化的一种电路。模拟电路可设计成DC和AC的混合,以及脉冲电流来作为工作电源
数字电路在两种性质不同的电平信号----高电平和低电平下工作。逻辑高电平用二进制数字1表示,低电平用二进制数字0表示,数字电路与计算机,计算器等逻辑器件有关
3.3 无源元件结构
电阻和电容这些器件称为无源器件,
集成电路电容器结构:两个分立的导电层被绝缘介质隔开,微芯片制造中常用的绝缘材料是二氧化硅,通常称为氧化层
寄生电阻和寄生电容?
3.4 有源元件结构
3.4.1 p-n结
3.4.2 双极晶体管
3.4.3 肖特基二极管
3.4.4 双极集成电路技术
3.4.5 CMOS 集成电路技术
3.4.6 增强型和耗尽型MOSFET
3.5 CMOS器件的闩锁反应
(四)硅和硅片制备
用来做芯片的高纯硅称为半导体级硅(SGS),有时也被称为电子级硅
4.3 晶体结构
更大直径的硅片意味着每个硅片上有更多的芯片,根据规模经济学,每块芯片的加工和处理时间都缩短了,导致设备的生产效率提高了。
4.6 晶体缺陷