硬件学习(1)

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前言：我走了很多弯路，我所写也是想帮助更多和我一样的人。如果有错误，望大家在评论区留言，我接受批评，共同探讨。此章关于电容ESR那块，我的了解还是比较浅薄，望大佬留下自己的见解。

电容

简要了解：

容值，精度，耐压，材料，ESR

精度：5%，10%，20%

材料：瓷片电容常用X5R，X7R，COG，NPO材料不同关系到温度系数

耐压值：电容两端电压超过额定电压，电容会被烧毁

漏电流：电容两管脚之间一定存在一定的漏电流，漏电流一般比较小

电解电容在PCB布局要远离发热源，电解液会挥发，导致容值下降等

常见电容：陶瓷电容、钽电容，铝电解电容

并且电容等都不一定是两个脚。

时间常数

        电容时间常数的大小与电路中电阻、和电容本身容量有关，按照“τ=RC”公式来计算，其中R是电阻，C是电容。每次经过1个时间常数，电容充电的电压，达到与电源压差的0.632倍（63.2%）。通常认为5个时间常数后，电容就充满了。

充电电压：V=Vin*(1-e^-t/τ)，τ=RC      充电时间：t = -R * C * ln(1 - Vc/Vin)

等于说给电压一个相对滞后的作用

波形

原理：电容隔直通交的特性就是因为电容的充放电特性

C表示电容电压波形、I就是电容电流波形

所以宏观看，电容可以通过交流电

那么一定不能通过直流电嘛?大家请看这张图

        直流电上电，在最开始，可以通过直流电，只不过经过对电容的充电慢慢趋近于饱和，流过的电流趋于0，相当于断路。

容抗

        在纯电阻的电路中，电压和电流在相位上没有任何差异，两者波形变化趋势是一致的。而在存在电容或电感的电路中，电压和电流在相位上有差异，衡量这种电路需要用到“阻抗”的概念，它是一种更广泛意义上的“电阻”，特别的，对于纯电容造成：

电容的阻抗，称为“容抗”。公式为XC = 1/wC

        在相位问题上，这里有个小技巧，就是想象一个英文单词——“ICE”（冰），I代表电流，C表示电容，E表示电压，在“ICE”这个单词中I领先于E，代表了电容上电流和电压的相位特性

        详细讲其中电压波形和电流波形都是正弦波，相位上，电流波形比电压波形提前90°（π/2），或者说滞后270°（3π/2）。不过我们还是习惯用提前90°（π/2）的说法。因为电容有一个充电过程，电压才显现。

        最后补充：在后面其他类型电容会谈到DF = ESR/Xc是等效串联电阻和容抗的比值，电容肯定想这个值越小越好，说明等效串联电阻小。容抗的计算Xc = 1/wC = 1/2ΠfC等于说在频率小的时候容抗大，表现容性；随着频率升高，Xc减小，ESR表现更明显。而随着频率再升高，ESL表现更明显，感抗L = 2ΠfL

所以后面电容的图，是阻抗会随着频率增大先减小后增大，拐点前表现电容性后面表现电感性

ESR和ESL

图中是几种不同容值的电容阻抗随频率变化的曲线。横坐标是频率轴，纵坐标是阻抗。阻抗曲线的最低点是电容的谐振频点，谐振频点上 jwL=1/jwC，得到谐振频率。

谐振频点左边，jwL < 1/jwC，电容呈现容性。谐振频点右边, jwL > 1/jwC，电容呈现感性。

ESL等效串联电感

很多情况下这是一个往往被人忽略的一个指标, 你经常会看到ESR的spec, 很多电容的datasheet往往都没有ESL这个spec在里面. 但是随着信号频率的越来越高, ESL是完全不能被忽视的。

        上图是MLCC（多层陶瓷电容器）的阻抗与频率图。显示了三个电容器，100nF、1nF X7R 级和 1nF NP0 级电容器。在 V 形图的较低点可以很容易地识别出“膝点”点。一旦确定了拐点频率，就可以通过以下公式测量 ESL:

上面已经表示1/2πfC=2πfESL

Frequency = 参考谐振频率的公式

        电容器输出因 ESL 增加而降低，与 ESR 相同。增加的 ESL 会导致不必要的电流流动并产生 EMI，从而进一步在高频应用中造成故障。在电源相关系统中，寄生电感会导致高纹波电压。纹波电压与电容器的 ESL 值成正比。电容器的大 ESL 值也会引起振铃波形，使电路表现异常。

ESR等效串联电感

很多高质量的电源一类的，都使用低ESR的电容器。

同样的，在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。所以在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现。

ESR是等效“串联”电阻，意味着，将两个电容串联，会增大这个数值，而并联则会减少之。之后我会写一些应用给大家看看，目前就按部就班先了解了解吧。

陶瓷电容

耐高压，绝缘性好，性能稳定但是容量小

陶瓷电容，0603封装最大多少22uF

分为一类和二类：

一类为温度补偿型NPO介质，容值变化非常稳定，基本不随温度等等改变而改变；

二类通常为介电常数型X7R介质，稳定性不太显著但是强电介质可以制造出容量更大；

半导体型X5R介质，比X7R电解质更强，用于生产容值比较大，但是容值对温度比较敏感。

钽电容

温度性能好；ESL小，几乎为0；体积小

ESR比同额定电压的铝电解电容小，好。所以价格高

但是耐电压能力差，高温降额使用；耐电流能力也差；所以不适用于接口处，插拔会有浪涌

主要应用与电源滤波、低频旁路和信号耦合

最后还有聚合物钽电容，其优势在于更小得裕量，不需要太大降额使用；耐压能力和耐电流能力显著提高。

等于说特性好，但是耐压流能力差

应用

USB3.0口

热插拔测试会有损坏，什么原因？

USB口电压5V，钽电容需要降额百分之五十使用，很明显6.3V不够，至少10V。还有在插拔实验不适合放钽电容，因为其耐电压能力和耐电流能力差，抗电涌电压能力不好。

选100uF/10V，就可以解决

总结：第一打折使用打折多、抗电压电流能力差，不好防热插拔

铝电解电容

容量大，体积大

频率特性差，频率变大，容值会下降非常快

漏电流比较大：对电容施加额定直流工作电压充电电流会随着时间而下降，到某一个终值时达到稳定状态，这一终值叫电容漏电流；

等于说容量大但是频率特性差，漏电流大

应用

维持静态存储器

没上电由电池供电，上电电池供电通路就截止，并且二极管漏电流还有一定充电效果。

C308电容有漏电流的，9uA的话，对纽扣电池来说消耗非常快。消耗远远大于它该有的滤波作用。

总结：漏电流大，容易有损耗、受温度影响大

电容得选型

1.容量和误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围

2.额定工作电压：打折，钽电容50%（-55到85），33%（85到125）；铝电解电容和陶瓷电容：70%-80%。电容器在电卢中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压

3.漏电流大小：绝缘电阻越大，漏电流越小，电解电容的绝缘电阻比较小；铝电解电容的漏电流比较大

4.正切损耗角

5.温度系数：温度变化，电容量也会变化，要注意手册的图

6.频率特性：电容容量随着频率变化而变化。所以铝电解电容适合低频

7.ESR：损耗越大的产品ESR越大。滤波本质是给电路搞一个低阻抗的泄放通道