JFET自给/分压/电流源偏置+MOSFET特性(D/E-MOSFET+双栅极管)+单片机(I/O端口+电机分类+步进电机1)

2024-7-16，星期二，17:19，天气：晴，心情：晴。今天的天气可以说是微风和煦，风和日丽，又凉爽又干爽啦，主打一个开心，继续学习啦，加油加油！！！😝

今日继续模电自选教材第四章场效应管（FET）的学习。主要学习内容为：JFET偏置（自给/分压/电流源偏置）+MOSFET特性（D/E-MOSFET+双栅极管）。单片机主要学习内容为I/O端口+电机分类+步进电机（单四拍）工作原理

一、场效应管FET（续）

1. JFET偏置

偏置的目的是选择合适的栅源电压来获得期望的漏极电流，因为栅极需要反向偏置，所以JFET和BJT的偏置方式并不相同。

（1）JFET的自给偏置：以n沟道JFET为例。对于n沟道JFET，建立反向偏置需要施加反向电压（-VGS），可以利用下图电路实现，通过电阻RG接地，将栅极偏置在0V（虽然自给反向漏极电流IGSS会在RG上产生一各非常小的电压，但是一般可以忽略不计），可以假设RG上面没有电流流过，两端也没有压降。RG的作用是将栅极电压稳定在0V，且不影响之后施加的任何交流信号，RG一般取非常大（1.0MΩ或更高），从而对低频交流信号会呈现非常高的输入电阻。

如果栅极电压为0，想要栅源结反向偏置的话，就需要是源极相对于栅极为正，对于上图而言，ID在RS两端产生一个压降（方向如图所示），使得源极相对于栅极为正。因为VG = 0，VS = IDRS，所以栅源电压为VGS = VG - VS = 0 - IDRS，即VGS = －IDRS。上式表明，栅源电压为负，n沟道JFET反偏。

漏极对地的电压为VD = VDD - IDRD，由于VS = IDRS，所以漏源电压为VDS = VD - VS =VDD - ID(RD + RS)。

（2）图解法：下面说明如何利用图解法选择合适的自给偏置电阻（RS）的阻值，假设某型JFET的跨导曲线如下所示，从原点导VGS(off)(-4V)和IDSS(2.5mA)的交点画一条直线（红色箭头指出），这条线的斜率的倒数就是RS合适的取值。

自给偏置是一种负反馈，能够补偿不同JFET之间特性不同的影响，例如，假设用一个低跨导的晶体管替换现在的晶体管，那么新的漏极电流ID会减小（跨导降低，曲线斜率减少，曲线变得更平滑），使得RS上的压降减少，电压减小会使JFET导通的更多，从而补偿了新JFET的低跨导影响。

（3）分压式偏置：虽然自给偏置在很多情况下可以满足期望，但我们从（2）的分析中可以看出，工作点取决于跨导曲线，并不稳定；通过在栅极电路上增加分压电路，使得栅极电压为正，可以使偏置更稳定，因为JFET必须在栅源极之间形成反向偏置才可以工作，因此一般使用一个比一般自给偏置中更大的源极电阻使源极分得比栅极更高得电压来形成反向偏置。分压偏置式电路图如下所示：

对该电路使用分压公式可得栅极电压为：VG = (R2 / (R1 + R2)) / VDD。

如果对JFET进行故障检测的话，源电压必须大于等于栅极电压，且RD和RS中都必须有漏极电流流过，由于ID取决于JFET的跨导，因此无法直接从电路值中确定VD和VS的精确值。通常，在JFET线性放大设计中，VDS一般在VDD的25%~50%范围内，所以即使不能确定晶体管参数，也能通过这一关系确定偏置是否正确。

（4）电流源：理想电流源是一种无论连接任何负载，都能提供一个固定电流的器件，理想电流元的I-V曲线如下图所示：

由欧姆定律可知，I-V曲线的斜率于电阻成反比，电流源I-V曲线为水平直线，意味着其内阻为无穷大，故理想电流源的电路模型如下：

从上面的学习中我们可以知道，BJT和JFET的特性曲线上都有恒流区，该区域的特性曲线几乎是一条水平线，所以对于大多数应用，可以假定JFET和BJT是理想电流源。在需要考虑内阻的情况下，可以使用诺顿等效模型，实际电流源的诺顿等效模型如下，诺顿电阻为电流源的内阻：

（5）电流源偏置：这种偏置广泛的运用在集成电路中，需要一个额外的晶体管作为电流源以确保ID恒定不变，这是一种非常稳定的偏执方式，而且也可以用于提高增益。

下图是使用JFET（Q2）作为恒流源，此时，导线将-VSS短路，相当于RS两端为0V，Q2反向偏置，为Q1提供电流，电流大小由Q2的IDSS和RS决定，但是电流源提供的电流不能大于Q1的IDSS，以确保VGS为负，Q1正常工作。

相比于上一个方法，使用BJT作为电流源是一种更好的选择，因为基极接地，且发射结正偏，所以BJT反向截止，发射极电压VE = VB - VBE = 0.7V，这意味着RE两端由恒定的电压，可以为JFET提供恒定的电流，同样，该电流要小于Q1的IDSS：

2. MOSFET特性

金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）和JFET的区别在于它没有pn结，而是MOSFET的栅极和沟道之间用非常薄的SiO2层来相互绝缘。MOSFET的两种基本类型为耗尽型（D）和增强型（E），其种E-MOSFET的使用更为广泛。由于现在栅极材料用多晶硅取代金属，所以也称MOSFET为IGFET（绝缘栅FET）。

（1）D-MOSFET：耗尽型MOSFET的基本构造如下图所示，漏区和源区扩散到衬底材料中，然后通过绝缘栅的窄沟道相连，下图给出额n沟道和p沟道的D-MOSFET，但是实际上p沟道D-MOSFET并不常用：

D-MOSFET可以工作在两种模式：增强模式或耗尽模式，由于栅极和沟道绝缘，所以栅极电压可正可负，当栅极电压为负时，器件工作在耗尽模式；当栅极电压为正时，工作在增强模式。但通常工作在耗尽模式。以n型D-MOSFET为例：

• 耗尽模式：如下图所示，将栅极堪称电容器的一个平板，将n沟道看成另一个平板，二氧化硅绝缘层为电介质。当栅极加负电压时，栅极上的负电荷会排斥沟道中的导电电子，并在沟道中留下正离子，因此沟道中耗尽了部分电子，使沟道的导电性下降，栅极上的负电压越大，n沟道电子的耗尽就越严重，在一个足够大的栅源负电压VGS(off)下，沟道电子完全耗尽，漏极电流为0，n沟道D-MOSFET在电压介于0~VGS(off)之间时可以传导漏极电流，此外，D-MOSFET在VGS大于0V时也能传导电流（按紫色箭头吸引电子运动）：

• 增强模式：原理与耗尽模式完全相反，当栅极加正电压时，更多的电子被吸引到沟道，导电能力增强。

D-MOSFET的电路符号：D-MOSFET的电路符号如下图所示：

一般由箭头指示的衬底一般在内部与源极相连，箭头指向衬底为n沟道器件；箭头由衬底指出为p沟道器件。

由于MOSFET和JFET都是场效应器件，所以具有相同的特性，n沟道D-MOSFET的传输特性（ID对VGS）如下图所示，从图中可以看出，该曲线形状与n沟道JFET曲线相同，但传输特性中VGS既有正电压也有负电压，分别对应器件工作在增强模式或耗尽模式，且当VGS = 0V时，ID约为4.0mA，此点即为IDSS，所以可以看到，D-MOSFET可以工作在电流大于IDSS的情况下，但JFET却不行（击穿）：

（2）E-MOSFET：这种类型的MOSFET只能工作在增强模式，没有耗尽模式，下图为E-MOSFET的结构图，与D-MOSFET不同，它没有物理沟道，衬底完全延伸到SiO2层。

对于n沟道器件，一个大于阈值电压VGS(th)的正极电压，能够在衬底和SiO2层相邻的区域产生薄的负电荷层，从而感应出一个沟道，并且可以通过增大栅源电压来使更多电子进入沟道，以达到增加导电性的作用，当栅源电压低于阈值电压时无法形成沟道：

n沟道和p沟道E-MOSFET的电路符号，其中不连续的线表示器件没有物理沟道。

因为如果栅极上没有加电压则无法形成感应沟道，所以E-MOSFET常被视作一个常开器件，且它的传输特性形状与JFET和D-MOSFET相同，但必须以正的VGS(off)使其导通。

（3）双栅极MOSFET：双栅极MOSFET要么是耗尽型，要么是增强型，唯一的区别是它有两个栅极，FET的一个缺陷是输入电容很大（电荷量大），这限制了其在高频环境中的应用；双栅极组态的另一个优点是其可以在射频放大器中实现自动增益控制（AGC）输入。

（4）静电（ESD）损坏：由于MOSFET的栅极和沟道绝缘，因此输入电阻非常高（理想情况下为无穷大）。对一个典型的MOSFET来说，其栅极电流为皮安级，而典型JFET的栅极反向电流为纳安级，所以绝缘栅结构构成的输入电容与非常高的输入电阻组和在一起会积累过量静电，从而因为静电放电（EDS）造成期间损坏（事实上，EDS是造成MOSFET损坏的最大原因）。

二、步进电机与蜂鸣器

1. 单片机I/O口的结构

除“准双向I/O”的内部结构外，实际上单片机I/O口还有另外三种状态，分别是开漏、推挽、高阻态，下面将逐一进行分析：

（1）准双向I/O输出：

当单片机内部输入为高电平时，经过反相器NOT变为低电平，栅源电压未反向偏置，MOS管处于截止状态，此时从单片机I/O口内部看，由于上拉电阻R的存在，单片机仍输出高电平（VCC），当外部没有接通来使电平拉低时，VCC也是+5V，单片机内部与外部没有电压差，各个位置处均为高电平。当内部输出低电平时，经过一个反相器变为高电平，MOS管（n沟道）反向偏置工作，单片机内部位低电平，此时，不管外部是否接通，单片机的内部均是低电平。

（2）开漏输出：

开漏输出和准双向输出一致，唯一的区别就是把内部的上拉电阻去掉了，开漏输出如果想要输出高电平时，T2关断，I/O电平要靠外部的上拉电阻才能拉成高电平，如果没有外部上拉电阻就是一个不确定态，标准51单片机的P0口默认就是开漏输出，使用的时候需要外加上拉电阻。

（3）强推挽输出：强推挽输出电路如下，当内部输出一个高电平时，通过MOS管T2直接输出电流，没有电阻限制，电流输出能力较大，如果内部输出一个低电平，那反向输出电流也很大，强推挽输出的一个特点就是驱动能力强。

2. 上下拉电阻

上拉电阻就是将不确定的信号通过一个电阻拉到高电平，同时此电阻起到一个限流的作用，下拉也就是拉到低电平。例如，I/O设置位开漏输出高电平或高阻态时，默认的电平就是不确定的，外部经一个电阻接到VCC，也就是上拉电阻，那么相应引脚就是高电平；经一电阻到GND，也就是下拉电阻，那么相应的引脚就是一低电平。

（1）上拉电阻的作用：

• OC门要输出高电平，必须外部加上拉电阻才能使用，其实OC门就相当于单片机I/O的开漏输出。

• 加大普通I/O口的驱动能力。标准I/O口的上拉电阻，一般都在几十kΩ，如STC89C52内部是20kΩ的上拉电阻，所以最大输出是250μA，因此外加上拉电阻，可以形成和内部上拉电阻的冰链结构，增大高电平时的电流输出能力。

• 在电平转换电路中，上拉电阻还起着限制电流的作用

• 单片机中未使用的引脚，比如总线引脚和引脚悬空时，容易受到电磁干扰而处于紊乱状态，虽然不会对程序造成什么影响，但会增加单片机工号，加上一个上拉/下拉电阻可以有效地抵抗电磁干扰。

3. 28BYJ-48型步进电机详解

电机的分类方式有很多种，从用途角度可分为驱动类电机和控制类电机。直流电机属于驱动类电机，这种电机主要用于将电能转化为机械能。步进电机属于控制类电机，它是将脉冲信号转换成一个转动角度的电机，在非超载的情况下，电机的转速、停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数。步进电机又分为反应式、永磁式和混合式三种：

• 反应式步进电机：结构简单成本低，但是动态性能差、效率低、发热大且可靠性难以保证，现在已经被淘汰了

• 永磁式步进电机：动态性能好、输出力矩较大，但误差相对大一些，因其价格低廉而广泛用于消费性产品

• 混合式步进电机：综合了反应式和永磁式的优点，力矩大、动态性能好、布局角小，但结构相对复杂，价格也高，主要应用于工业。

（1）28BYJ-48型步进电机型号说明：

• 28——步进电机的有效最大外径28mm

• B——表示步进电机

• Y——表示永磁式

• J——表示减速型

• 48——表示4相8拍

（2）4相永磁式概念：下图是28BYJ-48步进电机的内部结构图，从图中我们可以看出，内圈有6个齿，分别标注0~5，叫做转子，转子的每个齿都带有永久磁体，这就是永磁式；外圈有8个齿，每个齿上都有线圈绕组，且每个相对的齿上的线圈绕组是串联在一起的，也就是说，正对着的两个绕组总是会同时导通或关断，这就形成了4相，图中用A-B-C-D表示：

（3）步进电机单四拍工作原理：下面将结合下图给出步进电机的工作原理：

假定电机的起始状态如上图所示，逆时针方向转动，起始时B相绕组开关闭合，B相导通，那么导通电流就会在正上和整下两个定子齿上产生磁性，这两个定子齿上的磁性就会对转子上的0号和3号产生最强的吸引力，致使转子0号齿，3号齿处于垂直的正上和正下位置的平衡位置（红线所示），此时我们可以发现，转子的1号齿与C相的一个绕组呈现很小的夹脚（蓝色实线与蓝色虚线夹角），转子2号齿与右边的定子齿也就是D相的绕组呈现一个稍大的夹脚（绿色虚线与绿色实线），这个角是蓝色夹角的二倍。

接下来把B相绕组断开，而使C相绕组接通，那么右上的定子齿将对转子1号齿产生最大的吸引力（左下的定子对转子4号齿产生最大的吸引力），在这个吸引力作用下，转子1号和4号齿将对齐右上和左下的定子C相齿（蓝色虚线和蓝色实现重合！！！！），这样，转子就逆时针转过了起始状态蓝色虚线和实现夹角的角度。以此类推 ，断开C相，导通D相，转子又转过了上述同样的角度。

按照上述步骤重复操作，当A相绕组再次导通时，完成一个B-C-D-A后，转子0、3号齿变为对齐坐上和又下两个定子齿，步进电机逆时针走了 1 / 8个圆周，所以，在完成8个B-C-D-A四节拍后，转子将转过完整的一圈，所以单个四节拍走过的角度位360° / (8 × 4) = 11.25°，这个值称为步进角度，上述这中工作模式就是步进电机的单四拍模式——单相绕组通电四节拍。

 

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