结型场效应管（JFET）

结构与分类

结型场效应管有N沟道和P沟道两种类型，将重点介绍N沟道结型管，结构如下。

在一块N型半导体上面制作两个高掺杂的P区，并将其连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极d，一个称为源极s。漏极与源极之间的非耗尽层区域称为导电沟道。

N沟道结型场效应管与P沟道结型场效应管符号：

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工作原理

• 栅-源电压Ugs对导电沟道的影响

在栅极和源极之间添加反向电压（Ugs<0），保证耗尽层承受反向电压。当反向电压增大时，耗尽层不断扩大，直到沟道消失。此时沟道电阻趋于无穷大。这时的Ugs的值称为夹断电压Ugs(off)。

变化如图所示：

为什么加反向电压？

加入反向电压后，PN结增宽，保证了栅-源之间内阻高的特点；同时，反向电压的不同，使PN结增宽不同，从而控制导电沟道，实现Ugs对电流的控制。

• 漏-源电压Uds对导电沟道的影响

使Ugs为Ugs(off)~0V中的某一确定值。

当Uds=0时，虽然存在导电沟道，但d-s间电压为0，多子不会定向移动，故漏极电流 Id为0。

当Uds>0时，有漏极电流（从d流向s）。由于沟道本身体电阻的存在，沟道内各点与栅极间的电压从源极到漏极逐渐增大，从而使耗尽层从漏极到源极逐渐变窄，如下所示。

当Uds逐渐增大时，漏-栅之间的电压(Udg)也逐渐增大，当Udg=Ugs(off)时，出现预夹断。若Uds继续增大，Udg>Ugs(off)时，夹断区向源极延伸。一方面，由于耗尽层闭合，自由电子从d向s定向移动受阻加大，使Id减小；另一方面，Uds的增大，使ds间纵向电场增大，使Id增大。在两种作用下，Id趋于稳定（不变化），步入恒流区。

• Ugs对Id的控制作用

当Uds为常量时，对应于确定的Ugs，就有确定的Id。故称场效应管为电压控制元件。

原理：对于同一个场效应管，其Ugs(off)为固定值，当|Ugs|越小时，导电沟道越宽，Usd一定时，Id越大。