霍尔效应及霍尔传感器

霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。

当施加外磁场垂直于导体中流过的电流时，会在导体中垂直于磁场和电流的方向产生电动势，这种现象称为霍尔效应。相同的，在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，当电流垂直于外磁场通过时，会使得半导体中的电子或空穴受到不同方向的洛伦兹力而往不同方向上聚集，载流子发生偏转聚集在半导体的一侧产生空间电荷，这时电荷建立起一个抵消洛伦兹力垂直于电流和磁场的方向的附加电场，直到互相平衡为止。这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。霍尔效应使用左手定则判断。

如图所示沿着X轴方向通过电流I，在Z轴方向施加磁通密度为B的磁场，那么载流子将在Y轴方向受到洛伦兹力的作用。因此载流子将聚集在图中半导体的A一侧，而产生空间电荷。这时电荷便建立起一个抵消洛伦兹力的电场EH，直到相互平衡为止。

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洛伦兹力为

FL=Bqv

式中，q是载流子电荷；v是载流子速度。

电场EH 所产生的力为：

        
FE=qEH

因此，有

EH=-vB

由于电流密度为

J=nqv

因此

EH=-1nqJB=-RHJB

式中，n为载流子的浓度，RH=1nq 为霍尔系数，单位为m3C .

实际工作中，可进一步检测出半导体中的电压

UH=bEH=-bRHJB

因此，对于给定的材料，输入给定的电流时，通过直接测量垂直磁场和电流方向的电压，就可以得出外磁场（磁通密度B）的大小。

根据霍尔原理制成的芯片称为霍尔芯片。在霍尔芯片的对角处施加电流，受到磁场作用后会在另一对角产生霍尔电压。通过测量霍尔电压的大小来计算出对应磁场强度的大小。

         霍尔传感器由霍尔芯片制成。根据应用场景的不同，霍尔传感器分为径向和轴向两种类型。

横向传感器通常是扁平的矩形。它主要应用于磁路间隙、表面测量和一般开放场测量。

轴向传感器大多为圆柱形。它们的应用包括环形磁铁中心孔测量、螺线管、表面场检测和一般场感测。