gm/id仿真设计方法（一）

Mumuasis

已于 2025-04-15 21:53:21 修改

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分类专栏：模拟IC设计文章标签：经验分享

于 2025-04-13 14:10:41 首次发布

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一、引言

在模拟集成电路设计中，gm/id设计方法是一种基于晶体管跨导（gm）与漏极电流（id）比值的参数化设计方法。该方法通过利用工艺库的仿真数据，结合图表化工具，克服了传统平方律模型在短沟道器件和复杂工作区域中的局限性，成为现代低功耗、高性能电路设计的核心方法之一。而本文是我在阅读《A Basic Introduction to the gm/ID-Based Design Methodology》后写的阅读记录。

二、设计理论总结

1、gm/id与Vov比较

Vov和gm/id都是能反映晶体管偏置点信息的量。那么，两种方法有何不同呢？

采用基于Vov的设计策略时，隐含地接受了长沟道模型的有效性。但是，使这个模型如此简洁的大多数假设对于当今的小尺寸几何结构而言，几乎是不成立的。因此，基于Vov的方法使得设计出来的电路偏离我们的预期太多太多。

基于gm/id的设计，不依赖长沟道模型的有效性。事实上，它除了仿真之外，不依赖任何东西的有效性。这种方法基于查找表。其基本理念是，支配 MOSFET 的方程非常复杂，我们必须舍弃它们，转而使用一些表格或图表。由于这些图表是使用 Spice 中的器件仿真生成的，所以比长沟道模型要准确得多。

Vov的设计方法步骤：

1、选择一个可用的电路拓扑结构；

2、选择恰当的W和L值；

3、利用仿真工具进行仿真验证；

4、查看设计是否满足所有规格；

5、如果不满足，修改W、L的值，然后返回步骤 3。

有时候，完全不知道往哪个方向调参数，即使最后调出来的参数能满足要求也要迭代很多次而花费太多的时间，变成“spice monkey”。

事实上，Vov表示反型程度。例如下图所示，当Vov<0，表示弱反型区；当0<Vov<0.3时，表示中等反型区；当Vov>0.3时，表示强反型区。

图片来自：gm/id仿真解析-CSDN博客

我们知道，关于gm的等式可表示为：

那么，gm/id就可以表示为：

我们可以定义gm/id为跨导效率。跨导效率告诉我们，当投入一定的id，能得到多少gm。这在设计电路时很有用，当功耗一定时，即电流固定，跨导效率高的管子能产生更大的跨导gm。换句话说，增益一定时，若要降低电流(功耗)，则要选择高跨导效率的管子。

但这同样带来新的问题，若Vov接近零，跨导效率几乎为无穷大，但这显示是不可能的！原因在于晶体管的速度限制了它。晶体管的截止频率为ft：

而Cgs=2/3WLCox，因此截止频率为ft：

因此，Vov影响着晶体管的速度。很明显gm与ft之间对于Vov的选取是矛盾的，在设计电路是需要折中考虑。如果我们能接受一个速度较慢的设计，那么我们可以使用较低的Vov，这将产生较高的跨导效率（即低功耗）；如果电路需要快速运行，我们就必须使用较高的Vov，并接受较低的跨导效率（即高功耗）。

Vov在设计过程中的意义在于，它让我们能够在模拟设计中最需要关注的两个指标(增益和带宽)之间进行权衡。对于固定的电流id，我们可以使用Vov来决定是把电流 “花” 在提高gm(以获得更高的增益)上，还是花在提高ft(以获得更大的带宽)上。

那么，ov设计的局限性在哪？我们从下图可以看出，长沟道模型在理论上，Vov与gm/id是反比关系，但是实际得到的仿真数据与理论值在低Vov值时偏离太大。

对于ft而言，理论值与仿真值在大Vov存在大的偏差。

此外，还有一个问题。上面两个图中都显示，Vov在小于0时，仍存在工作点。而长沟道模型预测在Vov小于0时，晶体管关断，电流为0。事实上，Vov<0的工作区域为亚阈值区，在区域在低功耗设计中显得尤为重要。从图中可以看出，在亚阈值区域，工作速度较慢(ft很低）。事实上，论文中提到，在较新的技术中，它们并没有那么慢。实际上，它们通常比我们需要的速度快得多，这使得设计者可以用一部分速度来换取低功耗(对应大的跨导效率)。

因此，我们可以换一个偏置量，也就是gm/id，来简单概括上面两个重要的信息(gm/id和ft)。最简单的就是直接绘制fT与gm/id的关系图，将中间量“Vov”省去，一个图就包含两种重要设计信息。