第二章 生物信息测量中的干扰和噪声
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1 人体电子测量中的电磁干扰
干扰与噪声
- 干扰:来自测试系统之外对被测信号造成影响的信号
- 噪声:来自测试系统内部对被测信号造成影响的信号
1.1 干扰的引入
干扰源 → \rightarrow → 耦合通道 → \rightarrow → 敏感电路
1.1.1 干扰源
定义:能产生一定的电磁能量而影响周围电路正常工作的物体或设备称为干扰源
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电磁兼容设计原则 (EMC:Electromagnetic Compatibility)
★
\bigstar
★ 在电子系统之间实现不互相干扰,协调混同工作的原则
★
\bigstar
★ 即抑制来自外部的干扰和抑制系统本身对外界其它设备产生干扰
\quad
1.2 干扰耦合途
- 传导耦合
经导线传播将干扰引入测试系统称为传导耦合 - 经公共阻抗耦合
在测试系统内部各单元电路之间、或者两种测试系统之间存在公共阻抗,由电流流经公共阻抗形成压降造成干扰
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1.2.3 电场和磁场耦合
设
λ
\lambda
λ 为电磁波的波长
场源:能引起干扰的回路
接受回路:受干扰的回路
- 远场:当距离 > λ / 2 π \lambda/2\pi λ/2π
- 近场:当距离 < λ / 2 π \lambda/2\pi λ/2π
- 波阻抗:电场强度E和磁场强度H之间的比值称为波阻抗
近场特性
决定于场源的特性和从场源到观察点的距离
场源为大电流低电压(E/H<377 Ω \Omega Ω),则近场为磁场(电感性耦合引入)
场源为小电流高电压(E/H>377 Ω \Omega Ω),则近场为电场(电容性耦合引入)
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1.2.4 近场耦合
-
★
\bigstar
★ 电容性耦合(重点)
一个导体上的电压或干扰成分通过分布电容使其它导体上的电位受到影响,这种现象称为电容性耦合
U 1 s U_{1s} U1s为导线1带有的干扰源
C为两导线之间的分布电容
C 1 C_1 C1, C 2 C_2 C2分别为两导线对地分布电容
R为放大器输入阻抗
可得 U 2 s = ∣ j ω C j ω ( C + C 2 ) + 1 R ∣ U 1 s U_{2s}=\vert\frac{j\omega C}{j\omega (C+C_2)+\frac{1}{R}}\vert U_{1s} U2s=∣jω(C+C2)+R1jωC∣U1s
- 从抗干扰考虑,放大器输入阻抗高并不利,增大两导线间距离、尽量避免两导线平行以减小分布电容是必要措施
- 减小容性耦合常用的有效方法是采用接地良好的优质屏蔽线
- 在印制电路板内电容耦合最关键的部位是处在前置级的第一个运放。因此在印制板布线时,应在运放的两输入管脚处,布一圈地线,破坏电容性耦合以达到屏蔽的目的
- 电感性耦合
干扰电流产生的磁通随时间变化而变化,而变化的磁通在闭合回路中产生干扰电压。产生原因:
在系统内部:线圈或变压器的漏磁
在系统外部:多数是由于两根导线在长距离平行架设中形成
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1.3 生物电测量中实际容性耦合和感性耦合作用方式
生物电测量中电场的容性耦合
- 人体耦合50Hz工频干扰分析 ★ \bigstar ★
- 导联线形成容性耦合分析
- 人体表面形成容性耦合分析
1.3.1 人体耦合50Hz工频干扰分析 ★ \bigstar ★
C d 1 C_{d1} Cd1 为50Hz220V馈电线与人体之间的分布电容
C d 2 C_{d2} Cd2 为人体与大地之间的分布电容
通常 C d 2 > > C d 1 C_{d2}>>C_{d1} Cd2>>Cd1
U C M = C d 1 C d 1 + C d 2 × 220 ≈ 20 V U_{CM} = \frac{C_{d1}}{C_{d1}+C_{d2}}\times220\approx20V UCM=Cd1+Cd2Cd1×220≈20V
1.4 抗干扰措施
1.4.1 合理接地与屏蔽
- 安全接地
- 工作接地
- 一点接地
- 一点串联
- 一点并联
- 多点接地
原则:
1MHz以下采用一点接地
10MHz以上采用多点接地 - 一点接地
作为系统,应首先区分低电平电路和高电平电路以及功率相差很多、干扰电平相差很大的电路,其地线均应分别接地。即系统中至少要有三个分开的地线:
- ①低电平信号地线;
- ②功率地线,包括继电器、电动机、大电流驱动电源等大功率电路及干扰源的地,又称为干扰地;
- ③机壳地线,包括机架、箱体,又称为金属件地线,此地线与交流电源零线相接。
三套地线分别自成系统,最后汇集于接地母线。
1.4.2 其他抑制干扰的措施
1.4.2.1 隔离
使两部分电路相互独立,不构成回路,从而切断从一个回路到另一个回路的通路
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1.4.2.2 去耦
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1.4.2.3 滤波
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1.4.2.4 系统内部干扰的抑制 ★ \bigstar ★
-
干扰源:电路中的感性负载在瞬变过程中形成很大的感性冲击电压。
u = − L d i d t u = -L\frac{di}{dt} u=−Ldtdi -
抑制方法:
为电感性负载提供另外一个回路,释放它所储存的电磁能
耗能电路或吸收电路(dissipation/snubber circuit) -
吸收电路的构成原则
- 稳态时,吸收电路尽量不消耗能量
- 瞬态时要有一定的电阻,因为电路的时间常数为 τ = L / R \tau = L/R τ=L/R
-
吸收电路的作用:
- 防止电感性负载在瞬变过程中产生的高频辐射,引起电源电压、电流冲击,对外部电路构成的干扰
- 保护开关元件,防止被高压击穿或烧坏接点。
\quad
2 测试系统的噪声
- 噪声基本特性
- 掌握主要噪声的产生机理及在各种器件中的分布情况 ★ \bigstar ★
- 等效输入噪声参数的计算和测量 ★ \bigstar ★
- 多级放大器的噪声设计原则(定性掌握,不要求推导)
2.1 噪声
测试系统内部由器件、材料、部件的物理因素产生的自然扰动(电压或电流)
- 噪声的基本特性可以用统计平均量来描述
- 均方值表示噪声的强度
- 概率密度表示噪声在幅度域里的分布密度
- 功率谱密度表示噪声在频域里的特性
2.1.1 噪声的基本特性
- 噪声是电路内固有的,不能用接地或屏蔽等方式消除
- 内部噪声成为测量精度的限制性因素
- 各种生物电放大器输入端短路噪声限制了放大器能够检测的最小生物电信号
2.1.2 噪声的一般性质
噪声电压或噪声电流是随机的,噪声的随机过程不可能用一个确定的时间函数来描述
但是它服从于一定的统计规律,能通过表示噪声过程的概率密度P(u)而得知噪声电压落在某一范围内的概率。
- 随机噪声为一平稳随机过程
在生物医学电子学中,最常遇到的噪声源–热噪声和散粒噪声,其噪声电压u(t)(或噪声电流)的概率密度服从高斯(正态)分布。
P ( u ) = 1 2 π σ e − ( u − u ˉ ) 2 / 2 σ 2 P(u)=\frac{1}{\sqrt{2\pi}\sigma}e^{-(u-\bar{u})^2/2\sigma^2} P(u)=2πσ1e−(u−uˉ)2/2σ2
\quad
- 噪声大小
用噪声电压(电流)的均方根值表示
\quad
- 噪声服从一定的统计规律,无法用频谱描述,而用功率谱表示它的频域特性。
P ˉ = ∫ − ∞ ∞ S ( f ) d f \bar{P}=\int_{-\infty}^\infty S(f)df Pˉ=∫−∞∞S(f)df
S(f)为功率谱密度,它表示单位频带内噪声功率随频率的变化。噪声功率谱密度曲线所覆盖的面积在数值上等于噪声的总功率。
\quad
-
白噪声、粉红噪声、蓝噪声
- 白噪声:如a段,在很宽的频率范围内,噪声具有恒定的功率谱密度,即S(f)为一常数
- 粉红噪声:如b段,为低频(1/f)噪声,它的谱密度随频率减小而上升
- 蓝噪声:如c段,噪声谱密度随频率升高而增加
\quad
2.2 生物医学测量系统中的主要噪声类型 ★ \bigstar ★
2.2.1 1/f 噪声(低频噪声)
-
产生机理:
凡两种材料之间不完全接触,形成起伏的导电率便产生1/f噪声。如开关、继电器或晶体管、二极管的不良接触,以及电流流过合成碳质电阻的不连续介质等
\quad -
特点
集成运算放大器件,由于设计上的限制,1/f噪声常常远高于分立元件。不仅晶体管、运放器件和电阻中存在1/f噪声,而且在热敏电阻、光源中也有。
\quad -
减小低频噪声的措施
- 在噪声性能要求高的放大器中尽量使用分立元件
- 尽量使用金属膜电阻而不使用碳膜、水泥等有不连续介质的电阻
\quad
2.2.2 热噪声
-
热噪声是由导体中载流子的随机热运动引起的。任何处于绝对零度以上的导体中,电子都在作随机热运动。
电阻中的热噪声电压均方值为
U t 2 = 4 k T R Δ f U_t^2=4kTR\Delta f Ut2=4kTRΔf
k 为玻尔兹曼常数 1.38 × 1 0 − 23 J / K 1.38\times 10^{-23}J/K 1.38×10−23J/K
T为绝对温度(K)
Δ f \Delta f Δf为测量系统的频带宽度(Hz) -
热噪声的谱密度与工作频率f无关,属于白噪声
热噪声的谱密度为
S ( f ) = 4 k T R S(f)=4kTR S(f)=4kTR
-
热噪声的特性
* 热噪声电压均方值与绝对温度T成正比,温度越高,导体内自由电子的热运动越激烈,噪声电压就越高,温度降低,可以消弱热噪声。
* 热噪声电压还与工作频带成正比,与电阻阻值成正比。
\quad -
减小热噪声的措施
* 在微弱信号检测的低噪声电子设备中,常利用超低温技术来减小噪声
* 在保证信号不失真传递的条件下,应尽量减小系统的频带
* 提取信号的传感器电阻应尽可能小,避免增加额外的串联电阻
\quad
2.2.3. 散粒噪声(Shot Noise)
在半导体器件中,载流子产生与消失的随机性,使得流动着的载流子数目发生波动,时多时少,由此而引起电流瞬时涨落称为散粒噪声
散粒噪声电流的均方值为
I 2 = 2 q I D C Δ f I^2=2qI_{DC}\Delta f I2=2qIDCΔf
q q q为电子电荷 q = 1.59 × 1 0 − 19 C q =1.59\times 10^{-19}C q=1.59×10−19C
I S C I_{SC} ISC 为器件的平均直流电流(A)
Δ f \Delta f Δf 为测量系统的频带宽度
- 散粒噪声的特性
* 散粒噪声属于白噪声,其谱密度为 2 q I D C 2qI_{DC} 2qIDC。散粒噪声与流过半导体PN结位垒的电流有关,所以三极管、二极管中,都存在散粒噪声的电流噪声机构。
* 在简单的导体中没有位垒,因此没有散粒噪声
\quad
2.3 描述放大器噪声性能的参数
2.3.1 等效噪声
放大器内部的所有噪声源(包括外围电路),用与放大器输入端串联的阻抗为零的噪声电压源 U n U_n Un和与放大器输入端并联的阻抗为无穷大的噪声电流源 I n I_n In以及二者的相关系数C来等效,而放大器(或任何二端网络)本身便可视为无噪声的。
U n U_n Un意义
用于表示放大器能够测量的最小生物电信号的大小,作为放大器设计的性能指标参数
2.3.2 噪声系数与 U n U_n Un、 I n I_n In关系
噪声匹配:调整信号源电阻使噪声系数最小
2.3.3 多级放大器的噪声

★ \bigstar ★ 结论:第一级放大器的噪声系数对总噪声系数的贡献最大,努力降低第一级的噪声,是实现低噪声设计原则
推导(可忽略)
- 信号源内阻热噪声经过两级放大后为 P n s A p 1 A p 2 P_{ns}A_{p1}A_{p2} PnsAp1Ap2
- 第一级内部噪声经过第二级放大后输出为 P n 1 A p 2 P_{n1}A_{p2} Pn1Ap2
- 第二级本身的噪声为 P n 2 P_{n2} Pn2。
总噪声功率输出 P n o P_{no} Pno 为
P n o = P n s A p 1 A p 2 + P n 1 A p 2 + P n 2 = n s A p + ( F 1 − 1 ) P n s A p + ( F 2 − 1 ) P n s ( A p / A p 1 ) \begin{aligned} P_{no} &= P_{ns}A_{p1}A_{p2}+P_{n1}A_{p2}+P_{n2} \\ &= {ns}A_{p}+(F_1-1)P_{ns}A_{p}+(F_2-1)P_{ns}(A_p/A_{p1}) \end{aligned} Pno=PnsAp1Ap2+Pn1Ap2+Pn2=nsAp+(F1−1)PnsAp+(F2−1)Pns(Ap/Ap1)
所以两级放大器总的噪声系数为:
F = P n o A p P n s = F 1 + F 2 − 1 A p 1 F=\frac{P_{no}}A_{p}P_{ns}=F_1+\frac{F_2-1}{A_{p1}} F=APnopPns=F1+Ap1F2−1
多级放大器的总的噪声系数为:
F = F 1 + F 2 − 1 A p 1 + F 3 − 1 A p 1 A p 2 + ⋯ F=F_1+\frac{F_2-1}{A_{p1}}+\frac{F_3-1}{A_{p1}A_{p2}}+\dotsb F=F1+Ap1F2−1+Ap1Ap2F3−1+⋯
2.3.4 器件的噪声 ★ \bigstar ★
-
电阻的噪声
- 电阻中都存在热噪声,只要 R、T相同 则热噪声就相同
- 合成碳质 电阻器1/f噪声最大,金属膜 和 线绕电阻 1/f噪声较小。
\quad
-
电容器的噪声
- 主要噪声源为 1/f 噪声
- 选择原则:云母、瓷片、钽电容
\quad
-
场效应管的噪声
- 噪声源:
- 沟道热噪声 ★ \bigstar ★
- 栅极散粒噪声
- 1/f 噪声 ★ \bigstar ★
- 结论:
- 沟道热噪声和低频噪声是主要的,栅极散粒噪声可以忽略
- 低夹断电压 U p U_p Up、高跨导 g m g_m gm的场效应管,并工作在漏极饱和电流 I D S S I_{DSS} IDSS邻近,具有低噪声系数
- 一般场效应管栅源电阻
R
G
S
>
1
0
7
Ω
R_{GS}>10^7\Omega
RGS>107Ω,当
R
S
0
=
R
G
S
R_{S0}=R_{GS}
RS0=RGS时有最小噪声系数,当信号源电阻高时,选用场效应管作输入级是理想的
\quad
- 噪声源:
-
双极晶体管的噪声
- 噪声源
- 基区扩散电阻 r b b ′ r_{bb}' rbb′的热噪声
- 基极电流 I B I_B IB和集电极电流 I C I_C IC起伏产生散粒噪声
- 基极电流 I B I_B IB流经基极-发射极耗尽区,产生1/f 噪声 ★ \bigstar ★
- 结论:
为减小 1/f 噪声,应相应减小基区电阻并选择尽可能低的静态工作点
\quad
- 噪声源
-
运算放大器的噪声
集成器件的噪声是组成它的各元件噪声的综合,通常以其输入端噪声参数 U n U_n Un、 I n I_n In表示
2.4 多级放大电路的低噪声设计
- 总原则:
多级放大系统中第一级噪声是主要的,但后面各级也贡献噪声。因此在多级放大系统设计时,必须严格考虑各级的噪声,包括偏置元件的噪声 - 实际设计原则:
- 使第2级及以后各级的等效输入噪声与第一级的噪声相比很小。
- 在满足其他噪声条件下,第一级增益应尽可能高
- 在有源器件负载允许的条件下,尽量选择低阻值的外回路电阻(尤其是输入级)