变容二极管
变容二极管在电路中可以相当于电容, 并且容量可调。
工作原理
变容二极管与普通二极管一样, 加正向电压时导通, 加反向电压时截止。 在变容二极
管两端加反向电压时, 其除了截止外, 还可以视为电容。
(1) 加正向电压
当变容二极管两端加正向电压时, 其内部的PN结变薄, 当正向电压达到导通电压时, PN结消失, 它对电流的阻碍消失, 变容二极管像普通二极管一样正向导通。
(2) 加反向电压
当变容二极管两端加反向电压时, 其内部的PN结变厚, PN结阻止电流通过, 故变容二极管处于截止状态。 反向电压越高, PN结越厚。 PN结阻止电流通过, 相当于绝缘介质, 而P型半导体和N型半导体分别相当于两个极板, 也就是说处于截止状态的变容二极管内部会形成电容的结构, 这种电容称为结电容。 普通二极管的P型半导体和N型半导体都比较小, 形成的结电容很小, 可以忽略; 而变容二极管在制造时特意增大P型半导体和N型半导体的面积, 从而增大结电容。也就是说, 当变容二极管两端加反向电压时, 变容二极管处于截止状态, 内部会形成电容器的结构, 此状态下的变容二极管可以看成是电容器。
(3) 容量变化规律
变容二极管加反向电压时可以相当于电容器, 当反向电压改变时, 其容量就会发生变
化。 下图所示的电路和曲线为例来说明变容二极管的容量变化规律。
双触发二极管
双向触发二极管简称双向二极管, 它在电路中可以双向导通。图像类似可控硅,注意区别。
工作原理
普通二极管有单向导电性, 而双向触发二极管具有双向导电性, 但它的导通电压通常
比较高。 下图所示电路来说明双向触发二极管的性质。
(1) 加正向电压
在图所示电路中, 将双向触发二极管VD与可调电源E连接起来。 当电源电压较低时, VD并不能导通, 随着电源电压的逐渐调高, 当调到某一值(如30V) 时, VD马上导通, 有从上往下的电流流过双向触发二极管。
(2) 加反向电压
在所示电路中, 将电源的极性调换后再与双向触发二极管VD连接起来。当电源电压较低时, VD不能导通, 随着电源电压的逐渐调高, 当调到某一值(如30V)时, VD马上导通, 有从下向上的电流流过双向触发二极管。
综上所述, 不管加正向电压还是反向电压, 只要电压达到一定值, 双向触发二极管就能导通。
(3) 特性曲线
双向触发二极管的性质可用图所示的曲线来表示, 坐标中的横轴表示加在双向触发二极管两端的电压, 纵轴表示流过双向触发二极管的电流。
当双向触发二极管两端加正向电压时, 如果两端电压低于电压UB1, 流过的电流很小, 双向触发二极管不能导通, 一旦两端的正向电压达到UB1(称为触发电压) , 双向触发二极管马上导通, 有很大的电流流过双向触发二极管,同时双向触发二极管两端的电压会下降(低于UB1) 。
同样, 当双向触发二极管两端加反向电压时, 在两端电压低于电压 UB2时双向触发二
极管也不能导通, 只有两端的反向电压达到UB2时才能导通, 导通后的双向触发二极管两
端的电压会下降(低于UB2) 。
双向触发二极管的正、 反向特性相同, 具有对称性, 故双向触发二极管的极性没有正、 负之分。
双向触发二极管的触发电压较高, 30V左右最为常见。 双向触发二极管的触发电压一般有20~60V、 100~150V和200~250V 3个等级。
双基极二极管
双基极二极管又称单结晶管, 它除了有一个发射极E外, 还有B1、 B2两个基极。
双基极二极管的实物外形、 图形符号、 结构和等效图如图5-25所示。
双基极二极管的制作过程: 在一块高电阻率的 N 型半导体基片的两端各引出一个铝电极, 如图5-25(c) 所示, 分别称为第一基极B1和第二基极B2, 然后在N型半导体基片一侧埋入P型半导体, 在两种半导体的结合部位就形成了一个 PN 结, 再在 P 型半导体端引出一个电极, 称为发射极(E) 。
双基极二极管的等效图如图5-25(d) 所示。 双基极二极管B1、 B2极之间为高电阻率的N型半导体, 故两极之间的电阻 RBB较大(4~12kΩ) 。 以 PN 结为中心, 将 N 型半导体分为两部分, PN结与B1极之间的电阻用RB1表示, PN结与B2极之间的电阻用RB2表示,RBB=RB1+RB2。 E极与N型半导体之间的PN结可等效为一个二极管, 用VD表示。
工作原理
为了分析双基极二极管的工作原理, 在E极和第一基极B1之间加电压UE, 在第二基极B2和第一基极B1之间加电压UBB, 具体如图5-26(a) 所示。 下面分几种情况来分析双基极二极管的工作原理。
当UE=0V时, 双基极二极管内部的PN结截止, 由于B2、 B1极之间加有电压UBB, 所
以有电流IB流过RB2和RB1, 这两个等效电阻上都有电压, 分别是URB2和URB1。 从图中不
难看出, URB1与UBB之比等于RB1与(RB1+RB2) 之比, 即
当0<UE<(UVD+URB1) 时, 由于电压UE小于PN结的导通电压UVD与RB1上的电压
URB1之和, 所以PN结仍无法导通。
当UE=UVD+URB1=UP时, PN结导通, 有电流IE流过RB1。 由于RB1呈负阻性, 流过
RB1的电流增大, 其阻值减小, 其上的电压 URB1也减小, 根据 UE=UVD+URB1可知,
URB1减小会使 UE也减小(PN结导通后, 其UVD基本不变) 。
IE的增大使 RB1的阻值变小, 而 RB1的阻值变小又会使 IE进一步增大, 这样就会形成
正反馈。
正反馈使IE越来越大, RB1的阻值越来越小, 电压UE也越来越低, 该过程如图5-26(b) 中的P点至V点曲线所示。 当IE增大到一定值时, RB1的阻值开始增大, RB1又呈正阻性, 电压UE开始缓慢回升, 其变化如图5-26(b) 中的V点右方曲线所示。 若此时UE<UV, 双基极二极管又会进入截止状态。
综上所述, 双基极二极管具有以下特点。
① 当电压 UE小于峰值电压 UP(也即小于 UVD+URB1) 时, 双基极二极管 E、 B1极之间不能导通。
② 当电压 UE等于峰值电压 UP时, 双基极二极管 E、 B1极之间导通, 两极之间的电阻变得很小, 电压UE的大小马上由峰值电压UP下降至谷值电压UV。
③ 双基极二极管导通后, 若UE<UV, 双基极二极管会由导通状态进入截止状态。
④ 双基极二极管内部的等效电阻 RB1的阻值随电流 IE的变化而变化, 而 RB2的阻值则与电流IE无关。
⑤ 不同的双基极二极管具有不同的UP、 UV值。 对于同一个双基极二极管, 如果其电压UBB变化, 那么其UP、 UV值也会发生变化。
肖特基二极管
肖特基二极管又称肖特基势垒二极管(SBD) 。3个引脚的肖特基二极管内部由两个二极管组成, 其连接有多种方式。
肖特基二极管是一种低功耗、 大电流、 超高速的半导体整流二极管, 其工作电流可达几千安, 而反向恢复时间可短至几纳秒。 二极管的反向恢复时间越短, 从截止转为导通的切换速度就越快, 普通整流二极管的反向恢复时间长, 无法在高速整流电路中正常工作。另外, 肖特基二极管的正向导通电压较普通硅二极管低。
由于肖特基二极管的导通、 截止状态可高速切换, 故主要用在高频电路中。 由于面接触型的肖特基二极管工作电流大, 故变频器、 电动机驱动器、 逆变器和开关电源等设备中的整流二极管、 续流二极管和保护二极管常采用面接触型的肖特基二极管; 对于点接触型的肖特基二极管, 其工作电流稍小, 常在高频电路中用于检波或小电流整流。
肖特基二极管的缺点是反向耐压低, 一般在 100V 以下, 因此不能用在高电压电路
中。
瞬态抑制二极管
瞬态电压抑制二极管又称瞬态抑制二极管, 简称 TVS。
瞬态抑制二极管是一种二极管形式的高效能保护器件, 当它两极间的电压超过一定值时, 能以极快的速度导通, 将两极间的电压固定在一个预定值上, 从而有效地保护电子线路中的精密元器件。
单极型瞬态抑制二极管用来抑制单向瞬间高压, 如图5-31(a) 所示, 当大幅度正脉冲的尖峰到来时, 单极型瞬态抑制二极管反向导通, 正脉冲被钳在固定值上; 在大幅度负脉冲到来时, 若A点电压低于-0.7V, 单极型瞬态抑制二极管正向导通, A点电压被钳在-0.7V。
双极型瞬态抑制二极管可抑制双向瞬间高压, 如图5-31(b) 所示, 当大幅度正脉冲的尖峰到来时, 双极型瞬态抑制二极管导通, 正脉冲被钳在固定值上; 当大幅度负脉冲的尖峰到来时, 双极型瞬态抑制二极管导通, 负脉冲被钳在固定值上。
在实际电路中, 双极型瞬态抑制二极管更为常用, 如无特别说明, 瞬态抑制二极管均是指双极型。