关于变容二极管的总结

变容二极管构造原理

基本概念：
变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。二极管的PN结具有结电容，当加反向电压时，阻挡层加厚，结电容减小，所以改变反向电压的大小可以改变PN结的结电容大小，这样二极管就可以作为可变电容器用。变容二极管是一种电抗可变的非线性电路元件，一般使用的材料为硅或砷化镓。变容二极管广泛用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。

变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。通过施加反向电压，使其PN结的静电容量发生变化。因此，经常用在自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等电路中。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。

图1变容二极管的构造原理、简化等效电路及电路符号

变容二极管的基本特性：
变容二极管工作时的外加条件与稳压二极管类似，它必须工作在反向电压偏置区（稳压二极管工作在反向击穿状态下）。当变容二极管两端加上反向电压时，其内部的PN结变厚，如图8-1所示。反向电压越高，PN结越厚。由于PN结阻止电流通过，所以变容二极管工作时处于截止状态。

而P型半导体和N型半导体分别相当于普通电容器的两个极板，也就是说处于截止状态下的变容二极管，其内部会形成等效于平行板电容器的结构，该“电容器”称为结电容。普通二极管的P型半导体和N 型半导体都比较小，所形成的结电容很小，可以忽略；而变容二极管在制造时特意増大了 P型半导体和N型半导体的面积，从而增大了结 电容，使反向偏压条件下的容量及变容效果都大为增强。

变容二极管结电容的大小与反向电压的大小有关，反向电压越 高，结容量越小；反向电压越低，结容量越大。结电容和反向电压的 关系曲线如图8-2所示，它直观表示出变容二极管两端反向电压与结 容量的变化规律。由图中可以看出，结电容和反向电压的关系是非线 性的。为了克服非线性，在实际使用时可采用校正网络、高偏压及多 回路等措施。

变容二极管可以看成是一个小容量的可变电容器。把变容器二极管接在调谐回路里，控制加在变容二极管上的反向电压，便可达到改变频率的目的。
变容二极管的主要特性参数：
①最高反向工作电压VR：是指加在变容二极管两端的反向电压不能超过的电压允许值。
②反向击穿电压VB。：在施加反向电压的情况下，使变容二极管击穿的电压。
③结电容C：它是指在一特定的反偏压下，变容二极管内部PN结的电容。
④结电容变化范围：在工作电压范围内结电容的变化范围。
⑤电容比：是指结电容变化范围内的最大电容与最小电容之比。
⑥Q值：是变容二极管的品质因数，它反映了对回路能量的损耗。

以GaN太赫兹肖特基变容二极管为例:

变容二极管设计