DC-DC电源电路的设计要点

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于 2024-09-09 21:12:56 首次发布

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0 所有电源设计都是围绕稳态和瞬态进行设计

1 Buck电路

1.1 Buck电路拓扑结构

1.2 Buck电路的工作原理

1.2.1 非同步Buck电路工作原理分析

1.6 Buck电路的Boot电容（自举电容）

1.8.2 多相控制器控制各相MOSFET工作时序

3 Inverter（反相升降压）电路拓扑结构

4 Buck-Boost（升降压）电路拓扑结构

5、纹波和噪声

6、上电时需要注意的要点

0 所有电源设计都是围绕稳态和瞬态进行设计

1 Buck电路

1.1 Buck电路拓扑结构

输出电压： $V_{OUT}=V_{IN}*D$

1.2 Buck电路的工作原理

1.2.1 非同步Buck电路工作原理分析

当开关管Q1导通，储能电感L1被充磁，流经电感的电流线性增加，同时给电容C1充电，给负载提供能量，二极管反向截止等效于断路。

当开关管Q1关断，储能电感L1通过续流二极管放电，电感电流线性减少，输出电压靠输出滤波电容C1放电及减小的电感电流维持。

1.2.1 同步Buck电路工作原理分析

当上管Q1导通，此时下管Q2关断，储能电感L被充磁，流经电感的电流线性增加，同时给电容C充电，给负载提供能量。

当上管Q1关断，在下管Q2还没完全导通的时候，储能电感L1通过MOSFET的体二极管进行续流放电，在Q2完全导通之后,通过Q2导通后的等效电阻进行通流放电。电感电流线性减少，输出电压靠输出滤波电容C1放电及减小的电感电流维持。

1.2 Buck电路的输出电感

在选择Buck变换器的输出电感时，需要重点考虑的电感参数包括等效直流电阻DCR(影响效率)、电感值(影响纹波电流)和额定电流。

1.2.1 电感的选择

流过电感的电流由交流和直流两种分量组成，因为交流分量具有较高的频率，所以它会通过输出电容流入地，产生相应的输出纹波电压，该电压是纹波电流与电容上等效串联电阻(ESR)的阻值的乘积。这个纹波电压应尽可能低，避免影响电源系统的正常工作，一般要求峰峰值为输出电压的2%～5%，或者是某一个绝对值( 10mV~500mV)。

电感L取值越大则滤波效果越好，对纹波的衰减作用越强，但缺点是占用PCB面积较大，同时不能灵敏地实现输出电源电压的反馈，动态效果差。一般来说，纹波电流设定为最大输出电流的10%～30%。对于Buck电源来说，流过电感的电流峰值比电源输出电流大5%～15%，所以在功率路径中需要按照输出电流的115%评估电流的瞬态值。

1.2.2 电感参数的说明

以顺络的功率电感为例，主要有DCR、Isat、Irms、S.R.F四个参数。

DCR（直流电阻）

当电感两端有电流流过，由于DCR的存在，会产生压降、功耗和热量。若DCR过大，有两个缺陷，一个是电压压降，另一个是电感温升。一般的电路要求电感DCR产生的压降不超过电源电压的0.5%。

对于一般的电感器件来讲,有以下几个特点。

（1）电感直流电阻对于效率的影响，重载时比轻载时明显。

（2）在电感值给定的情况下，电感器件的外形越小， DCR越大。

（3）在电感外形大小给定的情况下，电感值越大， DCR越大。

（4）在电感值一定的情况下，有磁屏蔽的电感器件的DCR小于没有磁屏蔽的电感器件的DCR。

Isat额定电流（饱和电流）

电感作为一个绕在磁性上的线圈，其特性一定会受到磁饱和的限制，表现为电流增大到一定程度之后，电感值就会急剧下降。电感因为磁饱和而导致电感值下降，我们把电感量下降到一定值对应的电流，如标称值的30%时的电流，标记为磁饱和电流。

Irms热额定电流

Heat Rating Current (热额定电流) 是指电感器在电流通过时由于电流产生的热效应而导致温度上升到某一限定值时的电流。

具体来说，电感的热额定电流通常是指当电感器温度上升到 40°C 时的电流值。在此电流下，电感器内部会产生热量，电感温度会上升。如果电流继续增大，电感的温度可能会超过其设计的工作范围，可能导致电感性能下降或损坏。

一般来说， Isat > Irms

S.R.F 自谐振点

由于线圈之间，以及线圈与磁芯之间的寄生电容，当达到莫个转折频率之后，电感的阻抗将随频率提高而减小。

1.2.3 电感值的计算

图1 Buck电路拓扑结构图

由图1可知，为了简化推导且考虑实际的应用，不考虑开关管的导通电阻和二极管的压降。在开关管的导通的情况下，有公式1

                                                         $V_{L\left ( ON \right )}=V_{in}-V_{out}$

        根据电感公式 $V=L*\frac{\Delta I}{\Delta t}$ 有公式3、公式4

$\Delta I= I_{LP}-I_{LT}=\frac{\left (V_{in}-V_{out} \right)*T_{on}}{L}$

$\Delta I= I_{LP}-I_{LT}=\frac{V_{out}*T_{off}}{L}$

由上图易得公式5

$I_{LP}+I_{LT}=2I_{out}$

        把公式3、公式4带到公式5

$I_{LP}=I_{out}+\frac{\left (V_{in}-V_{out} \right)*T_{on}}{2L}$

$T_{LP}=I_{out}+\frac{V_{out}*T_{off}}{2L}$

        易知

$D=\frac{V_{out}}{V_{in}}$

$T_{on}=\frac{D}{f}$

        带入公式3，得公式6
                         $I_{LP}=I_{out}+\frac{\left (V_{in}-V_{out} \right)*T_{ON}}{2L}=I_{out}+\frac{\left (V_{in}-V_{out} \right)*D}{2L*f}$
        把公式6带入公式5

$I_{LT}=I_{out}-\frac{\left (V_{in}-V_{out} \right)*D}{2L*f}$

电流纹波比

$R=\frac{\Delta I}{I_{out}}=\frac{ I_{LP}-I_{LT}}{I_{out}}$

将上面两式带入得
                               $L=\frac{\left (V_{in}-V_{out} \right)*T_{ON}}{\Delta I}=\frac{\left (V_{in}-V_{out} \right)*D}{R*f*I_{out}}=\frac{\left (V_{in}-V_{out} \right)*V_{out}}{R*f*I_{out}*V_{in}}$
       电感能流过的最大电流可以用下式求得：

$I_{LP}=I_{out}+\frac{\left (V_{in}-V_{out} \right)*T_{ON}}{2L}$

$L=\frac{\left (V_{in}-V_{out} \right)*T_{ON}}{\Delta I}$

$\Delta I$ 为电源的输出纹波电流，一般来说， $\Delta I$ 的确定原则为：

$\Delta I=0.2I_{out}$ to $0.4I_{out}$ 。

$I_{CS}\geq I_{L\left ( MAX \right )}=I_{out}+0.5\Delta I$

1.2.4 开关频率

优点：

（1）有利于提高电源环路的响应速度，从而降低电源电路对输出电容容值的要求

（2）可以采用较小的电容和电感

在满足纹波的要求下，提高开关频率，则可以减小电容、电感，从而降低成本。

缺点：

（1）对某些产品造成干扰

AM收音功能的产品，工作频带在几百赫兹到兆赫兹，若开关电源的频率在这个频段，则收音功能可能会收到影响。

（2）产生较大的功耗

一个是栅极驱动功耗；另一个是MOSFET边沿上同时出现漏源电压（漏极和源极的压差）和漏级电流（通过漏极的电流）所造成的。

建议：

输出电流大于10A的电源，建议开关频率设定得略低一些，1MHz以下，输出电流小于10A，根据需求，可以设置在1MHz以上，但是不要超过4MHz。

1.3 Buck电路的输入电容

电容的容值如果选大了或者用多了，是浪费；电容选小了或者用少了，将会导致两种后果：

电容值不够，导致输入电源的电压跌落
输人电容能够承载的有效电流不能够满足额定要求，导致电容过热引起失效。

对于DC/DC电源来说，下一级的输入电容不够，可以依赖别的同源的输人电容，或者依赖上一级的输出电容来避免电源跌落。

在开关电源电路中，MOSFET作为开关管是不停开关的，流过MOSFET的电流也是不连续的。也就是说，流经MOSFET的电流是一会儿很大，一会儿很小。这样高速变化的电流对于上一级供电电路来说是不友好的，对于整个电路板来说，也是一个对外辐射的辐射源。所以希望这个电流突变的电流环路尽量小。我们可以在开关电源的输人端加一个电容，来减小上一级电源供电的电流突变的负担，同时也是将这个电流突变的电流环路面积降到最小。

输入电容的作用相当于提供一个低阻抗的电流源，用来提供MOSFET电流。开关电源的输入电流反复流进输入电容，但是每个电容都有一个寄生的电阻，即等效串联电阻，简称ESR，在对电容反复充放电的过程中，电流流经ESR就会产生热量。为了计算在电容上产生的热量，以保障电容的工作稳定性和寿命，需要计算这里的有效电流满足电容的“能够承载最大有效电流”这一额定指标。

1.4 Buck电路的输入电感

1.4.1输入电感不是必需的

（1）增加输入电感，则开关电源的输入电源平面完全依赖电感后的电容进行稳压和瞬间供电。如果没有电感，则相当于在电源输入的平面会有很多的电容：

①上一级电源的输出电容

②其他平行的电源的输入电容,可以相互帮衬

③电源平面与地平面之间的平行耦合,形成平面电容器(容值比较小)

这些电容都会抑制电源输人平面的电压跳变，保障输入电源平面的电压稳定。当增加输入电感之后，则完全依赖在电感之后增加足够多的电容对输入电源进行稳定。

（2）增加输入电感，可以降低开关电源输入端的电压波动。

电源芯片厂家并没有给出一个明确的指标，往往都是给一个推荐的输入电容要求。因此，大多数DC/DC电源不需要接输入电感。除非输出电流比较大（一般大于10A），则输入端产生巨大的纹波，会对前级电源进行干扰，需要用电感进行电源平面的隔离。

1.4.2 输入电感的工作原理

增加Buck电路或其他开关电源拓扑的输入电感，主要是起到两个作用：

1、在开关电源的输入端增加一个高频的阻抗，会对高频信号产生一个阻断作用，不会让其干扰到外部电路

2、隔离输入电源平面上的干扰，防止外部瞬态干扰将 $V_{in }$ 变得过高或过低

1.5 Buck电路的输出电容

输出电容的作用就是将输出电压稳定在期望的电压值，减少电压的波动。Buck电路的输出电容的容值选择是非常重要的，如果这个电容值比较大，在整个PCB布局中的比例会很大，在物料清单成本中所占的比重也比较大；如果电容值偏小，会影响电压的稳定度，增大电源纹波电压，使得电源能够承载负载变化的能力变小，因此，输出电容选型偏小会导致电路工作异常。

1.6 Buck电路的Boot电容（自举电容）

Buck电路需要控制上管打开，此时上管的S极为输入电压 $V_{in }$ ，Buck控制器若需要得到高于 $V_{in }$ 的电压，可通过自举电路升压得到比 $V_{in }$ 高的电压，这种自己把自己电压举高的情况主要依赖一个电容，这个电容就称为“自举电容”。

如图所示,是一款MOSFET驱动IC的电路图。最简单的自举电路由自举电容C1构成，为了防止升高后的电压回灌到原始的输入电压,会加一个自举二极管D1。为了便于分析,对电路进行了简化有些集成电路把自举二极管集成到集成电路内部。

（1）充电过程

上管关闭，而下管开启，这时二极管D，和自举电容C组成充电回路。由图可以得到，输人电源经过二极管、自举电容，再经过下管，然后接地(电源负极)，它们组成回路，对电容进行充电，使电容两边的电压为 $V_{in }$ 。

（2）放电过程

由于下管关闭，上文所述的回路被截断，二极管处于反向截止。由于上管开启，所以 $V_{C}$ = $V_{CBoot}$ +Vs。我们认为驱动器输出的电压值近似为其供电电压 $V_{CBoot}$ （Boot电容两端的电压）

电容会使电压变化保持连续， $V_{C}$ 电压会随着放电慢慢变小，不会突变。由于充电过程中，电容已被充电,所以 $V_{C}$ 的电压大概为 $V_{in }$ 。,即上管的 $V_{G}$ (15V)。这个电压足够开启上管的MOSFET。

至此,已完成一个PWM周期内自举电路的工作过程,可以理解为自举电容的充放电过程。

1.7 Buck电路的MOSFET

Q1称为开关管，Q2 称为同步整流管。对于同步整流电路，开关管的功耗包括导通损耗和栅极驱动损耗。导通损耗来自于导通电阻 $R_{DS\left ( ON \right )}$ ，栅极驱动损耗主要来自于MOSFET导通过程中，栅极电流对栅极电容充电造成的损耗。而同步整流管的功耗一般只考虑导通损耗。因此在选型时，开关管的选型应重点关注Qg小的型号，而同步整流管的选型应重点关注 $R_{DS\left ( ON \right )}$ 小的型号。

在应用中还需特别注意，同步整流电路工作时，Q1 和Q2不能被同时导通，为保证这一点，DC/DC 电源芯片在对这两个 MOSFET 的通断控制中，在它们的导通时段之间留有一段空当（即Q1和Q2同时处于关断状态)。同时为保证 DC/DC 电源对负载的连续供电，空当时间段内仍应提供电流I2的通路，虽然MOSFET内部寄生有体内二极管，可在空挡时间段内提供该电流通路，但该体内二极管对电流的响应速度很慢，不利于输出电源纹波的抑制，为此，在一些有高精度要求的DC/DC电源电路设计中，往往在Q2处并联一个有快速响应能力的肖特基二极管。

1.7.1 MOS管的模型

1.7.2 漏源级间的导通电阻 $R_{DS\left ( ON \right )}$

功率MOSFET 的功耗主要消耗在漏源极之间的导通电阻 $R_{DS\left ( ON \right )}$ 上，般为若干毫欧。一般而言，MOSFET尺寸越大， $R_{DS\left ( ON \right )}$ 越小。

N个MOSFET并联使用时，漏源极之间的等效导通电阻为单个MOSFET导通电阻 $R_{DS\left ( ON \right )}$ 的 1/N，即 MOSFET并联使用有利于减小MOSFET上的功耗。

$R_{DS\left ( ON \right )}$ 具有正的温度系数，当某个MOSFET通流比较多，功耗就会大，温度上升，导致电阻变大，使一部分电流分配到导通电阻小的MOSFET，实现多个MOSFET并联使用时的均流。

1.7.3 响应速度

MOSFET的导通，首先需对其栅极电容充电，仅当电平超过阈值参数 $V_{GS\left ( th \right )}$ 后，MOSFET才能开始导通。因此栅极电容的容值，是决定MOSFET导通速度的关键因素。

$C_{iss}$ ——栅极与源极之间的寄生电容 $C_{rss }$ ——栅极与漏极之间的寄生电容

1.7.4 最大漏极电流 $I_{D}$

1.7.5 最大允许功耗 $P_{D}$

1.7.6 MOSFET功耗的计算

在电源电路中，电源控制芯片、电感、MOSFET、电容等器件都会产生功耗，但在低压的DC-DC开关电源中，主要的功耗来自MOSFET。

1.下管功耗计算

下管不存在开关损耗，其原因是，在死区时间内电感电流从下管的体二极管流过，死区时间结束后，只有下管接近饱和导通，漏极、源极两端电压降低到足够底的程度，电流才切换到下管流动。

（1）下管导通损耗

导通损耗指MOSFET导通后，电流流过，在其导通电阻 $V_{GS\left ( th \right )}$ 上产生的损耗。

（2）下管栅极驱动损耗

$P=V_{gate}Q_{g}F=V_{gate}I$

F为开关频率， $V_{gate}$ 为驱动电路栅极驱动电压，T时间内流过的电荷量就是电流。

（3）下管体二极管损耗

P= $V_{F}$ * $I$ *Delay_Time* $F$

2.上管的功耗计算

（1）上管导通损耗

（2）上管栅极驱动损耗

（3）上管开关损耗

1.8 Buck电路的多相拓扑设计

1.8.1 多相控制器的拓扑结构

常说的多相Buck电源包含控制器和多个MOSFET(有些是DrMOS、集成驱动器和MOSFET的一种集成电路)。每相 Buck 对应的半桥MOSFET可由包含驱动和温度/电流检测的 DrMOS代替，由一个控制器采集反馈的电压、电流、温度/错误等信号，并发出各PWM波实现功率的闭环控制。

（1）相位同步：多相Buck控制器包含多个Buck相位，这些相位的工作是同步的。相位同步是为了确保各个相位之间的电流和电压同步，防止产生振荡或谐波，并提高系统的稳定性。

（2）电流均衡：在多相Buck控制器中，各个相位通过电流均衡控制来保持负载的均衡。这意味着每个相位的电流负载相对均匀，防止其中一个相位过载而导致系统效率下降。

（3）控制器同步：多相Buck控制器的各个相位都受到一个中央控制器的控制。这个控制器负责同步各个相位的工作，并确保它们响应系统负载的变化。

（4）PWM调制：每个Buck相位中都包含一个PWM控制器。PWM控制器负责调制开关管的工作周期，以控制电感中的电流。通过调整PWM的占空比，可以调整开关管的导通时间，从而调整电感中的电流和输出电压。

（5）反馈回路：多相Buck控制器通常包含反馈回路，用于监测输出电压并与设定值进行比较。如果输出电压偏离设定值，控制器会相应地调整PWM信号，以调整输出电压并维持稳定的输出。

（6）电感能量存储：电感是Buck转换器中的关键元件，它能够存储电能并平滑输出电流。多相Buck控制器中的各个相位共同工作，电感的能量存储可以得到更好的平衡。

1.8.2 多相控制器控制各相MOSFET工作时序

多相控制器通过协调各个相位的MOSFET工作时序，以确保各个相位同步运行，达到电能传输的最佳效果。以一个三相Buck电路为例，三相Buck的上管、下管交替打开，如图所示。

（1）PHASE设计：多相控制器中的每个相位都有一个对应的 MOSFET驱动器，负责控制MOSFET 的开关操作。通常，每个相位包含一个高侧(High-Side)MOSFET和一个低侧(Low-Side)MOSFET,共同构成一个完整的电流路径。

(2)启动阶段：在系统启动时，多相控制器的各个相位需要同步启动。通过控制器向MOSFET驱动器提供启动脉冲,使得 MOSFET开启,建立电流路径。这个启动阶段的目标是让各个相位同步并准备好进行正常操作。

(3)同步阶段：在正常工作阶段，各个相位的MOSFET需要保持同步运行，以确保电流和电压的平衡。这是通过控制器发送时序精确的脉冲信号给各个相位的MOSFET驱动器来实现的。通常，同步信号确保高侧和低侧 MOSFET不会同时导通，以防止短路。

(4)电感电流控制：在 MOSFET导通期间,电感中会建立电流。控制器通过调整MOSFET的导通时间(PWM调制)来控制电感电流的大小，这有助于确保系统的稳定性和高效性。

(5)过渡控制：在系统负载变化或输入电压波动时，控制器需要调整各个相位的操作，以保持输出电压的稳定性。过渡控制涉及调整PWM信号，使得 MOSFET的导通时间适应系统需求的变化。

(6)关闭阶段：当MOSFET 关闭时，电感中的电流仍然会继续流动，通过反向二极管完成电流回路。在关闭阶段，控制器确保 MOSFET 关闭的时机协调一致，以避免电流回路中断。

1.8.3 多相控制器的优缺点

1）优点

（1）提高效率：多相控制器可以提高电源系统的效率。通过将电流分配到多个相位，使每个相位的电流减小，从而减小了电阻、导线和元件的损耗，提高了整体效率。

（2）减小输出纹波：多相控制器有助于减小输出纹波。通过将电能分配到多个相位，使输出电流的纹波变小，有助于减小电源噪声，提高系统的稳定性。

（3）降低散热需求：由于每个相位的电流减小，系统中的电子元件和导线的散热需求也相应降低。这有助于减小系统的热损耗，提高整体的能效。

（4）提高系统动态响应：多相控制器可以提高系统的动态响应。相比于单相控制器，多相控制器能够更灵活地调整输出电压和电流，从而更好地适应系统负载的变化。

（5）提供大功率输出：多相控制器可以在相同物理尺寸的情况下，提供更高的功率输出。

2）缺点

（1）复杂性和成本：多相控制器的设计和实现相对较为复杂，需要更多的电子元件和控制电路。这可能会增加系统的成本。

（2）控制难度：多相控制器需要精确的相位控制，以确保各相之间的电流和电压同步。这要求更复杂的控制算法和更高精度的控制器。

（3）不适用于所有应用：对于某些低功耗、低电流应用，使用多相控制器可能会显得不太经济，因为在这些情况下，多相控制带来的优势可能并不明显。

（4）占用空间：由于多相控制器需要多个电感、电容等元件，可能会占用更多的电路板空间，对于一些有尺寸限制的应用来说可能并不理想。

2 Boost电路拓扑结构

输出电压： $V_{OUT}=V_{IN}/(1-D)$

2.1 Boost电路升压原理

当开关管导通时，电源经由电感-开关管形成回路，电流在电感中转化为磁能进行能量储存。

开关管关断时，电感中的磁能转化为电能，电感像一个供电的电池一样（电感两端存在电压，这个输出电压就是相比于Vin升高的电压），电极为左负右正，此电压叠加在输入电压的正端，经由二极管—负载形成回路，完成升压功能。

既然如此，提高转换效率就要从三个方面着手：尽可能降低开关管导通时回路的阻抗，使电能尽可能多地转化为磁能；尽可能降低负载回路的阻抗，使磁能尽可能多地转化为电能，同时使回路的损耗最低；尽可能降低控制电路的消耗，因为对于转化来说，控制电路的消耗在某种意义上是浪费的，不能转化为负载上的能量。

2.2 Boost变换器的输入电容

在实际场景中，从上一级直流电源到下一级DC/DC电源之间还有PCB走线或线缆走线，如图所示。在实际应用中，输入电源可能距离很远，有很长的走线，走线越长，电感就越大。由于这个电感的存在，即使上一级电源是理想电源，但电感电流不能突变，需要一个储能器件来辅助提供瞬间变化的电流。此时我们就需要一个电容接到电源输入的地方。

如果两级电源足够的近，走线长度会变短，则这个寄生电感的感值就足够的小，小到可以忽略。此时是不是可以不需要这个输入电容？

答案是否定的，原因如下：第一，没有所谓的理想电源，上一级电源也是依赖电容实现稳压；第二，在实际场景中，两级电源之间的距离不可能足够短，而可能有很长的PCB走线或线缆走线。

3 Inverter（反相升降压）电路拓扑结构

输出电压： $V_{OUT}=-V_{IN}*\frac{D}{(1-D)}$

4 Buck-Boost（升降压）电路拓扑结构

输出电压： $V_{OUT}=V_{IN}*D$ 或者 $V_{OUT}=V_{IN}/(1-D)$

5、纹波和噪声

在高速电路设计中，高端芯片往往对电源的纹波和噪声都有要求，一般要求将纹波限制在电源电压的1%之内，而噪声应限制在电源电压的3%～5%之内。

纹波：纹波指电源波动中的低频成分，一般处于5MHz之内的频段。

产生：纹波包含两部分，一部分是电容平滑三角波之后残余的部分，一部分是负载电流变化 $\Delta I$ 在电容ESR上产生的 $\Delta V$

噪声:噪声指电源波动中的高频成分，一般高于`5MHz，成分较为复杂，包含MOSFET的开关噪声、随机白噪声、以及周围信号的干扰等。

产生：电源噪声过大，往往和PCB的设计不当有关

吸收式滤波器：由磁珠与电容的组合电路构成。

反射式滤波器：由 $\pi$ 、T或L型LC滤波电路构成。其原理是使电源电路形成阻抗失配，使直流的电源信号无衰减地通过，而频率较高的纹波、噪声等干扰被反射回源端。因此对反射式滤波器，应根据源端和负载端的阻抗，选择适合的滤波电路。

6、上电时需要注意的要点

上电顺序、上电延时、上电速度。

上电速度过快，基于公式 $I=C*\frac{dV}{dt}$ 可知，将产生很大的上电电流，芯片受到大电流冲易损坏。

        以TI公司的TPS54310为例。TPS54310是MOSFET内置的，支持3A输出的DCDC电源芯片。该芯片的缓启动/使能引脚SS/ENA。
        对于TPS54310而言，仅当SS/ENA引脚上的电平超过1.2V后，电源芯片才开始工作，在芯片内部，有一个5uA的电流源，通过外部电路，对SSENA引脚充电，因此利用SS/ENA引脚上并联的电容C，可调整电源芯片的上电延时和速度。
        定义上电延时为从 TPS54310开始工作（器件的主电源Vcc上电完成）到开始输出的延时，该延时t的计算公式为
                                                 $t_{d}=C*1.2V/5uA$
        当SS/ENA引脚电平达到1.2V后，电源芯片启动输出，5uA电流源继续对电容C充电，在这个过程中，输出电源电压缓慢上升，直到充电完成，SS/ENA引脚电平达到1.9V，输出电源电压才完全建立，因此，通过调节电容C的容值，同样可以配置输出电源的上电速度，从输出电源开始启动到完全建立的延时ta的计算公式为