03模拟电子技术基础——晶体三极管

凉辰梦凡星

已于 2023-09-22 09:28:22 修改

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文章标签：学习方法考研

于 2023-09-20 16:09:28 首次发布

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一、晶体管的结构和符号

1.1 半导体BJT

1.2 晶体管的分类

1.3 PNP型半导体和NPN型半导体的结构

二、晶体管的放大原理

2.1 放大的条件

2.2 放大原理

2.3 电流的分配

三、晶体管的共射输入特性和输出特性

3.1 输入特性

3.2 输出特性

3.3晶体管的三个工作区域

四、温度对晶体管特性的影响

五、主要参数

一、晶体管的结构和符号

1.1 半导体BJT

BJT又称为晶体管，类型多。BJT都有三个电极，根据结构不同一般分为NPN型和PNP型。

1.2 晶体管的分类

分类标准	类型
按频率	高频管低频管
按功率	小功率中功率大功率
按半导体材料分	硅管锗管
按结构	PNP型 NPN型

几种BJT的外形，三条腿比较细的为小功率管，三条腿粗的是中功率管。为什么中功率和大功率管会有孔？因为为了散热、便于安装散热器。

晶体管有三个级、三个区、两个PN结

1.3 PNP型半导体和NPN型半导体的结构

由两个PN结的三层半导体构成，从三块半导体上各自接一条引线就是BJT的三个电极，分别是发射极e、集电极c、基极b，对应的每块半导体成为发射区、集电区、基区。

两块不同类型的半导体结合就会形成PN结，每个BJT都有两个PN结，发射区和基区交界处的PN结称为发射结、集电区和基区交界处的PN结称为集电结，两个PN结通过很薄的基区联系着，基区多子浓度很低，且很薄。

二、晶体管的放大原理

2.1 放大的条件

为了使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是

发射结正偏 $u_{BE}>U_{on}$
集电结反偏 $u_{cb}\geqslant u_{BE}$

2.2 放大原理

扩散运动形成发射极电流 $I_{E}$
复合运动形成基极电流 $I_{B}$
漂移运动形成集电极电流 $I_{C}$

2.3 电流的分配

电流分配	$I_{E}$ = $I_{B}$ + $I_{C}$
直流电流放大系数	$\bar{\beta }=\frac{I_{C}}{I_{B}}$
交流电流放大系数	$\beta =\frac{\Delta i_{C}}{\Delta i_{B}}$
穿透电流	$I_{CEO}=(1+\bar{\beta })I_{CBO}$
集电结反向电流	$I_{CBO}$
扩散运动形成发射极电流	$I_{E}$
复合运动形成基极电流	$I_{B}$
漂移运动形成集电极电流	$I_{C}$

三、晶体管的共射输入特性和输出特性

3.1 输入特性

$i_{B}=f(u_{BE})\mid U_{CE}$

对于小功率晶体管， $U_{CE}$ 大于1V的一条输入特性曲线可以取代 $U_{CE}$ 大于1V的所有输入特性曲线。

3.2 输出特性

$i_{C}=f(u_{CE})\mid I_{B}$

3.3晶体管的三个工作区域

四、温度对晶体管特性的影响

五、主要参数

直流参数

$\bar{\beta }$ 、 $\bar{\alpha }$ 、 $I_{CBO}$ 、 $I_{CEO}$

$\bar{\alpha }=\frac{I_{C}}{I_{E}}$ 、

交流参数

$\beta$ 、 $\alpha$ 、 $f_{T}$ (使 $\beta$ =1的信号频率)

极限参数

$I_{CM}$ 、 $P_{CM}$ 、 $U_{(BR)CEO}$

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