STM32出现flash_error_program问题

出错类型分析

1. FLASH_BUSY：

   • 值：1

   • 解释：闪存正在忙于执行一个操作，无法立即开始新的操作。

2. FLASH_ERROR_RD：

   • 值：2

   • 解释：闪存读取错误。可能由于硬件故障或不正确的操作导致。

3. FLASH_ERROR_PGS：

   • 值：3

   • 解释：闪存编程顺序错误。可能由于不正确的编程顺序或步骤导致。

4. FLASH_ERROR_PGP：

   • 值：4

   • 解释：闪存编程 parallelism 错误。可能由于并行编程设置不正确导致。

5. FLASH_ERROR_PGA：

   • 值：5

   • 解释：闪存编程对齐错误。可能由于编程地址未对齐导致。

6. FLASH_ERROR_WRP：

   • 值：6

   • 解释：闪存写保护错误。可能由于尝试写入受保护的区域导致。

7. FLASH_ERROR_PROGRAM：

   • 值：7

   • 解释：闪存编程错误。可能由于编程数据错误或硬件故障导致。

8. FLASH_ERROR_OPERATION：

   • 值：8

   • 解释：闪存操作错误。可能由于不正确的操作或参数导致。

9. FLASH_COMPLETE：

   • 值：9

   • 解释：闪存操作完成，没有错误。

出现问题可能的原因

1. 硬件问题：

   • 连接问题：编程器与目标设备（如微控制器、闪存芯片）之间的连接可能不良，导致数据传输错误。

   • 设备损坏：编程器或目标设备可能存在物理损坏，导致无法正常编程。

2. 软件问题：

   • 不兼容的软件版本：编程器软件版本可能与目标设备不兼容，导致编程错误。

   • 错误的配置：编程器软件的配置可能不正确，例如选择了错误的设备型号或错误的编程选项。

   • 软件bug：编程器软件本身可能存在bug，导致编程过程中出现错误。

3. 目标设备问题：

   • 写保护：目标设备可能处于写保护状态，阻止对其进行编程。

   • 擦除问题：在编程之前，目标设备可能没有正确擦除，导致新的数据无法写入。

   • 设备锁定：某些设备可能被锁定，需要特定的解锁步骤才能进行编程。

4. 电源问题：

   • 电源不稳定：编程过程中，电源不稳定可能导致数据传输错误或设备损坏。

5. 环境因素：

   • 电磁干扰：周围环境中的电磁干扰可能影响数据传输的稳定性。

由于本人使用设备之前代码都可以正常读写，所以问题1、2、4、5问题先排除掉

出错的源码

void PVD_STMFLASH_Noclean_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)	
{ 
	FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
	uint32_t endaddr=0;	
	if(WriteAddr < STM32_FLASH_BASE || WriteAddr % 4)return;	//非法地址
	FLASH_Unlock();									//解锁 
	FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
	endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;	//写入的结束地址
	if(status == FLASH_COMPLETE)
	{
		while(WriteAddr<endaddr)//写数据
		{
			if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据
			{ 
				break;	//写入异常
			}
			WriteAddr+=4;
			pBuffer++;
		}
	}
	FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);	//FLASH擦除结束,开启数据缓存
	FLASH_Lock();//上锁
} 

 乍一看没什么问题，但是Debug时一直出现FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)返回flash_error_program的问题，结合前面几种问题分析：

• 读保护？ FLASH_Unlock();    这里已经解锁，那么不应该有读保护
• 擦除问题？通过Memory可以查看，要写入的内存全部都是0xFF，是允许写入的
• 设备锁定？不存在，因为我并没有加锁

那么问题究竟在哪？

正确代码

void PVD_STMFLASH_Noclean_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)	
{ 
	FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
	uint32_t endaddr=0;	
	if(WriteAddr < STM32_FLASH_BASE || WriteAddr % 4)return;	//非法地址
	FLASH_Unlock();									//解锁 
	FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR |FLASH_FLAG_WRPERR |FLASH_FLAG_PGAERR |FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR | FLASH_FLAG_BSY| FLASH_FLAG_RDERR);
	FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
	endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;	//写入的结束地址
	if(status == FLASH_COMPLETE)
	{
		while(WriteAddr<endaddr)//写数据
		{
			if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据
			{ 
				break;	//写入异常
			}
			WriteAddr+=4;
			pBuffer++;
		}
	}
	FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);	//FLASH擦除结束,开启数据缓存
	FLASH_Lock();//上锁
} 

结果：标志位没有清除，导致程序错误，到此问题结束，程序运行正常。

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR |FLASH_FLAG_WRPERR |FLASH_FLAG_PGAERR |FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR | FLASH_FLAG_BSY| FLASH_FLAG_RDERR);

代码呈上