MOS管的特性和选型

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已于 2023-09-11 16:14:34 修改

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文章标签：单片机嵌入式硬件硬件工程课程设计学习

于 2023-09-11 13:53:41 首次发布

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本文链接：https://blog.csdn.net/m0_59641361/article/details/132801187

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本文详细介绍了MOS管的转移特性曲线、输出伏安特性曲线、寄生电容等关键特性，并探讨了选型时应关注的VDS、VGS、ID等参数。通过理解MOS管的工作区域和相关电容，有助于优化电路设计和提高开关速度。

摘要由CSDN通过智能技术生成

MLCC电容一般需要考虑哪些特性呢？_Khane持续学习的博客-CSDN博客

电解电容一般需要考虑哪些特性呢？_Khane持续学习的博客-CSDN博客

安规电容扫盲_Khane持续学习的博客-CSDN博客

电感应该考虑哪些特性？_Khane持续学习的博客-CSDN博客

持续更新中。

因为MOSFET栅极具有极高的输入阻抗，iG近似为0，不能研究输入电压uGS和输入电流iG的关系。只能研究输入电压uGS和输出电流iD的关系，称为转移特性；输出电压uDS和输出电流iDS的关系，称为输出特性。

转移特性曲线

上图左半部分

当MOSFET的uGS小于开启电压uGS(th)时，无论uDS多大，电流iD均为0。

输出伏安特性曲线

上图右半部分

1.截止区（夹

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MOS管的特性和选型

如果uGS电压是8V，那么Qg约1.1nC,粗略的算充电时间及驱动电流的关系是：根据ΔQg/Δt = I,考虑如果开关频率100Khz,那么周期为10us，如果想要达到开的过程时间在ns级别，例如10ns，那么电流需要约0.11A的能力。当Coss较大时，即使关断栅极，输出端也会有Coss引起的电流，直到输出完全关断是需要时间的。t1-t2：驱动电流仍然是为Cgs充电，uGS大于MOS管开启电压uGS(th)，MOS管开始导通，iD开始上升，在上升的过程中uDS会稍微有一些下降（杂散电感的影响）。
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