MOSFET工作区域判定方法

Mos管可以工作在：截止区，变阻区，饱和区（也叫做恒流区），击穿区 四个工作区间

有点类似于BJT的三个工作区域：截止区，线性区，饱和区

那让我们先看一下Mosfet（NMOS）的四个工作区：

 Vgs就好像一个能够调节电流通过的大门

Vds就像一个压力泵

Ids就像水流

工作区	电压特性	含义
截止区（或者夹断区）	当 Vgs < Vth 时	这个区间中，沟道完全截止中断，被称为全夹断，Ids=0（Vgs门太小，无论Vds多大都没有用）
变阻区	当 Vgs > Vth 且 Vds < Vgs - Vth 时	在此区间MOS类似于一个受Vgs控制的可调电阻，Vgs越大则Mos上的Rds越小，反之Rds越大。Vgs一定时Vds-Ids近似线性关系（Vgs门开得很大了，电流完全由Vds压力泵决定）
饱和区(恒流区)	Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth 时	也叫放大区，有源区，当Vgs一定时，Ids几乎不随Vds而变化，呈恒流特性。Ids仅受Vgs控制，这时场效应管D、S间相当于一个受电压Vgs控制的电流源。（Vds已经足够大了，Vgs这个大门开的越大，电流越大）
击穿区	Vds很大	随着Vds压力的不断增大，PN结击穿短路，电流过大会短路

Vth是指当源极与漏极之间有指定电流时出现的栅极电压（也叫开启电压或者阈值电压）

MOSFET的电气特性（静态特性Vth） | 东芝半导体&存储产品中国官网 (toshiba-semicon-storage.com)

可见BJT的放大区和MOS的恒流区类似，需要注意区分