FLASH闪存

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已于 2024-10-04 22:30:47 修改

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分类专栏：江协科技STM32入门笔记及复习框架（代码篇）文章标签：单片机嵌入式硬件 stm32

于 2024-10-04 22:29:44 首次发布

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FLASH闪存

模块1：实现闪存最基本的三个功能（读取擦除编程）

3.上电时需要将FLASH的数据全部转存到SRAM数组中

FLASH闪存

工程结构:分为模块1和模块2

模块1：实现闪存最基本的三个功能（读取擦除编程）

FLASH不需要初始化

1.读取的部分；

读取半字
读取全字
读取字节（各封装一个函数）
使用指针读指定地址下的存储器：
uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));
使用指针写指定地址下的存储器：
*((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;
其中：
#define __IO volatile（所指定的程序不能被优化）

2.全擦除擦除页（各封装一个函数）；

首先要对FLASH进行解锁
FLASH_Unlock();（解锁）
擦除全部
FLASH_EraseAllPages();（全擦除）
擦除一页（擦除全部和擦除一页各封装一个函数）
FLASH_ErasePage();（闪存擦除某一页）
最后上锁
FLASH_Lock();（加锁）

3.写入；

写入之前一定要先进行擦除
FLASH_Unlock();（解锁）
写入一个字：
FLASH_ProgramWord();（在指定地址写入字）
写入半个字：（写入一个字和写个半个字各封装一个函数）
FLASH_ProgramHalfWord();（在指定地址写入半字）
写入字节比较麻烦一般用缓冲区的方式来实现
FLASH_Lock();（加锁）

模块2：实现参数数据的读写和存储管理

1.创建SRM数组；

具体示例看代码部分

2.初始化函数；

第一次使用需要把闪存进行初始化
（参数和SRM数组里面一般都默认为0）
判断是不是第一次使用（定义一个标志位）

3.上电时需要将FLASH的数据全部转存到SRAM数组中；

具体示例看代码部分

4.备份保存；

（能够实现上电后数据不丢失）
擦除最后一页
把数据完全备份到闪存

5.数据不会丢失我们需要再写一个清除函数；

清零之后更新闪存

代码示例

FLASH闪存

封装.C文件

模块1代码

#include "stm32f10x.h"                  // Device header

/**
  * 函    数：FLASH读取一个32位的字
  * 参    数：Address 要读取数据的字地址
  * 返 回 值：指定地址下的数据
  */
uint32_t MyFLASH_ReadWord(uint32_t Address)
{
	return *((__IO uint32_t *)(Address));	//使用指针访问指定地址下的数据并返回
}

/**
  * 函    数：FLASH读取一个16位的半字
  * 参    数：Address 要读取数据的半字地址
  * 返 回 值：指定地址下的数据
  */
uint16_t MyFLASH_ReadHalfWord(uint32_t Address)
{
	return *((__IO uint16_t *)(Address));	//使用指针访问指定地址下的数据并返回
}

/**
  * 函    数：FLASH读取一个8位的字节
  * 参    数：Address 要读取数据的字节地址
  * 返 回 值：指定地址下的数据
  */
uint8_t MyFLASH_ReadByte(uint32_t Address)
{
	return *((__IO uint8_t *)(Address));	//使用指针访问指定地址下的数据并返回
}

/**
  * 函    数：FLASH全擦除
  * 参    数：无
  * 返 回 值：无
  * 说    明：调用此函数后，FLASH的所有页都会被擦除，包括程序文件本身，擦除后，程序将不复存在
  */
void MyFLASH_EraseAllPages(void)
{
	FLASH_Unlock();					//解锁
	FLASH_EraseAllPages();			//全擦除
	FLASH_Lock();					//加锁
}

/**
  * 函    数：FLASH页擦除
  * 参    数：PageAddress 要擦除页的页地址
  * 返 回 值：无
  */
void MyFLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress)
{
	FLASH_Unlock();					//解锁
	FLASH_ErasePage(PageAddress);	//页擦除
	FLASH_Lock();					//加锁
}

/**
  * 函    数：FLASH编程字
  * 参    数：Address 要写入数据的字地址
  * 参    数：Data 要写入的32位数据
  * 返 回 值：无
  */
void MyFLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
{
	FLASH_Unlock();							//解锁
	FLASH_ProgramWord(Address, Data);		//编程字
	FLASH_Lock();							//加锁
}

/**
  * 函    数：FLASH编程半字
  * 参    数：Address 要写入数据的半字地址
  * 参    数：Data 要写入的16位数据
  * 返 回 值：无
  */
void MyFLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)
{
	FLASH_Unlock();							//解锁
	FLASH_ProgramHalfWord(Address, Data);	//编程半字
	FLASH_Lock();							//加锁
}

模块2代码

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "MyFLASH.h"

#define STORE_START_ADDRESS		0x0800FC00		//存储的起始地址
#define STORE_COUNT				512				//存储数据的个数

uint16_t Store_Data[STORE_COUNT];				//定义SRAM数组

/**
  * 函    数：参数存储模块初始化
  * 参    数：无
  * 返 回 值：无
  */
void Store_Init(void)
{
	/*判断是不是第一次使用*/
	if (MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS) != 0xA5A5)	//读取第一个半字的标志位，if成立，则执行第一次使用的初始化
	{
		MyFLASH_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);					//擦除指定页
		MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS, 0xA5A5);	//在第一个半字写入自己规定的标志位，用于判断是不是第一次使用
		for (uint16_t i = 1; i < STORE_COUNT; i ++)				//循环STORE_COUNT次，除了第一个标志位
		{
			MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i * 2, 0x0000);		//除了标志位的有效数据全部清0
		}
	}
	
	/*上电时，将闪存数据加载回SRAM数组，实现SRAM数组的掉电不丢失*/
	for (uint16_t i = 0; i < STORE_COUNT; i ++)					//循环STORE_COUNT次，包括第一个标志位
	{
		Store_Data[i] = MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i * 2);		//将闪存的数据加载回SRAM数组
	}
}

/**
  * 函    数：参数存储模块保存数据到闪存
  * 参    数：无
  * 返 回 值：无
  */
void Store_Save(void)
{
	MyFLASH_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);				//擦除指定页
	for (uint16_t i = 0; i < STORE_COUNT; i ++)			//循环STORE_COUNT次，包括第一个标志位
	{
		MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i * 2, Store_Data[i]);	//将SRAM数组的数据备份保存到闪存
	}
}

/**
  * 函    数：参数存储模块将所有有效数据清0
  * 参    数：无
  * 返 回 值：无
  */
void Store_Clear(void)
{
	for (uint16_t i = 1; i < STORE_COUNT; i ++)			//循环STORE_COUNT次，除了第一个标志位
	{
		Store_Data[i] = 0x0000;							//SRAM数组有效数据清0
	}
	Store_Save();										//保存数据到闪存
}

封装.h文件

模块1代码

#ifndef __MYFLASH_H
#define __MYFLASH_H

uint32_t MyFLASH_ReadWord(uint32_t Address);
uint16_t MyFLASH_ReadHalfWord(uint32_t Address);
uint8_t MyFLASH_ReadByte(uint32_t Address);

void MyFLASH_EraseAllPages(void);
void MyFLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress);

void MyFLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
void MyFLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);

#endif

模块2代码

#ifndef __STORE_H
#define __STORE_H

extern uint16_t Store_Data[];

void Store_Init(void);
void Store_Save(void);
void Store_Clear(void);

#endif

主函数

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "Delay.h"
#include "OLED.h"
#include "Store.h"
#include "Key.h"

uint8_t KeyNum;					//定义用于接收按键键码的变量

int main(void)
{
	/*模块初始化*/
	OLED_Init();				//OLED初始化
	Key_Init();					//按键初始化
	Store_Init();				//参数存储模块初始化，在上电的时候将闪存的数据加载回Store_Data，实现掉电不丢失
	
	/*显示静态字符串*/
	OLED_ShowString(1, 1, "Flag:");
	OLED_ShowString(2, 1, "Data:");
	
	while (1)
	{
		KeyNum = Key_GetNum();		//获取按键键码
		
		if (KeyNum == 1)			//按键1按下
		{
			Store_Data[1] ++;		//变换测试数据
			Store_Data[2] += 2;
			Store_Data[3] += 3;
			Store_Data[4] += 4;
			Store_Save();			//将Store_Data的数据备份保存到闪存，实现掉电不丢失
		}
		
		if (KeyNum == 2)			//按键2按下
		{
			Store_Clear();			//将Store_Data的数据全部清0
		}
		
		OLED_ShowHexNum(1, 6, Store_Data[0], 4);	//显示Store_Data的第一位标志位
		OLED_ShowHexNum(3, 1, Store_Data[1], 4);	//显示Store_Data的有效存储数据
		OLED_ShowHexNum(3, 6, Store_Data[2], 4);
		OLED_ShowHexNum(4, 1, Store_Data[3], 4);
		OLED_ShowHexNum(4, 6, Store_Data[4], 4);
	}
}