二极管学习

二极管原理：

 在硅原子或者锗原子（本征半导体）里面掺入硼原子（3价）或者磷原子（5价），二种原子就分别带上了正电和负电，我们称之为P型半导体和N型半导体，其中带正电的叫Postive （正向的）  缩写P 带负电的叫Negative （负向的） 缩写N 

P型半导体：掺入硼原子  带正电的，多子为空穴  少子为自由电子

N型半导体：掺入磷原子 带负电的   多子为自由电子  少子为空穴

当把N型半导体和P型半导体结合在一起，由于两边载流子浓度差造成N区的多子自由电子向P区扩散，P区的多子空穴向N区扩散，P区和N区原本都是电中性的，多子的扩散运动破坏了电中性，留下P区的受主离子少子和N区的施主离子空穴到PN区的交界面，因而形成了PN结，也叫空间电荷区，形成了内电场，方向从N指向P，阻碍了多子的扩散运动，同时吸引少子漂移，当扩散运动和漂移运动达到了动态平衡（扩散电流=漂移电流），最终恢复了电中性。

 当外界有正向电压偏置时，外接电场和自建电场的互相抑消作用是的多子的扩散运动增加，此时产生了正向电流，当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，更加抑制多子的扩散运动，只有少数的载流子在负电场的作用下了漂移运动，形成了微弱的反向漏电流，当反向电压增加到一定值时，二极管被击穿，此时对应的电压叫击穿电压。

二极管的伏安特性：

一般硅的内电场大概在0.6-0.7V

锗的在0.2-0.3V

二极管的特性：很小的电压变化能引起很大的电流变化 所以需要在回路中串入电阻 以防被烧坏

二极管内部有二种电容 势垒电容和扩散电容 主要是因为特性造成的 当频率过高的时候电容阻抗会变得比较低

公式I=Is(e^v/vt -1)

当V>>VT时  I=Is(e^v/vt)

当|V|> VT时  I=Is

肖特基二极管的结构与普通二极管有所不同。肖特基二极管使用的是键合到N型掺杂材料中的单层薄金属，而不是双层掺杂半导体材料。这种金属与N型半导体层叠的组合也称为M-S结（金属-半导体结）

常用二极管：

1 整流二极管

特点：允许通过的电流比较大 反向击穿电压大 PN结电容比较大，适用于频率不高的场合

适用场景：整流电路 钳位电路 保护电路 隔离电路

2 快恢复二极管

特点：反向恢复时间短，开关特性好，正向压降低，反向的击穿电压较高

适用场景：开关电源 PWM脉宽调制 变频器 高频的整流二极管 续流二极管 阻尼二极管等

3 肖特基二级管

特点：正向导通压降小，反向恢复时间短，开关损耗小 缺点：耐压值低，反向的漏电流大

适用场景：整流二极管 续流二极管 保护电路

4 稳压二极管

特点：工作在击穿区，利用反向电流范围内，反向电压不随反向电流的变化大而变化

重要参数：稳压值，动态电阻 允许的功耗 稳定电流

适用场景：稳定电压

5 瞬态抑制二极管

适用场景：电源端口浪涌电压和电流吸收

二极管选型参数：

1 反向饱和漏电流

2 额定电流（二极管运行时的平均电流值）If

3 最大平均整流电流 Io

4 最大的浪涌电流Ifsm

5 最大的反向峰值电压Vrm

6 最大的直流反向电压Vr

7 最高工作频率fM

由于二极管的结电容存在，当频率高于一点时，单向导电性能将变得很差，常见的整流

二极管频率就非常低，不高于几千赫兹

8 反向恢复时间：

当工作电压从正电压变成反向电压时，电流延时截至的时间，直接影响了二极管的开关速度，当应用在工作在大功率开关管工作在高频状态时，这个参数很重要

9 最大功率 电流和电压的乘积。

二极管比较：

心得：

硬件设计中常用的肖特基二极管用作续流 防反  TVS用于电源端口保护  稳压管用于保护或者小电压电流的输出

之前有遇到过这样一个问题： DC-DC电路中  续流二极管选择快恢复二极管还是肖特基二极管好？

我觉得这二个管子都可以选择  现在的工艺技术 使得这二个管子的反应时间 导通压降都可以做到差不多  

但是目前肖特基二极管适用场景广, 价格低 反向恢复时间短，导通电压低