MOS 的TJ TA TC和功耗之类的计算

纯粹是为自己做笔记而写  谢谢

一般情况下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*Rja

P是芯片最大的功耗  Rjc是结壳间的热阻Rja表示结与环境间的热阻 应用比较广泛的是计算二极管和MOS管的损耗和温度是否支撑的住我们一般计算都是室温下25  如果是放在温箱中TA带入就不能是25

比如一个器件室温下工作TA=TC=25度 功耗最大是1.5W Rja=Rjc=83.3

TJ=25+1.5*83.3=149.95

所以  TC=150-P*Rjc

假如我的管子功耗是1W 则最大能承受的的壳体温度为TC=150-1*Rjc=66.7度

如果我的壳体温度大于66.7度  对应的管子的功耗必然下降 管子本身也对应有一个功耗的降额值

比如说12mw/度  那么对应的功耗P=Pmax-(TC-25)*0.012

P=1.5-（66-25）*0.012=1.008W 同温度计算值相差不大  公式适应

通过这种方式 可以变相算出TJ TC和功耗等情况。

同时  当温度过高时 二极管的正向电流会相应减小 （跟负载能力相关） 正向导通压降会相应减小 这个可以参考手册曲线，选型二极管的时候一定要保证二极管的损耗在0.5W内，否则不适应于二极管的场合。

 按照上面的公式可以 推出TJ=25+110*1.14=150  符合公式

                                          P=(150-TC)/1.14

假如工作环境在60度的时候  则P=（150-60）/1.14=79W

MOS管选型时候需要考虑开关损耗和温度

纯开关应用  不考虑开关损耗是 P=ID^2*Rdson  ID是连续漏电流

按照实际应用推算   P=(150-TC)/1.14 公式 可以反向推导ID是多少。

 当涉及到开关 必须要考虑的就是损耗  损耗与芯片的运行温度和发热量有关系

MOS管的损耗包含：AC损耗 DC损耗  死区时间功耗（在有占空比的时候用到  同步整流时候二个管子同时关闭）

AC 损耗（PswAC） = ½ * Vds * Ids * (trise + tfall)*Fsw

DC 损耗: PswDC = RdsOn * Iout * Iout * 占空比（其中占空比为输出/输入）

死区时间损耗Pdt=2*VF(体二极管的导通压降)*Io*Tdead_time*Fsw

如果是同步整流电流  则:

高边管的导通电阻损耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(Vo/vin)

低边管的导通电阻损耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(1-Vo/vin)

如果是异步整流，则下管是二极管：

高边管的导通电阻损耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(Vo/vin)

二极管的导通电阻损耗PswDC = VF*Iout*(1-Vo/vin)