STM32 中容量产品 FLASH读写操作

近期项目遇到了收尾问题，考虑到传感器的芯片需要进行保存校准数据，以便掉电不丢失可以继续使用，于是考虑到了将数据保存到FLASH中进行保存。

一，FLASH的操作问题（软件）

写操作：参考STM32的FLASH编程手册可知，FLASH是以页（每一页的寻址范围大小不一）为单位，并且每16位进行写入，因此若想对STM32的FLASH进行写入，应将存储BUF设为16位的数组，如果写入BUF为8位，则每次写入会浪费8位的FLASH，写入BUF为32位，则会丢失BUF中每一成员的后16位。除此之外STM32的库函数也将flash封装了32位写入，实际上就是将FLASH16位写操作连续进行两次。

读操作：对stm32的FLASH读操作只需使用指针进行访问即可，例如要读取8位地址上的数据，可以这样*（volatie uint8_t*）adder或*（__IO uint8_t*）adder。

二，FLASH的操作问题（硬件）

FLASH的每次写入时需要进行擦除，而每次进行写入与擦除时需要进行解锁，结束后需要进行上锁，因此建议自己写一个函数进行封装，例如擦除函数，先进行解锁，API擦除函数，解锁；写入函数，先解锁，API写入，解锁。

三，结构体操作问题

对FLASH的操作想必如果是数组还是比较好处理的，因为FLASH不同于其他写入操作那么灵活，FLASH只能容忍16位以及其整数倍写入，对于8位是不可以的，因此要想进行将内存对齐不一的结构体写入到FLASH中，需要进行BUF的使用：

我的思路是，将结构体通过memcpy函数，将其内部赋给一个BUF，让这个BUF再通过FLASH写操作写入到FLASH中，而这个BUF的类型是有说法的，设想，如果使用8位的BUF，那么在这个BUF中，每一位BUF成员都是8位的数据，在memcpy函数复制之后，假设一共有32byte的数据，则这些数据是每1byte传输到FLASH中的，对应了我在写操作中提到的浪费了FLASH的8位空间，写入的结果是 0x00 XX 00 XX，这样子的。而如果你使用了32位的BUF，同样的，假若你的BUF中是0x12 34 56 78 0x 78 56 34 12中这样的数据，你只能传输 56 78 78 56这两个字的前半段，会造成数据的丢失，因此，我推荐进行结构体写入FLASH中，可以尽量使用32位的数据写入，因为这样尽管可能会造成FLASH的浪费，但是可视乎与预防浪费都十分的简洁明了。只需要让BUF是32位的，便可以让FLASH 1：1的copy在内存中的数据。

而读出操作的BUF也是有说法的，倘若每8位读出一次则必须要将其放在8位的BUF中，放在16位会扩大内存的寻址单元。