缓变基区扩展效应

微电子器件第28讲基区扩展效应_哔哩哔哩_bilibili

看的时候有些疑惑,又看了下图片,发现自己惯性思维了,认为基区的掺杂浓度比集电区低,其实老师有标注C区为N-,基区为P。
下面斗胆梳理下这个知识:
(以平面N+PN-管为例)缓变基区的基区杂质浓度高于集电区,基区侧为负空间电荷区,集电区侧为正空间电荷区。电子流入,基区侧浓度升高,宽度减小(但浓度高,宽度减小的少),集电区侧浓度降低。在大电流注入下,集电区侧正空间电荷全都被复合之后成为中性区/负电荷区。正负电荷边界发生改变,刚才的N-集电结成为了空间电荷区的一部分。再增大注入,集电结空间电荷区(负电荷区)浓度变大,宽度减小。此时发生基区展宽

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