静态存储器，动态存储器

SRAM:WE读写信号  CS片选信号  OE使能信号

位扩展，字扩展，字位扩展

DRAM:主存，集成度高，速度慢，价格低

破坏性读出→重写，刷新

输入缓冲器与输出缓冲器总是互锁的 

时分复用

当前主流的DRAM器件的刷新间隔时间为64ms

突发访问:是在存储器同一行中对相邻的存储单元进行连续访问的方式 

SDRAM的所有输入信号均在系统时钟CLK上升沿被存储器内部电路锁定 ，这样做的目的是使SDRAM的操作在系统时钟CLK的控制下，与系统的高速操作严格同步进行 

各存储体可同时和独立工作，也可选择选顺序工作或交替工作