电子电路原理第二章(二极管原理)

本章继续研究二极管。首先讨论二极管的特性曲线，然后讨论二极管的近似。通常， 对二极管进行精确分析是十分复杂和耗时的，因此需要进行近似处理。例如，二极管的理想化近似可以用于故障诊断，二阶近似可以进行快速而简便的分析，三阶近似可以获得更高的精度，或者用计算机获得近乎精确的结果。(注:本章节的所有电路指示图和表格图会省略)

2.1  基本概念

普通电阻是线性器件，它的电流-电压特性曲线(伏安特性曲线)是一条直线。二极管则不同，它的电流- 电压特性曲线不是直线，因此是非线性器件。原因是二极管存在势垒，当加在二极管两端的电压小于势垒电压时，流过二极管的电流很小；当二极管上的电压超过势垒电压时，电流就会迅速增加。

2.1.1  电路符号及封装规格

二极管的电路符号，p端称为正极，n端称为负极。二极管的符号看起来像一个箭头，从p端指向n端，从正极指向负极。

2.1.2   基本二极管电路

一个二极管电路。在该电路中，电池的正极通过一个电阻来驱动二极管的p端，负极与二极管的n端相连，所以二极管正向偏置。在这种连接下，电路驱动空穴和自由电子向结的方向移动。

在较复杂的电路中，判断二极管是否正向偏置可能比较困难。这里有一个方法，不妨试着回答如下问题：外部电路对二极管电流的驱动是否沿着载流子容易流动的方向?   如果是，则该二极管是正向偏置的。

容易流动的方向该如何确定? 如果选择常规的电流，其容易流动的方向就是二极管箭头所指的方向。如果选用电子流，则是相反的方向。

当二极管是复杂电路的一部分时，也可以用戴维南定理来判断它是否是正向偏置。例如，假设能够将一个复杂电路用戴维南定理简化为正向偏置的电路，则可知这个二极管是正向偏置的。

2.1.3   正向区域

在实验室中搭建的电路。完成电路连接后，可以测量流过二极管的电流以及二极管两端的电压。也可以将直流电源反接，测量二极管在反偏时的电流和电压。如果绘制二极管的电流- 电压特性曲线，就可以得到二极管特性曲线的图形。

该特性曲线是前面章节中所讨论的一些概念的图形化总结。例如，当二极管正偏时， 在二极管上电压大于势垒电压之前。流过二极管的电流不明显。当二极管反偏时，反向电流几乎为零，直至二极管上电压达到击穿电压。而且，雪崩效应产生很大的反向电流，将会损坏二极管。

2.1.4   阈值电压

在正向区域，二极管电流开始迅速增加的电压被称为阈值电压，阈值电压等于势垒电压。对二极管电路的分析经常归结为确定二极管电压是否大于阈值电压。如果大于阈值电压，则二极管的导通性良好。否则，二极管的导通性较差。定义硅二极管的阈值电压为：

                                                                           Vk≈0.7V                                                                 

(注意：符号“≈”表示“近似等于”。)

虽然锗二极管已很少出现在新设计的电子产品中，但在一些特殊电路以及早期的设备中仍然可能会见到它们。基于这个原因，需要知道锗二极管的阈值电压大约是0.3V 。阈值电压较低是锗二极管的一个优势，也是它在一些特定场合应用的原因。

知识拓展  特殊用途二极管，如肖特基二极管，已经在需要低阈值的现代应用中取代了锗二极管。

2.1.5  体电阻

电压大于阈值电压后，二极管电流迅速增加，即很小的电压增量就会引起很大的电流增量。在势垒被克服后，只有p区和n区的欧姆电阻是阻止电流的因素。换句话说，如果p区和n区是半导体的两个独立部分，则可以用欧姆表测量每一部分的电阻，就像普通电阻一样。

这两个欧姆电阻之和被称为二极管的体电阻，定义如下：

                                                                      RB=Rp+RN                                                                       

体电阻的大小取决于p区和n区的尺寸及掺杂浓度，通常小于10。

2.1.6  最大正向直流电流

如果电流太大，则二极管会因过热而烧毁。因此，制造商会在数据手册中列出二极管安全工作时的最大电流，即不会缩短其使用寿命且不会导致其性能恶化的最大工作电流。

最大正向电流是数据手册中给出的最大额定指标之一 ，可表示为 Imax、IF(max)、I。等 。 例如，二极管1N456的最大正向电流为135mA,  说明该二极管在正向电流是135mA 时仍能持续安全工作。