运算放大器(运放)是指能够实现数学运算功能的放大器。历史上的第一个运算放大器出现在模拟计算机中,用来实现加、减、乘等运算。运算放大器曾经采用分立器件搭建,而现在的运放几乎都是集成电路。
典型的运算放大器是直流放大器,它具有很高的电压增益、很高的输入阻抗以及很低的输出阻抗。由于类型的不同,运放的单位增益带宽可以从1Hz变化到20MHz以上。集成运放是一个包含外接引脚的完整功能模块,将引脚接到电源上,并配合少量元件,就可以很快构建出所有类型的实用电路。
大多数运放的输入级都采用差分放大器,这种结构决定了集成运放的很多输入特性。 差分放大器也可由分立器件构成,可用于通信、仪表和工业控制电路。本章重点关注用于集成电路的差分放大器。(注:本章节的部分电路指示图和表格图放不下,会省略)
14.1 差分放大器
晶体管、二极管和电阻是典型集成电路中仅有的实际元件。有时也会用到电容,通常电容值小于50pF。因此,在集成电路设计中不会像在分立电路设计中那样使用耦合电容和旁路电容,而是在各级之间采用直接耦合的方式,同时在电压增益损失不太大的情况下去掉发射极旁路电容。
差分放大器(差放)是集成运算放大器中的关键电路。该电路的设计很巧妙,不需要使用发射极旁路电容。此外,还有一些其他因素使得差分放大器成为几乎所有集成运放的输入级。
14.1.1 差分输入和差分输出
一个差分放大器由两个CE级并联构成,且共用一个发射极电阻。虽然有两个输入电压(v₁和v₂)和两个集电极输出电压(va和v2), 但将整个电路作为一级来考虑。因为没有耦合电容和旁路电容,所以该电路没有下限截止频率。
交流输出电压vou被定义为两个集电极之间的电压差,其极性如:
Vout=Uc2 -VaI
该电压称为差分输出,它将两个集电极输出电压相结合并取二者间的电压差。
要注意的是:Vout、va和 v2应采用小写,因为它们是交流电压,0Hz作为特例也包含其中。
理想情况下,电路中的晶体管及其集电极电阻都相同。由于理想对称,当两个输入电压相等时,输出vou为零。当v₁大于v₂时,输出电压的极性。当v₂大于v₁时,输出电压具有相反的极性。
差放有两个独立的输入端,其中v₁为同相输入端, vou与v₁同相位; v₂为反相输入端, vou与v₂相差180°。在有些应用中,仅使用同相输入端,将反向输入端接地。而在另一些应用中,只有反相输入端有效,将同相输入端接地。
同时使用同相端和反相端作输入时,则将总输入称为差分输入,因为输出电压等于电压增益与两个输入端电压差的乘积,所以输出电压为:
Vout=A,(v₁—v₂)
其中A。为电压增益,电压增益的公式推导将在14.3节介绍。
14.1.2 单端输出
差分输出需要一个浮地的负载,即负载的任何一端都不能接地。这在许多应用中很不方便,因为负载大多是单端的,即负载一端是接地的。
实际应用广泛使用的差分放大器。它可以驱动单端负载,如CE级、射极跟随器和其他电路,因此应用广泛。由图a可见,交流输出信号来自右边电路的集电极。左边电路中集电极的负载电阻不起作用,因此可以去掉。
因为输入是差分的,因此交流输出电压仍然为A,(v₁-v₂)。 然而对于单端输出,电压增益只有差分输出的一半。因为输出仅仅取出了一个集电极的电压值。
图b所示是差分输入、单端输出的差分放大器的框图,运算放大器也使用相同符号。符号“十”代表同相输入,“ 一 ”代表反相输入。
14.1.3 同相输入结构
差分放大器中通常只有一个输入端有效,而另一端接地,如图a所示。该结构采用同相输入、差分输出。由于v₂=0, 由式得:
Vout=A,v1
图b所示是差分放大器的另一种结构:同相输入,单端输出。由于vout是交流输出电压,式依然适用。由于输出仅取自差放的一端,因此其电压增益A, 是双端输出的一半。
14.1.4 反相输入结构
在有些应用中, v₂是有效输入,v₁接地,如图a所示。此时,式可以简化为:
Vout=-A,v₂
式中的负号表示反相。
图b所示是后文将要讨论的结构,这里采用的是反相输入,单端输出。此时,交流输出电压依然可由式得到。
14.1.5 结论
表14-1总结了差分放大器的四种基本结构,通用情况是差分输入、差分输出,其余情况则是通用情况的特例。例如,为了获得单端输入运算,只使用一个输入端,将另一端接地。使用单端输入时,可以采用同相输入端v₁, 也可以采用反相输入端v₂。
14.2 差分放大器的直流分析
图a所示是差分放大器的直流等效电路。在本章的讨论中,假设晶体管的集电极电阻相同。在初步分析中,两个基极是接地的。
这里采用的偏置电路与之前章节讨论过的双电源发射极偏置结构几乎相同。发射极偏置电路中负电源电压大多是加在发射极电阻上,产生一个固定的发射极电流。
14.2.1 理想分析
差分放大器有时也称为长尾对,因为两个晶体管共用一个电阻RE, 流过该共用电阻的电流称为尾电流。如果忽略图a中发射结压降VBE, 那么发射极电阻的上端就是理想的直流地。这样VEE完全加在电阻Re上,则尾电流为:
该式可用于故障诊断和初步分析,它直观地反映了问题的本质,即发射极电源电压几乎全部加到发射极电阻上。
当a中的两个半边电路完全对称时,尾电流被等分。则每个晶体管的发射极电流为:
集电极电压由下式给出:
Vc=Vcc-IcRc
14.2.2 二阶近似
考虑发射结上的压降VBE可以使直流分析更准确。图b电路中发射极电阻上端的电压比地电位低VBE, 故尾电流为: