电子电路原理第十二章(晶闸管)

晶闸管一词来源于希腊语，意思是“门”,如同在电路中打开一扇门让某物通过。晶闸管是一种利用内部反馈来实现开关作用的半导体器件。最重要的晶闸管是可控硅整流器和三端双向可控硅开关元件。类似于功率场效应管，可控硅整流器和三端双向可控硅开关可以实现对大电流的开关控制。因此，它们可用于过电压保护、电机控制、加热器、照明系统和其他大电流负载。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)不属于晶闸管系列，本章将其作为一种重要的功率开关器件加以介绍。(注:本章节会有部分电路指示图及表格省略,读者勿怪)

12.1  四层二极管

晶闸管的工作原理可以用等效电路来解释。上方的晶体管Q₁是pnp器件，下方的晶体管Q₂是npn器件。Q₁的集电极作为Q₂基极的驱动，同时，Q2的集电极作为Q1基极的驱动。

12.1.1  正反馈

电路的特殊连接方式构成了正反馈。Q₂基极电流的任何变化都将被放大并且通过Q₁的反馈得到增强。这种正反馈将持续改变Q2的基极电流直至两个晶体管都进入饱和或者截止状态。

例如，如果Q₂的基极电流增加，则其集电极电流也增加，从而使Q₁的基极和集电极电流增加。Q₁集电极电流的增加将会进一步增大Q₂的基极电流。这种放大反馈作用会一直持续到两个晶体管均达到饱和。此时，电路的功能类似于闭合的开关。

另一方面，当Q₂的基极电流由于某种原因减小，则其集电极电流也减小，从而使Q₁的基极和集电极电流减小。Q₁集电极电流的减小将会使Q2的基极电流进一步减小。这种作用会一直持续到两个晶体管均进入截止区。此时，电路的功能类似于断开的开关。

电路在断开或闭合状态下都是稳定的。该电路可以一直保持在任意一个状态，直至有外力作用于它。如果电路是开路状态，它将一直处于开路状态直至某种原因导致Q₂的基极电流增加。如果电路是闭合状态，它将一直处于闭合状态直至某种原因导致Q₂的基极电流减小。由于该电路能够一直保持在任意一个状态，因此称为闩锁电路。

12.1.2  闩锁电路的闭合

下图所示是一个与负载电阻相连的闩锁电路，电源电压为Vcc。假设闩锁电路是断开的，如图所示。由于没有电流经过负载电阻，闩锁电路两端电压等于电源电压，因此，工作点位于直流负载线的下端。

将图所示闩锁电路闭合的唯一方法是击穿导通，即用足够高的电源电压Vcc使Q₁的集电结击穿。由于Q₁的集电极电流增大了Q₂的基极电流，正反馈机制开始发挥作用，两个晶体管进入饱和区。理想情况下，两管饱和时具有短路特性，闩锁电路闭合,   此时，它两端的电压为零，工作点位于直流负载线上端。

如果图电路中的Q₂先被击穿，击穿导通也会发生。尽管击穿导通可以由任一管集电结的反向击穿开始，但结果都是使两个晶体管进入饱和状态。因此这里使用击穿导通而不是击穿一词来描述闩锁电路的闭合情况。

知识拓展  四层二极管在现代电路设计中已几乎不再使用。事实上，大多数厂家已经不再生产这种器件。尽管这种器件已几乎被废弃，但是这里仍然对它进行了详细的讨论，因为其工作原理适用于很多目前常用的晶闸管。实际上，大多数晶闸管都是在四层二极管的基础上经过少量变化后形成的。

12.1.3  闩锁电路的断开

如图所示的闩锁电路断开的方法是：将电源电压Vcc降低至零，迫使晶体管从饱和状态变为截止状态。该方法通过将闩锁电流减小到足够低的值，使晶体管脱离饱和状态，故而称为低电流截止。

12.1.4  肖克利二极管

如图所示的器件最初以发明者的名字命名为肖克利二极管。该器件还有其他几个名称：四层二极管，pnpn二极管，硅单边开关。该器件中的电流只能单向流动。

为了理解这种器件的工作原理，可以将它拆分为两部分，如图所示。左边是一个pnp晶体管，右边是一个npn晶体管。因此，四层二极管可以等效为图所示的闩锁电路。

如图所示是四层二极管的电路符号。将四层二极管闭合的唯一方法是击穿导通， 断开它的唯一方法是低电流截止，即减小电流，使其低于保持电流 (由数据手册得到)。 保持电流的值很小，晶体管电流小于该值时将从饱和状态转为截止状态。

四层二极管被击穿导通后，它上面的理想电压为零。实际上，闩锁二极管两端仍会有一点压降。图所示是IN5158在闭合时的电流-电压关系曲线。可见，器件两端的电压随着电流的增加而增加，例如，0.2A 时为1V, 0.95A时为1.5V, 1.8A时为2V等。

12.1.5   击穿导通特性

如图所示是四层二极管的电流-电压曲线。器件有两个工作区域：截止区和饱和区。图中的虚线是截止区与饱和区的转换轨迹，用虚线表示的意思是器件在截止和导通之间的转换速度很快。

器件在截止区的电流为零。如果二极管上的电压超过VB,  器件将被击穿导通，并迅速沿虚线进入饱和区。当器件工作在饱和区时，对应的是上方的曲线。只要流过它的电流大于保持电流IH, 二极管将锁定在导通状态；如果电流小于IH,   则器件转换到截止状态。

四层二极管的理想化近似模型为：截止时等效为断开的开关，饱和时等效为闭合的开关。二阶近似模型则包含拐点电压VK,  图中约为0 .7V 。 高阶近似模型需要使用计算机仿真软件或者参考四层二极管的数据手册。

12.2    可控硅整流器

可控硅整流器是应用最广的晶闸管。它可作为大电流的开关，因此常用于控制电机、 烤箱、空调和磁感应加热器。

知识拓展  与其他类型的晶闸管相比，可控硅整流器用于对更大电流和电压的处理。目前，它所能控制的电流高达1.5kA, 电压超过2kV。

12.2.1    闩锁电路的触发

在Q₂基极增加 一 个输入端口，如图a所示 ，这是实现闭合闩锁电路的另一种方法。下面是其工作原理：当闩锁电路断开时，如图b所示，工作点位于直流负载线的下端(见图d)。 为了闭合闩锁电路，加入一个触