电子电路原理第十一章(MOS场效应晶体管)

金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)由源极、栅极和漏极构成。MOS场效应晶体管与结型场效应晶体管的不同在于，它的栅极与沟道之间是绝缘的。因此，MOS管的栅极电流更小。MOS管有时也称绝缘栅场效应晶体管 (Insulated-Gate  FET,IGFET)。

MOS场效应晶体管有两类：耗尽型和增强型。增强型MOS管广泛用于分立电路和集成电路。在分立电路中，MOS管主要用作电源开关，控制大电流的导通和关断。在集成电路中，MOS管主要用作数字开关，这是现代计算机内部的基本操作。耗尽型MOS管的使用虽然不多，但仍在通信电路射频前端的射频放大器中有所应用。(注:本章节的部分电路指示图和表格图会省略)

11.1   耗尽型MOS场效应晶体管

下图所示是一个耗尽型MOS场效应晶体管(DMOS)。左边是n型区，与绝缘栅相连。右边是p型区，该区域称为衬底。电子从源极流向漏极时，必须经过栅极与衬底之间的狭窄沟道。在沟道左侧表面淀积了一层很薄的二氧化硅 (SiO₂), 二氧化硅和玻璃一样是绝缘体。MOS管的栅极是金属的。由于金属栅与沟道之间是绝缘的，即使栅电压是正的， 栅极电流也可以忽略不计。

知识拓展  耗尽型MOS管和JFET一样，都是常通器件。即当Vcs=0时，有漏极电流。对于JFET而言 ，Inss是漏极电流的最大值。而对于耗尽型MOS管，只要栅压偏置的极性正确，使得沟道中的载流子数量增加，则产生的漏极电流可以大于Ipss 。 如n沟道耗尽型MOS管，当Vcs为正时，漏极电流Ip大于Ipss。

下图所示是一个栅电压为负的耗尽型MOS管。电源电压VDo使自由电子从源极流向漏极，经过p型衬底左侧的狭窄沟道。与JFET一样，栅极电压控制沟道的宽度。栅极电压负值越大，漏极电流越小。当栅极负电压足够大时，漏极电流截止。因此，当Vcs取负值时，耗尽型MOS管的工作原理与JFET是相似的。

因为栅极是绝缘的，所以栅极可以加正电压，如图所示。正栅压使通过沟道的自由电子数量增加。栅极正电压越大，源极到漏极的电流越大，其导电性能越强。

11.2  耗尽型MOS场效应晶体管特性曲线

下图所示是典型n沟道耗尽型MOS管的一组漏极特性曲线。在VGs=0以上的曲线是正偏压，在Vcs=0以下的曲线是负偏压。和JFET一样，底部的曲线对应Vcs=VGScof, 此处漏极电流近似为零。当Vcs=0V时，漏极电流等于Ipss 。这说明耗尽型MOS管(DMOS管)是常通器件。当Vcs取负值时，漏极电流将减小。与n沟道JFET相比 ，n沟道DMOS管在Vcs取正值时仍可以正常工作，因为不会导致pn结的正偏。当Vcs为正时 ，Ip将以平方律关系增加，公式如下：

当Vcs为负值时， DMOS管工作在耗尽模式。当Vcs为正值时 ，DMOS管则工作在增强模式。和JFET 一 样 ，DMOS管特性曲线包括了电阻区、恒流区和截止区。

上图所示是DMOS管的跨导特性曲线。 Ipss是栅源短路时的漏极电流，它不再是最大的漏极电流。这个撬杠形状的跨导特性曲线与JFET的相同 ， 符合平方律关系 。 因此 ， 耗尽型MOS管与JFET的分析方法也几乎相同，主要区别是耗尽型MOS管的Vcs既可以取正值也可以取负值。

11.3    耗尽型MOS场效应晶体管放大器

耗尽型MOS管的特性很明显，它可以在正栅压和负栅压下工作。因此，可以将Q点设为Vcs=0V, 当输入信号为正时，漏极电流Ip大于Ipss 。 当输入信号为负时，漏极电流Ip小于Ipss。因为没有pn结被正偏，所以MOS管的输入电阻始终非常高。由于可以设置零偏压，因此可采用非常简单的偏置电路。因为栅极电流Ic为零 ，Vcs=0V且Ip=Ipss,所以漏极电压为：

VDs=VDD-IpssRp   

由于DMOS管是常通器件，可以在源极加一个电阻实现自偏置，其工作特性与自偏置JFET电路相同 。

11.4    增强型MOS场效应晶体管

耗尽型MOS管是增强型MOS 场效应晶体管(简写为EMOS管)的一个衍生类型 。 如果没有EMOS管，就不会有现在如此普及的个人计算机。

11.4.1    基本概念

下图所示是EMOS管 ，p型衬底延展到表面的二氧化硅层。可见，源极和漏极之间是没有n沟道的。下面介绍EMOS管的工作原理。图显示的是通常的偏置极性， 当栅极电压为零时，源极和漏极之间的电流为零。因此， EMOS管在栅电压为零时是常断的。

EMOS管需要加正栅压才能获得电流 。当栅压为正时，它吸引自由电子到p区与二氧化硅层的界面附近，与那里的空穴复合。当正栅压足够大时，二氧化硅层附近的空穴都被填满，则那里余下的自由电子便开始在源极和漏极之间流动。相当于在二氧化硅层附近产生 一个很薄的n型层，这个可以导电的薄层叫作n反型层。 当该反型层出现时，自由电子便可以很容易地从源极流到漏极。

能够产生n反型层的最小Vcs称作阈值电压，符号为VGS(h)。当Vcs小于Vcsch)时 ， 漏极电流为零。当Vcs大于Vcs(h) 时 ，n反型层使源区和漏区相连接，漏极电流可以从中流过。小信号器件的典型VGs(h)值为1 ~ 3Ve。

JFET被认为是耗尽型器件，因为它的导电性能取决于耗尽层的情况。 EMOS管则被认为是增强型器件，因为栅源电压大于阈值电压时可使导电性能增强。当栅电压为零时， JFET导通，而EMOS管截止。所以，EMOS管被认为是常断器件。

知识拓展  EMOS管的Vcs必须大于Vcs(th)才能获得漏极电流。因此，对EMOS管不能采用自偏置、电流源偏置和零偏置方法，这些偏置方法只适用于耗尽型工作模式。对于EMOS管的偏置方法只有栅极偏置、分压器偏置和源极偏置。

11.4.2  漏极特性曲线

小信号EMOS管的额定功率为1W或更小。下图所示是一组典型小信号EMOS管的输出特性曲线。最下面的曲线对应于VGs(th)。当Vcs小于Vcsch)时，漏极电流近似为零。当Vcs大于Vcs(th)时，晶体管导通，且其漏极电流受栅电压控制。

图中曲线几乎垂直的部分是电阻区，几乎水平的部分是有源区。当偏置在电阻区时， EMOS管等效为电阻。当偏置在有源区时，则等效为电流源。虽然EMOS管可以工作在 有源区，但其主要的应用是在电阻区。

上图所示是一个典型的跨导特性曲线。当Vcs小于VGs(th)时，漏极电流为零。 Vcs大于Vcsch)后，漏极电流随着Vcs的增加迅速增加，达到饱和电流Ipsat) 。当Vcs超过该点后，则工作在电阻区。所以，当Vcs继续增加时，电流不再增加。为确保晶体管处于深度饱和状态，栅源电压VGscom)应远大于Vcs(th),  如图所示。

11.4.3  电路符号

当Vcs=0时，源漏之间没有导电沟道，因而EMOS管截止。电路符号以间断的沟道表示该器件的常断状态。当Vcs大于VGS(h) 时，产生n反型层将源极和漏极连接起来。图中的箭头指向反型层，表示当器件导通时，形成的是