电子电路原理第五章(双极型晶体管基础)_双极型晶体管电流和基极发射极电压-CSDN博客

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1951年，William Schockley发明了第一个结型晶体管，这种半导体器件能够放大电子信号，如广播和电视信号。晶体管的出现带来了许多半导体领域的其他发明，包括集成电路 (IC), 这种电路可以在一个很小的器件中包含成千上万的微小晶体管。由于有了集成电路，使得现代计算机和其他电子奇迹的出现成为可能。

本章介绍双极型晶体管 (BJT)的基本原理，这种晶体管利用的是自由电子和空穴。双极是“两种极性”的缩写。后续章节将会研究双极型晶体管的放大特性和开关特性。本章也将研究如何为双极型晶体管设置适当的偏置以使其具有开关特性。(注:本章节的部分电路指示图和表格图会省略)

5.1 无偏置的晶体管

晶体管有三个掺杂区。底部区域是发射极，中间区域是基极，顶部区域是集电极。实际晶体管的基极比集电极和发射极薄很多。晶体管是一个npn型器件，p区在两个n区的中间。n型材料中的多子是自由电子，p型材料中的多子是空穴。

晶体管也可以制造成pnp 型。pnp型晶体管的n 区在两个p 区中间。为了避免npn管和pnp管的混淆，首先集中讨论npn型晶体管。

5.1.1 掺杂浓度

发射极是重掺杂的，基极掺杂浓度较轻，集电极的掺杂浓度为中等，介于发射极重掺杂和基极轻掺杂之间。集电极区域在外形上是三个区域中最大的。

5.1.2 发射结和集电结

晶体管有两个结，一个在发射极和基极之间，另一个在集电极和基极之间。因此，晶体管看起来好像两个背靠背的二极管。下面的二极管称为发射极-基极二极管，或简称为发射结，上面的二极管称为集电极一基极二极管，或简称为集电结。

5.1.3 扩散前后

晶体管各区域载流子扩散之前的情况。如第1章中的讨论，n区中的自由电子将会穿过pn 结扩散到p 区并与那里的空穴复合。两个n区的自由电子都会穿过pn结并与空穴复合。

扩散的结果是形成两个耗尽层。对硅晶体管而言，每个耗尽层的势垒电压在25℃下大约为0.7V ( 锗晶体管在25 ℃下为0.3V) 。这里重点讨论硅器件，因为目前硅器件比锗器件的应用更广泛。

知识拓展 晶体管有时又称为“双极型晶体管”,或BJT。而电子工业界大多数人仍将“晶体管”这个词默认为双极型晶体管。

5.2 有偏置的晶体管

未加偏置的晶体管像是两个背靠背的二极管。每个二极管的势垒电压大约为0.7V 。记住这个二极管等效电路对于使用数字万用表测量npn晶体管是有帮助的。将外部电压源连接到晶体管上时，可以得到通过晶体管不同区域的电流。

5.2.1 发射极电子

施加偏置的晶体管，负号表示自由电子。重掺杂发射极的作用是将自由电子发射或注入到基极。轻掺杂基极的作用是将发射极注入的电子传输到集电极。集电极收集或聚集来自基极的绝大部分电子，因而得名。

晶体管的常见偏置方式。其中左边的电源 VBB使发射结正偏，右边的电源Vcc使集电结反偏。尽管还有其他可能的偏置方式，但是发射结正偏，集电结反偏是最常用的偏置方式。

知识拓展 晶体管中，发射极-基极间的耗尽层要比集电极-基极间的窄，原因是发射极和集电极的掺杂浓度不同。由于发射极的掺杂浓度高，有足够多的自由电子可以提供，所以耗尽层扩展到 n 型区的宽度小。而相比之下，集电极的自由电子较少，为建立起势垒电压，耗尽层必须扩展得更宽一些。

5.2.2 基极电子

在发射结正偏的瞬间，发射极中的电子尚未进入到基区。如果VBB大于发射极-基极的势垒电压，那么发射极电子将进入基区。理论上，这些自由电子可以沿着以下两个方向中任意一个流动。第一，它们可以向左流动并从基极流出，通过该路径上的RB 到达电源正极。第二，自由电子可以流到集电极。

自由电子会去向哪里呢?大多数电子会继续流到集电极。原因有两个: 一是基极轻掺杂，二是基区很薄。轻掺杂意味着自由电子在基区的寿命长，基区很薄则意味着自由电子只需通过很短的距离就可以到达集电极。由于这两个原因，几乎所有发射极注入的电子都能通过基极到达集电极。

5.2.3 集电极电子

几乎所有的自由电子都能到达集电极。当它们进入集电极，便会受到电源电压Vcc的吸引。这些自由电子因而会流过集电极和电阻Rc, 到达集电极电压源的正极。

总结一下：VBB使发射结正偏，迫使发射极的自由电子进入基极。基极很薄而且浓度低，使几乎所有电子有足够时间扩散到集电极。这些电子流过集电极和电阻Rc, 到达电压源Vcc的正极。

5.3 晶体管电流

npn型晶体管的电路符号。表示传统电流时，可使用图。表示电子流时，可使用。在晶体管有三种不同的电流：发射极电流Ie 、基极电流 IB 和集电极电流Ic。

5.3.1 电流的大小

发射极是电子发射的源头，因而它的电流最大。由于发射极中大多数电子流到集电极，所以集电极电流几乎和发射极电流大小相同。比较而言，基极电流非常小，通常不到集电极电流的1/100。

5.3.2 电流间的关系

由基尔霍夫电流定律：流入一个点或结的所有电流总和等于流出这个点或结的所有电流总和。对于晶体管，得出如下重要的关系式：

IE=Ic+IB

即发射极电流是集电极电流和基极电流之和。由于基极电流很小，集电极电流几乎等于发射极电流：

Ic≈IE

基极电流远小于集电极电流：

IB<Ic

(注：“<”表示远小于。)

是pnp晶体管的电路符号和它的电流，它的电流方向和npn管的相反。

5.3.3 直流系数 α

直流系数α(用 αdc表示)定义为集电极直流电流与发射极直流电流之比：

因为集电极电流几乎等于发射极电流，所以 αdc略小于1。

例如，对于一个低功率晶体管， αdc通常大于0.99。即使是大功率晶体管， αde也通常大于0.95。

5.3.4 直流系数 β

晶体管的直流系数β(用符号 βa 表示)定义为集电极直流电流与基极直流电流之比：

β.也称为电流增益，通过较小的基极电流控制比它大得多的集电极电流。

具有电流增益是晶体管的主要特点，几乎所有应用都是由此产生的。对于低功率晶体管 (小于1W), 电流增益通常为100～300。大功率(高于1W) 晶体管的电流增益通常为 20～100。

5.3.5 两个推论

式5.3.4可以重新整理成两个等效形式。首先，如果已知 βdc和 Ig 的值，可以用下面的推论计算集电极电流：

Ic=βdcIB

其次，如果已知β和 Ic 的值，可以利用下面的推论计算基极电流：

5.4 共发射极组态

晶体管有三种有用的组态：CE (共发射极)、 CC (共集电极)和 CB (共基极)。 CC 和CB 组态将在后续章节讨论。本章集中讨论应用最广的CE 组态。

5.4.1 共发射极

在电路中，两个电压源的公用端或地端连接到发射极上，该电路称为共发射极组态。该电路有两个回路，左边的回路是基极回路，右边的是集电极回路。

在基极回路中，电压源VBB使发射结正偏， RB为限流电阻。通过改变 VBB或 Rg, 可以改变基极电流，而改变基极电流将使集电极电流发生改变，即基极电流控制集电极电流。这一点很重要，说明可以用小电流(基极)控制大电流(集电极)。

在集电极回路中，电压源Vcc通过Rc 使集电结反偏。电压源Vcc 必须使集电结反偏，否则晶体管将不能正常工作。即集电极必须是正电压，这样才能够将注入基极的大多数自由电子收集过来。

知识拓展 有时将基极回路称为输入回路，集电极回路称为输出回路。在连接中，输入回路控制输出回路。

5.4.2 双下标

晶体管电路中常使用双下标表示方法。当下标中两个字符相同时，电压表示电压源 (VBB和 Vcc) 。当下标中两个字符不同时，则表示两点间的电压 (VBE和 VcE)。

例如，VBB下标中两个字符相同，表明VBB是基极电压源。同样地， Vcc 是集电极电压源。VBE表示B 点和E 点之间的电压，即基极和集电极之间的电压。同样， Vce 是C点和E点之间的电压，即集电极和发射极之间的电压。测量双下标电压时，主探针或正极探针放在第一个下标对应的电路节点处，共地探针与第二个下标对应的电路节点相连接。