电子电路原理第十章(结型场效应晶体管)

双极型晶体管(BJT)的工作依赖于两种电荷：自由电子和空穴，因此称为双极型。 本章讨论另一种晶体管，场效应晶体管(FET)。这类器件是单极型的，因为它的工作只需要一种电荷：自由电子或空穴。即FET中只有多子而没有少子。

对于大多数线性应用， BJT是最佳选择。但由于FET具有高输入阻抗和一些其他特性，使之在有些线性应用中更为合适。此外， FET在大部分开关电路中性能更好。因为FET中没有少子，所以在截止时没有存储电荷需要从结区消散，从而关断速度更快。

单极型晶体管有两种类型：结型场效应管(JFET)和MOS场效应管(MOSFET)。

本章讨论结型场效应晶体管(JFET)及其应用。在下一章，将讨论金属-氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)及其应用。(注:本章节部分电路指示图和表格图会省略)

10.1  基本概念

一个n型半导体。下端称为源极，上端称为漏极，电源电压Voo使自由电子从源极流向漏极。制造JFET时，在n型半导体中通过扩散形成两个p型区，两个p型区在内部连接在一起并引出一个引脚称为栅极。

知识拓展   JFET的温度特性通常比BJT更稳定，而且体积比BJT小得多。器件尺寸上的差别使得JFET更适宜于集成，因为集成电路中元件的尺寸是很关键的。

10.1.1  场效应

JFET的正常偏置情况。漏极电源电压是正的，栅极电源电压是负的。 场效应与p区周围的耗尽层有关。n区的自由电子扩散到p区，自由电子和空穴复合形成的耗尽层，如图中阴影区域所示。

10.1.2  栅极反向偏置

在图中，p型栅极和n型源极形成了栅源二极管。JFET中的栅源二极管总是反偏的。由于pn结反偏，栅极电流I₆几乎为零，相当于JFET的输入电阻近似为无穷大。

知识拓展   耗尽层实际上在p区的顶端要宽一些，在底端要窄一些。宽度的改变是由于漏极电流Ip沿沟道长度方向所产生的压降。从源极开始，沿沟道向漏极方向的正电压越来越大。耗尽层的宽度与pn结反偏电压成正比，由于顶部的反偏电压大，所以这里的耗尽层更宽。

典型JFET的输入电阻为几百兆欧。与双极型晶体管相比，输入阻抗高是一大优势， 也是JFET更适于在有高输入阻抗要求的场合应用的原因。JFET的一个最重要的应用是源极跟随器，一种与射极跟随器类似的电路。源极跟随器在低频时的输入阻抗可以高达几百兆欧 。

10.1.3  栅压对漏极电流的控制

在图中，电子从源极流向漏极必须经过耗尽层之间的窄沟道。栅极负电压的值变大时，由于耗尽层扩展，使导电沟道变窄。负值栅压越大，源极和漏极之间的电流越小。

因为JFET的输入电压控制它的输出电流，因此是压控器件。在JFET中，栅源电压Vcs决定了源漏电流的大小。当Vcs为零时，流过JFET的漏极电流最大，所以JFET通常情况下是处于导通的。当Vcs负电压足够大时，使两侧耗尽层相连接，则漏极电流被关断 。

10.1.4   电路符号

图所示的是n沟道JFET, 源极和漏极之间的沟道是n型的。图是n沟道JFET的电路符号。在许多低频应用中，源极和漏极是可以互换的，即可以将任一端作为源极，另一端作为漏极。

源端和漏端在高频时是不可互换的。因为在器件制造时总是将JFET漏极的寄生电容最小化，即栅漏间的电容比栅源间的电容要小。后续章节中将进一步学习寄生电容及其对电路的影响。

图所示是n沟道JFET的另一种电路符号。该符号中栅极的位置偏向源极。很多工程师和技术人员更愿意使用这种符号。在复杂的多级电路中使用这种符号有很明显的好处。

图所示是p沟道JFET的电路符号。与n沟道JFET类似，只是栅极的箭头指 向相反的方向。 p沟道JFET的特性与n沟道JFET是互补的，即所有的电压和电流都是反方向的。为了使p沟道JFET反偏，栅极相对于源极应为正，所以Vcs 是正的。

10.2    漏极特性曲线

图所示是一个正常偏置的JFET 。 在该电路中，栅源电压Vcs等于栅极电源电压Va, 漏源电压Vps等于漏极电源电压VDD。

10.2.1  最大漏极电流

如果将栅极和源极短接，由于Vcs=0, 因此漏极电流最大，如图所示。在栅极短接条件下的漏极电流Ip关于漏源电压Vns 的特性图线如图所示。可以看出，漏极电流初始时增加很快，但当Vps大于Vp后，曲线便几乎保持水平了。

漏极电流几乎保持恒定的原因是：当Vps增加时，耗尽层扩展；当VDs=Vp时，两边的耗尽层几乎相连，使得变窄的导电沟道被夹断，阻止了电流的进一步增加。因此电流的上限是Ipss 。

在Vp和VDs(max)之间是JFET的有源区 。 最小电压Vp称为夹断电压 ， 最大电压VDs(max是击穿电压。 当 Vcs=0时 ，JFET在夹断电压与击穿电压之间具有电流源的特性， 电流值近似为Ipss。

Ioss代表在栅极短接情况下，从漏极流向源极的电流，这是JFET所能产生的最大漏极电流。所有JFET的数据手册中都会列出 Ipss的值 。 这是JFET最重要的参量之一 ，因为它是JFET电流的上限，是需要首先确定的。

知识拓展   当Vps大于夹断电压Vp 时，沟道电阻也随着Vps 的增加成比例地增加，使得Vps 的增加与沟道电阻的增加相抵消，因此， Ip保持不变。

10.2.2  电阻区

如图显示，夹断电压将JFET的工作区分为两个主要部分。特性曲线几乎水平的区域是有源区，低于夹断电压的较陡的部分称为电阻区 。

当 JFET 工作在电阻区时，其特性等效于一个电阻，其阻值近似为：

Rps被称为JFET的欧姆电阻。在图中， Vp=4V,Ipss=10mA,  因此，欧姆电阻为：

如果JFET工作在电阻区，则该区域任意位置的欧姆电阻都为400Ω。

10.2.3  栅源截止电压

如图所示是JFET的漏极特性曲线， Ipss为10mA 。 最上方的曲线通常是栅极短接(Vcs=0)时的曲线 。 在本例中 ， 夹断电压是4V,  击穿电压为30V 。其下方的曲线对应Vcs=-1V, 再下方的对应Vcs=-2V, 以此类推 。

可见，栅源电压负值越大，漏极电流越小。

最底部的曲线很重要。当Vcs=-4V时 ， 漏极电流几乎减小为零，该电压称为栅源截止电压，在数据手册中表示为Vcs(f)。 当栅源电压取该值时，两个耗尽层相连，使导电沟道消失， 因此漏极电流几乎为零。

值得注意的是，在图中：

VGS(off)=-4V,             Vp=4V

这并不是巧合。因为这是两边的耗尽层相连或几乎相连时的值，所以两个电压在幅度上是相等的。数据手册中可能会列出两个量之一 ，由此便可知另 一 个量具有相同的幅度。其关系式为 ：

VGScof)=-Vp

知识拓展   在很多教材和产品数据手册中经常将截止电压与夹断电压相混淆。截止电压VGS(off)是将沟道完全夹断时的 Vcs 值，此时漏极电流减小至零。而夹断电压是指在Vcs=0V时 ， 使Ip达到恒定值时的Vns