Flash | RAM | SRAM | DRAM

Flash & RAM

Flash和RAM(random-access memory)是两种不同类型的存储器。

• 性质和持久性

  • Flash： Flash存储器是一种非易失性存储器，这意味着它在断电后可以保持存储的数据。它通常用于存储固件、操作系统、应用程序和其他持久性数据。
  • RAM：RAM是易失性存储器，它的数据在断电后会丢失。RAM主要用于临时存储运行时数据，例如程序的变量，堆栈和堆内存。

• 速度

  • Flash：flash存储器的读取速度相对较慢，写入速度也可能相对慢一些。它通常设计为支持随机读取，但写入速度可能受到一些限制。
  • RAM：RAM的读取和写入速度通常非常快，因为它是用于临时存储和快速访问数据的。

• 用途

  • Flash：Flash主要用于存储持久性数据，如操作系统、固件、应用程序、配置文件等。它也常用于存储固定的程序代码。
  • RAM：RAM用于存储运行时数据，包括程序的运行状态、变量、中间结果等。它提供了临时的、易于访问的存储空间，但不适合长期存储数据。

• 容量

  • Flash：Flash存储器通常有较大的容量，适用于存储大量的数据和程序。
  • RAM：RAM容量相对较小，因为它通常是用于临时存储和快速访问数据的。

• 成本

  • Flash：Flash存储器通常相对较昂贵，特别是对于高容量的存储器。
  • RAM：RAM相对较便宜，但成本随着容量的增加而增加。

• 其中，市面上几乎所有的SSD（固态硬盘）通常使用Flash存储技术。

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SRAM & DRAM

RAM还分为SRAM和DRAM这两种主要类型。

单片机通常使用SRAM，在单片机应用中，对于存储器的访问速度、可靠性和功耗等方面的需求通常更适合使用SRAM。

• SRAM（Static Random-Access Memory) 速度快 耗电相对较高 存储密度较低 较高成本
  • 静态性质：SRAM是一种静态存储器，其存储单元（通常是触发器）可以保持数据的状态，无需刷新操作。
  • 读写速度：由于其静态性质，SRAM具有快速的读写速度，访问存储单元几乎可以立即完成。
  • 不需要刷新：与DRAM不同，SRAM不需要周期性刷新操作。这降低了对控制电路的复杂性，但也导致了相对较高的功耗。
  • 存储密度较低：每个存储单元通常需要6个晶体管，导致存储密度相对较低。
• DRAM（_Dynamic Random-Access Memony) 速度较慢 耗电相对较低 存储密度较高 较低成本
  • 动态性：DRAM是动态存储器，需要定期刷新以保持存储的数据。每个存储单元使用电容来存储电荷，但电容会逐渐失去电荷，因此需要定期刷新，否则数据将丢失。
  • 速度较慢：这是因为它的存储单元结构相对复杂，涉及电容的充放电过程。
  • 低成本：在容量大、成本敏感的应用中很常见。