基于STM32F103c8t6进行Flash读写操作

一、Flash地址空间的数据读取

stm32f103c8t6只有20KB 内存(RAM)供程序代码和数组变量存放,因此,针对内部Flash的总计64KB存储空间(地址从0x08000000开始),运行一次写入8KB数据,总计复位运行代码8次,将64KB数据写入Flash,并验证写入数据的正确性和读写速率。此外,继续往后续地址写入数据,检验stm32f103c8t6 实际FlashROM是否超过64KB。

(1)Flash原理

不同型号的 STM32,其 FLASH 容量也有所不同,最小的只有 16K 字节,最大的则达到了 1024K 字节。市面上 STM32F1 开发板使用的芯片是 STM32F103系列,其 FLASH 容量一般为 512K 字节,属于大容量芯片。
Flash的编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写为1,所以在进行Flash编程前,必须将对应的块擦除,即将该块的每一位都变为1,块内所有字节变为0xFF。

(2)使用CubeMX建立工程

RCC配置
在这里插入图片描述
SYS配置
在这里插入图片描述
GPIO设置
在这里插入图片描述
NVIC配置
在这里插入图片描述
Clock Configuration配置
在这里插入图片描述
设置堆栈大小
在这里插入图片描述

(3)代码编写

将事先准备好的flash.c 及flash.h加入到工程中
在这里插入图片描述
在main.c文件中添加部分代码
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述


/* USER CODE END Header */

/* Includes ------------------------------------------------------------------*/
#include "main.h"
#include "gpio.h"

/* Private includes ----------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN Includes */
#include "flash.h"
/* USER CODE END Includes */

/* Private typedef -----------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN PTD */

/* USER CODE END PTD */

/* Private define ------------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN PD */

/* USER CODE END PD */

/* Private macro -------------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN PM */

/* USER CODE END PM */

/* Private variables ---------------------------------------------------------*/

/* USER CODE BEGIN PV */

/* USER CODE END PV */

/* Private function prototypes -----------------------------------------------*/
void SystemClock_Config(void)
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