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不过最好自己敲一遍,印象深刻一点。
一、使用stm32cudeMX创建工程
1、配置烧录方式
2、配置时钟源
3、配置时钟树
4、项目生成参数配置
5、最后生成一个这种工程文件夹
总的来说,用stm32cudeMX生成工程还满方便的。LL库和标准库风格差不多,偏底层一点,正好好好复习一波基本功。下面的flash读写操作,是根据hal库还有正点原子的程序魔改的。干了这么多年嵌入式,回头一看,基础是那么的不堪啊。。。。。。
二、代码部分
1、FLASH页擦除操作
思路大概如下:
代码部分:
2、FLASH读操作
FLASH的读操作非常的直接,直接通过地址读取对应的数据。
3、FLASH写操作
写操作大概的步骤是解锁->备份->修改备份->页擦除->写入->上锁
为什么要先擦除呢,我查了一下,原因是单片机flash是一种掉电不丢失的存储介质,他的存储单元是由浮动栅极晶体管构成。当电子被注入浮动栅极后,栅极的电荷就固定了,无法再次吸收电子。所以要执行擦除操作,把这个片区复原一下,再写入。
半字写入:
魔改hal的写入接口:
可以半字,一个字,还有两个写入。
已经进行过擦除操作,可以直接用这个函数:
如果不知道之前擦没擦除过,可以用这个函数:
uint16_t g_flashbuf[2048/2];
FLASH_ERROR_CODE_E flash_write(uint32_t waddr, uint16_t *pbuf, uint16_t length)
{
uint32_t secpos; //扇区页地址
uint16_t secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)
uint16_t secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
uint16_t i;
uint32_t offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if((!pbuf) || (length < 1)) //判断参数合法性
{
return FLASH_PARAM_ERROR;
}
if(!IS_FLASH_ADDRESS(waddr))
{
return FLASH_ADDR_ERROR; /* 非法地址 */
}
offaddr = waddr - STM32_FLASH_BASE; /* 实际偏移地址. */
secpos = offaddr