STM32之内部FLASH原理

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本文介绍了STM32F1系列芯片内部FLASH的组织结构,包括主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器。详细阐述了主存储器的页划分,信息块的功能以及闪存接口寄存器的作用。接着,讨论了如何进行闪存的读取,强调了根据CPU时钟设置等待周期的重要性。最后,概述了编程和擦除过程,包括编程前的准备、编程步骤、擦除操作,并提到了页擦除和整片擦除的区别。
摘要由CSDN通过智能技术生成

不同型号的 STM32,其 FLASH 容量也有所不同,最小的只有 16K 字节,最大的则达到了 1024K 字节。市面上 STM32F1 开发板使用的芯片是 STM32F103系列,其 FLASH 容量一般为 512K 字节,属于大容量芯片。大容量产品的 Flash 模块组织结构如图 40.1.1 所示:

STM32F1 的闪存(Flash)模块由:主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。下面我们就来介绍下这些组成部分:

①主存储器。该部分用来存放代码和数据常数(如 const 类型的数据)。对于大容量产品,其被划分为 256 页,每页 2K 字节。注意,小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000, BOOT0、BOOT1 都接 GND 的时候,就是从 0X08000000 开始运行代码的。

②信息块。该部分分为 2 个小部分,其中启动程序代码,是用来存储 ST 自带的启动程序,用于串口下载代码,当 BOOT0 接 V3.3, BOOT1 接 GND 的时候,运行的就是这部分代码。用户选择字节

STM32Flash是用来存储程序的,其中的循环复用是指在程序运行过程中,可以将Flash用作存储临时数据或者运行时状态的缓存。循环复用可以通过将Flash的某个区域划分为多个块,然后对这些块进行循环使用来实现。这样做的好处是可以减少对外部存储器的访问次数,提高系统的运行效率。 具体到STM32Flash循环复用,可以参考引用中提到的在SPI通信中访问外部高速Flash的例子。通过将外部Flash芯片的一部分区域划分为多个块,可以按照一定的规则进行数据的读写和擦除操作。这样就可以实现在程序运行过程中,使用Flash作为临时存储空间,而不需要频繁地访问外部存储器。 需要注意的是,STM32Flash有容量上的限制,具体的容量取决于芯片型号,可以参考引用和引用中提到的容量大小。在进行Flash循环复用时,需要根据具体的需求和系统资源进行合理的规划和设计,以确保程序的正常运行和数据的安全存储。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span> #### 引用[.reference_title] - *1* *2* [STM32嵌入式FLASH擦除与写入](https://blog.csdn.net/ABCisCOOL/article/details/115128808)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"] - *3* [STM32F103(二十七)超长篇解读【STM32访问外部flash】](https://blog.csdn.net/Curnane0_0/article/details/122107793)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"] [ .reference_list ]
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