计算机组成原理——第三章（4）

自读存储器ROM

本小节我们讲一下自读存储器ROM，分为MROM、PROM、EPROM、Flash Memory、Solid State Drives

1.掩膜式只读存储器（MROM）

MROM(Mask Read-Only Memory)，在芯片生产过程中直接写入数据，之后任何人不可重写（只能读出），可靠性高、灵活性差、生产周期长、只适合批量定制

2.一次可编程只读存储器（PROM）

PROM（Programmable Read-Only Memory）用户可以用专门的PROM写入器写入信息，写了一次就不能再更改

3.可擦除可编程只读存储器（EPROM）

EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）允许用户写入信息，之后用某种方法擦除，可进行多次重写

根据擦除的手段不同，可以把EPROM分成两个类型，一种类型是UVEPROM（ultraviolet rays）——用紫外线照射8~20分钟，擦除所有信息

还有一种是EEPROM——可用“电擦除”的方式，擦除特定的字

4.闪速存储器（Flash Memory）

保留了EEPROM的特点，断电之后也可以保存信息，且可进行多次快速擦除重写，每个存储元只需要单个MOS管，位密度比RAM高

注意：闪存需要先擦除再写入，因此闪存“写”的速度比“读”的速度慢

U盘、SD卡就是闪存

5.固态硬盘（Solid State Drives）

由控制单元+存储单元（Flash芯片）构成，与闪存的核心区别在于控制单元不一样，单存储介质都类似，可进行多次快速擦除重写。SSD速度快、功耗低、价格高。目前个人电脑上常用SSD取代传统的机械硬盘

拓展：手机辅存也使用flash芯片，但相比SSD使用的芯片集成度高、功耗低、价格贵

思维导图

很多ROM芯片虽然名字是“Read-Only”，但是很多ROM也可以“写”

闪存的写速度一般比读速度更慢，因为写入前要先擦除

RAM芯片是易失性的，ROM芯片是非易失性的。很多ROM也具有“随机存取”的特性