PN结的形成及特性

PN结的形成

物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动

当把 P 型半导体和 N 型半导体制作在一起时，在它们的交界面，两种载流子的浓度差很大，因而P区的空穴必然向N区扩散，与此同时，N区的自由电子也必然向P区扩散

图中 P 区标有负号的小圆图表示除空穴外的负离子(即受主原子)；N 区标有正号的小圆圈表示除自由电子外的正离子(即施主原子)

由于扩散到 P 区的自由电子与空穴复合，而扩散到 N 区的空穴与自由电子复合，所以在交界面附近多子的浓度下降，P区出现负离子区，N区出现正离子区，它们是不能移动的，称为空间电荷区，从而形成内电场

随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，其方向由 N 区指向 P 区，正好阻止扩散运动的进行

空间电荷区具有一定的宽度，电位差为 $U_{ho}$，电流为零

• 对称结：当 P 区与 N 区杂质浓度相等时，负离子区与正离子区的宽度也相等
• 不对称结：当两边杂质浓度不同时，浓度高一侧的离子区宽度低于浓度低的侧

两种结的外部特性是相同的

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【补充】

在电场力作用下，载流子的运动称为漂移运动

当空间电荷区形成后，在内电场作用下，少子产生漂移运动，空穴从 N 区向 P 区运动，而自由电子从 P 区向 N 区运动，同时多子的扩散运动也没有完全被阻止，在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结

绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴都非常少，在分析 PN 结特性时常忽略载流子的作
用，而只考虑离子区的电荷，这种方法称为“耗尽层近似”，故也称空间电荷区为耗尽层

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PN结的单向导电性

在平衡状态下，由于空间电荷区阻止了扩散运动的进行，的PN结是不导电的

如果在PN 结的两端外加电压,就将破坏原来的平衡状态
扩散电流不再等于漂移电流，因而PN 结将有电流流过

当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能，即呈现出单向导电性

PN结外加正向电压时处于导通状态

当电源的正极接到 PN 结的 P 端，且电源的负极接到 PN 结的 N 端时，称 PN 结外加正向电压，也称正向接法或正向偏置

此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，漂移运动减弱
由于电源的作用，扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流，PN 结导通
PN 结导通时的结压降只有零点几伏，因而应在它所在的回路中串联一个电阻，以限制回路的电流，防止 PN 结因正向电流过大而损坏

PN结外加反向电压时处于截止状态

当电源的正极接到 PN 结的 N 端，且电源的负极接到 PN 结的 P 端时，称 PN 结外加反向电压，也称反向接法或反向偏置

此时外电场使空间电荷区变宽，加强了内电场，阻止扩散运动的进行，而加剧漂移运动的进行,形成反向电流，也称为漂移电流
因为少子的数目极少，即使所有的少子都参与漂移运动，反向电流也非常小，所以在近似分析中常将它忽略不计，认为PN结外加反向电压时处于截止状态

PN结的电流方程

PN结所加端电压 $u$ 与流过它的电流 $i$ 的关系为：
$$i=I_S(e^{\frac{u}{U_T}}-1)$$

• $I_S$ 为反向饱和电流
• 常温下，即 $T=300K$ 时，$U_T\approx 26mV$ ，称 $U_T$ 为温度的电压当量
• $u$ 为 PN 结的导通电压，一般情况下，锗管的导通电压为 0.2~0.3V，硅管的导通电压为 0.6~0.7V

PN结的伏安特性

$i$ 与的关系曲线如图所示，称为 PN 结的伏安特性
其中 $u>0$ 的部分称为正向特性，$u<0$ 的部分称为反向特性

当反向电压超过一定数值 $U_{(BR)}$ 后，反向电流急剧增加，称之为反向击穿

PN结的电容效应

在一定条件，PN结具有电容效应，根据产生原因不同分为势垒电容和扩散电容

势垒电容

势垒电容是由于 PN 结两端耗尽层（空穴区）中的电荷分离而形成的电容，类似于一个“平板电容器”，P 区和 N 区分别相当于电容的两个极板，中间的耗尽层是绝缘介质

• 产生原因：

  当PN结加反向电压时，耗尽层变宽，P 区和 N 区中的多数载流子被进一步推离空穴区，形成了一个“电荷分离区域”，这个区域储存了少量电荷，表现出电容效应

• 特点：

  • 结电容随反向偏压增加而减小
  • 常见于工作在反向偏置状态下的二极管，如变容二极管，利用这种电容随电压变化的特性制作电调谐电路

扩散电容

扩散电容是指在正向偏置下，PN 结中注入到对方区域的少数载流子在结区附近积累所形成的电容

• 产生原因：

  正向偏压时，大量少数载流子被注入对方区域，这些载流子没有立即复合，而是在一定时间内缓慢扩散和复合，因此形成了储存电荷。这种对电荷储存与释放的响应，就体现为扩散电容

• 特点：

  • 扩散电容只在正向偏置时出现
  • 与电流强烈相关，电流越大，扩散电容越大

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【参考】

教材 《模拟电子技术基础（第5版）》清华大学电子学教研组编

视频教程 模拟电子技术基础 上交大 郑益慧主讲