我们在学习的时候,总是会把三极管和MOS管的特点混淆或者不清楚,这里我为大家总结一下。
三极管的实质是:用较小的基极电流信号去控制集电极的大电流信号,是“以小控大”的作用,而不是能量的放大。是电流控制器件。
MOS管是用栅极的电压去控制漏极的电流。是电压控制器件。这就是三极管和MOS管工作上的区别。
如下是三极管和MOS管的原理图
编辑
MOS管又分P沟道和N沟道,所以MOS管的导通也有区分:
N沟道:Ug>Us时,源极(S)漏极(D)导通。
P沟道:Ug<Us时,源极(S)漏极(D)导通。
PMOS管与NMOS管原理图区分
编辑
可以看MOS管的箭头方向,也可以通过寄生二极管的方向判断。
MOS管的工作特性
MOS管有4个工作状态区:非饱和区,饱和区,截止区,击穿区。
非饱和区:
沟道夹断前对应的工作区。
条件:Vgs>Vgs(th);Vds<Vgs - Vgs(th)
Vgs(th)为MOS管的导通电压。
编辑
编辑
特点:Id同时受Vgs与Vds的控制。
注意:可变电阻,影响MOS管的导通频率,想要降低一般采取降低电容参数,或者Vgs。
因此非饱和区又称可变电阻区 。非饱和区相当于三极管的饱和区。
我们需要MOS管充当开关时,需要MOS管工作在非饱和区-截止区。
饱和区
沟道预夹断后对应的工作区。
条件:Vgs>Vgs(th);Vds>Vgs - Vgs(th)
编辑
特点:Id只受Vgs控制,而与Vds近似无关,表现出类似三极管的正向受控作用。
考虑到沟道长度调制效应,输出特性曲线随Vds的增加略有上翘。
截止区
Id=0以下的工作区
条件:Vgs<Vgs(th)
沟道未形成的工作区
编辑
特点:Id≈0;Is≈0
相当于MOS管三个电极断开。
击穿区
Vds增加到一定值时导致漏衬PN结雪崩击穿导致Id剧增。
MOS管的应用
单片机中Push-Pull电路,Open-Drain电路
在STM32单片机中,有一部分电路为Push-Pull电路,Open-Drain电路,利用了MOS管组成的反相器,原理图如下:
编辑
①当处于推挽输出时,P-MOS管导通电压上拉,高电平;N-MOS管导通电压下拉,低电平。
当处于开漏输出时需要进行外部上拉,P-MOS管不作用,N-MOS管导通进行下拉,N-MOS管不导通时,外部上拉。
当MOS管都不作用时(不往寄存器中写入高低电平数据),引脚悬空。因为确保外部电压为低电平,所以使用R2来进行下拉。
MOS管电平转换
如下是一个很经典的IIC电路:
编辑
我们把MOS管电路放大分析:
编辑
有4个逻辑变换:
①Master给Slave发1(高电平),实现3.3V转5V的电平切换(有些需要5V电源)高电平传递。
原理分析:当Master给1时,Us=Ug,此时MOS管不导通,所以此时Slave被上拉电阻上拉为5V。
②Master给Slave发0(低电平),实现低电平信息传递。
原理分析:当Msater给0时,Us=0
③Slave给Master发1(高电平),实现高电平传递。
原理分析:当Slave给1时,Master处于输入状态,Master处于高阻状态,很容易判断MOS管处于截止状态,所以此时Master的状态被上拉电阻拉高,处于高电平。
④Slave给Master发0(低电平),实现低电平传递。(很重要,很容易搞错)
原理分析:当Slave给0时,Ud上电压为0,此时由于上拉电阻的原因Us和Ug都为3.3V,没有导通,所以很容易错判此时没有实现电平的转换。但是此时有个很重要的东西寄生二极管的存在,此时Us>Ud,二极管正向导通,此时Us的电压变为0.7V,此时MOS管导通,所以Us的电压再变为0,所以此时实现了低电平的转换。
以上就是一些我认为比较重要而且对大家有帮助的MOS管案例应用的知识。还有一个比较重要的MOS管电平转换应用,这里因为时间有限,以后有机会分享给大家。
希望这篇文章对给有帮助,谢谢大家