LDO与DC-DC知识讲解

最新推荐文章于 2024-07-11 19:04:16 发布

“对影成三人”

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此文章篇幅比较长，全是对LDO与DC-DC的基础知识的详细解读，希望对有帮助的读者能仔细读下去。废话不多说，直接上干货，首先我们来讲解LDO的知识。

LDO

LDO全称是：Low Dropout Regulator的缩写，意思是低压差线性稳压器。我把这个名字用三种颜色分开，接下来我来分别讲解这个名词的作用，来帮助我们更好理解LDO。

低压差：是指输入电压~输出电压的值比较低。
线性：是指MOS管基本处于线性工作状态。
稳压器：是指在正常的VIN范围内，输出电压VOUT都稳定在一个值（固定值），这个固定值就是我们想要的电压值。比如：VIN电压4.4V~5V，VOUT始终保持3.3V输出。

低压差线性稳压器（LDO）看似简单，但可以提供重要功能，例如将负载与不干净的电源隔离开来或者构建低噪声电源来为敏感电源供电。

LDO有4种基本拓扑，我们以最常见的PMOS LDO讲解为例。

LDO原理（重要）

LDO通常包括一个基准电压源、一个采样输出电压，一个误差放大器和一个串联调整管组成，用放大器控制稳压器的降压持续要求的输出电压值。

如上图，标注已在图中显示。

输出电压经过反馈电阻分压到误差放大器输入端，当输出电压高于设定值时，内部回路会改变驱动电压，使管子的导通压降增大，从而降低输出电压。

详细解读：

假设：输出电压变大，高于设定值时，内部会驱动让其变为正常状态，其中的过程为：假设输出电压增大，为了稳定这个输出电压为正常值，这个MOS管会增加Vgs，从而增加Id，然后Vds回归正常值。

由上图可知，当负载变化，负载电流也会发生变化，所以要保持压差不变，改变的就是MOS管的可变电阻，所以MOS管必须工作在非饱和区（可变电阻区）。

LDO的相关公式：

输出功率：POUT=VOUT * I
输入功率：PIN=VIN * I
损耗功率：PT=(VIN-VOUT) * I
效率:F=POUT/PVIN=VOUT/VIN

LDO的VIN与VOUT的关系

如上两图，我们可知：VIN-VOUT=VEC,VEC要大于压差区，否则LDO将会不稳定，要进入稳定，LDO才会正常工作。

反馈原理：

参考以上两图，我们来更直观的了解LDO在输出电压不正常时，是怎么通过反馈来实现回到稳定值。

LDO正常工作在P1点。
此时负载电阻降低，导致输出电流增大，输出电压Vo降低，Vds增大，工作点移动到P2点。（不正常状态）
LDO通过降低反馈电阻，放大器输出使Vgs增大，Vds减小。Id增大，工作点移动到P3点。
此时，VF与VREF之差趋于0，系统恢复稳定。

因为LDO引入了负反馈回路的校正，就会引起增益和相位的改变，增益和相位的改变就会影响环路的稳定性，引入的负反馈越深，就越容易产生振荡，这里是如何消除振荡的，我们就不多讲了，这里面牵扯了很多的理论知识，微分，积分等。

我们在电路设计中，能做什么让这个系统更稳定呢，那就是相位补偿的管脚，或者频率补充的管脚，这个管脚在器件手册中会有讲解，需要外接什么器件，例如电容应该多大，放在该管脚附近，起一个相位补偿的效果，这对整个系统的稳定性很重要，如果整个LDO的系统不稳定，可以调整这个电容来有限的使系统进行稳定。

以下就是关于反馈信号的知识：

所有稳压器使用反馈电路（Feedback）以保持输出电压的稳定。
反馈信号在通过回路后都会在增益和相位上有所改变，通过在单位增益频率下的相位偏移总量来确定回路的稳定性。
引入反馈的电路必须考虑回路稳定性问题。负反馈越深，也容易自激振荡。
为了提高放大器在深度负反馈的条件下的工作稳定性，一般采用的消振方法为频率补偿（相位补偿）。

在这里对MOS管不了解的读者们，可以去看看我写的另一篇文章关于讲解MOS管的知识：MOS管基础知识详解-CSDN博客

LDO的参数

1.压差

压差是指为了让LDO实现正常稳压，输入电压VIN必须高出所需输出电压VOUT的最小压差。

$V_{IN}\geq V_{OUT(nom)}+V_{DO}$

$V_{OUT(dropout)}=V_{IN}-V_{DO}$

如果VIN低于此值，线性稳压器将以压降状态工作，不再调节所需的输出电压。

决定压降的因素是什么

LDO一般是MOS的LDO，一般MOS管采用增大或者减小Rds来进行电压的调节，但是Rds也有最小值，当Rds为最小值的时候，这时无论Vin再降低，也不会影响Rds，但是此时Vout就会降低。

PMOS LDO：

为调节所需的输出电压，反馈回路将控制漏-源级电阻RDS。随着VIN逐渐接近VOUT，误差放大器将驱动栅-源级电压VGS负向增大，以减小RDS，从而保持稳压。

但是，误差放大器输出达到饱和状态之后，无法驱动VGS进一步负向增大。RDS已达到其最小值。将此RDS值与输出电流IOUT相乘，将得到压降电压。

2.线性调整率

线性调整率（Line regulation）定义了输入变化对输出的影响，即在负载一定的情况下，输出电压变化量和输入电压变化量之比。
公式：线性调整率＝ $\frac{\bigtriangleup V_{out}}{\bigtriangleup V_{in}}=\frac{V_{out@vin-max}-V_{out@Vin-min}}{V_{in-max}-V_{in-min}}$
要减小线性调整率，可以提高误差运放的放大倍数和增大调整管的跨导。
LDO的线性调整率越小，输入电压变化对输出电压影响越小，LDO的性能越好。

在LDO芯片内部公式：

$S_L=\frac{\Delta V_{OUT}}{\Delta V_{in}}|_{I_{o}=Cons}=[\frac{1}{Ag_m}(\frac{R1+R2}{R2})|_{I_{o}=Cons}]$

$A$ ：放大倍数 $g_{m}$ ：MOS管的带宽

假设我们有一节电池，电压为3.3V~4.2V，我们希望Vout为2.5V，±3%。

此时我们知道了▲Vin，看数据手册也可以知道线性调整率，所以此时可以求出▲Vout，然后看是否满足要求。

Vin变化，不同电流下的Vout的变化

由图可知Vout的曲线变化，与负载电流有关。当负载电流为：100uA，10mA,100mA时，Vout的变化很小，几乎没有。但是当负载电流为500mA，1A，2A时，Vout的变化开始明显出来。接下来我来为大家举一个很简单的例子来帮助大家理解线性调整率在电路设计中，该如何去选择与应用。

此时，我们在2000mA的情况下我们给一个芯片供电，这个芯片的电压要求时5V，±5%。这时我们输入6.4V，它Vout为4.97V，所以它的线性调整率为0.03。然后我们用0.03/5V*100%=0.6%，所以是满足要求的。

3.负载调整率

负载调整率（Load regulation）是指在给定负载变化下的输出电压变化，这里的负载变化通常使从无负载到满负载。
轻负载到重负载的变化，电流增大，输出电压的变化。公式如下：
负载调整率 = $\frac{\Delta Vout}{\Delta Iout}=\frac{V_{out@noload}-V_{out@fulload}}{0-I_{out@fulload}}$
负载调整率体现了通过元件的性能和稳压器的闭环DC增益越高，负载调整率越好。
和线性调整率一样，负载调整率和误差放大器的放大倍数A以及调整管的跨导有关，为了减少负载调整率可以提高这两个亮的值。
LDO的负载调整率越小，说明LDO的抑制负载干扰的能力越强。

注意：线性调整率是输入电压对输出电压的影响；负载调整率是负载变化对输出电压的影响。大家不要混淆了。

负载调整变化的图

有图可知：在100mA之前Vout几乎没有变化，是一条直线，十分稳定，在达到1A和2A的时候，开始有变化，但是变化的幅度也很小。所以，负载调整率越小越好，这样输出电压的变化越小。

4.PSRR(电源抑制比)

LDO优势之一就是能衰减开关电源产生的电压纹波。这对于ADC/DAC、PLL和时钟等器件非常重要，因为含有电源噪声的电源电压会影响这类器件的性能。
什么是PSRR？电源抑制比（Power Supply Rejection Ratio.PSRR）
LDO的输入源往往存在许多噪声。PSRR反映了LDO对于这些干扰信号的抑制能力。（越大越好）
PSRR它规定了特定频率的交流信号从LDO输入到输出的衰减程度。

$PSRR(dB)=20log\frac{V_{ripple(in))}}{V_{ripple(out))}}$

举例计算

在以下条件下，1MHz时的PSRR指定为45dB。

$I_{OUT}=150mV$ $V_{IN}-V_{OUT}=1V$ $C_{OUT}=1uF$

思路：首先计算出衰减系数，在求出纹波经过衰减后的纹波大小。

计算过程：（字有点丑，大家担待以下/憨笑）

影响因子

A（压差）：假如我们要将一个5V电源进行降压为2.5V，我们可以先将5V降压到3.3V再进行降压为2.5V。也可以降低纹波。

B（降噪电容）：我们在放置这个降噪电容的时候，要选择一个合适的参数，而且最好要靠近NR这个管脚，好LDO进行反馈。

C（输出电容）：是由ESL和ESR影响的，所以要选择大电容，低ESR的电容，但是我们要注意，不要只放一个大电容。假如我们这个电路只需要一个22uF的电容就可以了，但是我们最好在并一个小电容，好滤波高频噪声还可以改善环路反馈的性能。

5.瞬态响应

瞬态响应为负载电流突变引起输出电压的最大变化，它是输出电容Co及其等效串联ESR和旁路电容Cb的函数，其中Cb的作用是提高负载响应能力，也起到为电路高频旁路的作用。
要实现最佳瞬态响应，闭环回路带宽必须尽可能的高，同时还要确保有足够相位余量，以保持稳定性。

负载电流进行变大的时候，输出电压也会随之变化，而输出电容可以进行调节，如果电容太大，会导致响应的时间变长。

补充：一般我们用LDO的输出电流为：300mA~2A，所以输出电容一般为：10uF~47uF，最小不要低于4.7uF了，最大不要超过47uF了。

具体仿真的图比较因为时间原因，我在这就不给大家展示了，有兴趣的可以进行仿真比较一下。

实际案例应用

这是我在TI官网上为大家从器件手册中截取的图。

详细的电路讲解我就不过多阐述了，大家在设计的时候要注意输入电容，输出电容，反馈电阻，延迟时序部分，假负载部分。

输出电容的RSE对电路稳定的影响。功耗和温升，这些都是需要注意的。对这个电路有兴趣的大家可以去TI官网下载器件手册，了解设计一下这个电路，提高自主设计能力。

DC-DC

为什么要使用DC-DC而不用LDO

众所周知，LDO的外围电路比DC-DC外围电路设计简单，但是为什么要使用DC-DC呢，大家知道为什么吗？

这里就不得不考虑到温升的问题，我在将LDO实际案例设计的时候提醒了大家功率损耗和温升，不知道大家还有印象吗。

接下来我们用12V转5V，输出电流为3A，LDO和DC-DC热阻都为35Ω为例，分别计算LDO和DC-DC的温升。

LDO温升计算：

$P_d=(12V-5V)*3A=21W$

$\Delta T=35\Omega *21W=735$ ℃

所以温升为735℃

DC-DC温升计算：

这里我们选用SGM6116为例，如下是效率转换图：

由图可知，当 $V_{OUT}$ 为5V时，效率为90%左右，这里按照93%来计算。

$P_d=(5V*3A/0.93)-5V*3A=1.1W$

$\Delta T=1.1W*35\Omega =39$ ℃

所以温升为39℃。

综上，这就是需要使用DC-DC的重要原因。

DC-DC原理详解

DC-DC原理（PWM原理）

注意：图中的图标

A：这个二极管一般是肖特基二极管，起到续流的作用，具体的可以去看肖特基二极管实际案例，不同的地方在于，这是一个由DC-DC的PWM波形关断引起的电感，充放电的过程。

B：有电感之后DC-DC的PWM波形图，再加足够的电容之后就是一个波浪图，一般DC-DC开关芯片的频率很快都是MHz的，所以能达到输出不受影响。

DC-DC三个基本拓扑原理

DC-DC原理--Buck电路

如图是一个简化的降压的开关电源，为了方便电路的分析，先不加入反馈控制部分。

状态一:当 S1 闭合时，输入的能量从电容 C1，通过 S1→电感器 L1→电容器 C2→负载 RL供电，此时电感器L1同时也在储存能量，可以得到加在 L1 上的电压为: $V_{in}-V_o=L*di/dton$

状态二:当 S2 关断时，能量不再是从输入端获得，而是通过续流回路，从电感器L1存储最后我们可以得的能量→电容 C2→负载 RL→二极管 D1，此时可得式子: $L*di/dtoff=V_o$ ，而 Vo 永远是小于 Vin 的，因为占空比 D≤1。

各个器件的作用:

1、输入电容器(C1)用于使输入电压平稳:
2、输出电容器(C2)负责使输出电压平稳;
3、箝位二极管(D1)在开关开路时为电感器提供一条电流通路:
4、电感器(L1)用于存储即将传送至负载的能量。

DC-DC原理--BOOST

左图就是升压转换器(Boost)的拓扑结构，我们前面讲过电感工是一个储能元件，当开关管导通的时候，输入的电压对电感充电，形成的回路是输入 Vi→电感L→开关管 O:当开关管关断时，输入的能量和电感能量一起向输出提供能量，形成的回路是:输入 V→电感L→二极管 D→电容 C→负载 RL,因此这时候输出的电压肯定就比输入的电压高，从而实现升压。

DC-DC原理--Buck-Boost

状态一:开关管开通,二极管 D 反向截止,电感器储能,电流回路为: 输入 Vin →开关管 Q→电感器L；
状态二:开关管关断,二极管D正向导通续流,电流回路为: 电感器 L→电容 C→负载 RL→二极管 D；
输出什么时候是升压，什么时候是降压呢? 我们可以根据公式 V=VinxD/(1-D)中知道，当 D=0.5 时，Vo=Vin:当D<0.5 时，Vo<Vin;当D>0.5时，Vo>Vin。而且我们可以看到，这种拓扑结构我们很容易得到了负向的电压，当某些场合不想用隔离变压器拉抽头的方式的时候我们可以用这种方式来实现负电压。

同步整流和非同步整流

同步是采用通态电阻极低的专用功率 MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高 DC/DC 变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率 MOSFET 属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率 MOSFET 做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。