MOS管基本简介

缘_源

已于 2023-02-21 14:49:22 修改

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分类专栏：模拟集成电路设计文章标签：其他

于 2023-02-21 11:04:27 首次发布

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本文介绍了MOS管的基本结构和工作原理，特别是NMOS管的特性。通过源、漏、栅和衬底的定义，阐述了NMOS管的沟道载流子类型。讨论了NMOS管的I-V特性曲线，展示在不同栅压下漏极电流的变化，并提到了开启电压的概念。此外，还提及使用virtuoso仿真软件进行I-V特性的测试。

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第一章 MOS管工作原理及特性

1.1 MOS管的工作原理

MOS管是一个四端口元件，分别为：栅端(G)、源端(S)、漏端(D)、衬底(B)，由于MOS管是对称的，因此源和漏是可以互换的。一般定义MOS管的源端是提供载流子的，漏端是接收载流子的。
MOS管分为NMOS管和PMOS管，以沟道载流子种类来区分。若沟道载流子为电子，则为NMOS管，此时衬底为P型；若沟道载流子为空穴则，则此时衬底为N型。下图是NMOS管的结构图。
在这里插入图片描述
以NMOS管为例，源端和衬底均接地，在栅端加入电压，随着电压的逐渐增大，栅氧化层下端开始感应出负电荷，当感应的负电荷浓度等与P型衬底的正电荷浓度相等时，此时加在栅端的电压称为开启电压，这是源、漏之间的栅氧下形成了一条载流子沟道，产生了电流。

1.2 NMOS管的I-V特性曲线

在virtuoso仿真软件中搭建了测试NMOS管的I-V特性的平台。
在这里插入图片描述
测试曲线如下图所示
从曲线可以看出，不同的栅压下，NMOS管的I-V特性曲线也不尽相同；当栅压不变时，随着Vds的不断增加，漏极电流先线性增加，当Vds增加到一定程度时(Vds>Vgs-Vth)，漏极电流接近饱和。