MOS管基本简介

第一章 MOS管工作原理及特性

1.1 MOS管的工作原理

MOS管是一个四端口元件，分别为：栅端(G)、源端(S)、漏端(D)、衬底(B)，由于MOS管是对称的，因此源和漏是可以互换的。一般定义MOS管的源端是提供载流子的，漏端是接收载流子的。
MOS管分为NMOS管和PMOS管，以沟道载流子种类来区分。若沟道载流子为电子，则为NMOS管，此时衬底为P型；若沟道载流子为空穴则，则此时衬底为N型。下图是NMOS管的结构图。

以NMOS管为例，源端和衬底均接地，在栅端加入电压，随着电压的逐渐增大，栅氧化层下端开始感应出负电荷，当感应的负电荷浓度等与P型衬底的正电荷浓度相等时，此时加在栅端的电压称为开启电压，这是源、漏之间的栅氧下形成了一条载流子沟道，产生了电流。

1.2 NMOS管的I-V特性曲线

在virtuoso仿真软件中搭建了测试NMOS管的I-V特性的平台。

测试曲线如下图所示
从曲线可以看出，不同的栅压下，NMOS管的I-V特性曲线也不尽相同；当栅压不变时，随着Vds的不断增加，漏极电流先线性增加，当Vds增加到一定程度时(Vds>Vgs-Vth)，漏极电流接近饱和。

1.3 I-V特性公式的推导