目录
3.晶体管Finger(叉指) 和 Multiplier(乘数)的区别
1.模拟版图需要具备什么条件
首先要对半导体工艺、电路设计具有一定的基础,其次在手绘版图时需要大量考虑寄生以及匹配问题,这需要我们具备一定的耐心和画版图的风格习惯。
2.绘制版图之前的前期规划很重要
绘制版图之前需要构思版图布局,画一个草纸草图,这样才能更好的布局布线。此外,需要具有模拟电路思维,在画版图时去充分考虑电路的匹配,噪声,寄生和失效效应,然后在画版图过程中做到更好的匹配,减小噪声和寄生,画出一个美观的版图。
3.晶体管Finger和Multiplier的区别
晶体管串联,W不变,串联几个L变几倍;晶体管并联,L不变,并联几个W变几倍
Finge(叉指)r=3 把一个栅长为L ,宽度为Wtot 的一个晶体管的栅gate截成三段,变成三个晶体管并联且源漏区S和D交替出现。
这三个晶体管的其中一个:栅长L1=L2=L3=L 没变;
但W1=W2=W3=Wtot/3 ;
即 Wtot/L=(W/L)1,2,3 × 3。
Multiplier(乘数)=2 将相同的晶体管进行复制。把一个栅长为L ,宽度为W 的一个晶体管复制两份,Wtot=2W,Ltot=L。
综合Finger和 Multiplier:
Total W/L= W/L(单个) × Finger × Multiplier
4.工艺库名字解释
5.场氧Fox
场氧用于器件隔离(在0.35μm 以上工艺使用),0.35μm 以下工艺用STI(浅沟槽隔离)。
有源区以外都是场氧或STI。
6.设计规则术语
DRC:验证所画的版图(GDSII版图文件)是否符合工艺库的设计规则(Design Rule)
LVS:验证所画的版图(GDSII版图文件)是否和所设计的电路图(Netlist)一致
PEX:寄生参数提取
Width:边长约束
Size:表示边长,形状一定是正方形,且是一个固定的值
Spacing:距离(同层或不同层)
Enclosure:包裹(Enclosure of A beyond B :A包裹B,A大B小)
Extension:延长(Extensio of A beyond B:A的一边超过B的一边)
Overlap:交叠(重叠部分边与变的长度)
7.metal,poly,via,Active layer介绍,方块电阻和寄生计算
注:
此笔记是个人学习B站课程后的总结,笔记中的图片均来自此课程,仅供学习使用。