版图2:必备基本知识

目录

1.模拟版图需要具备什么条件

2.绘制版图之前的前期规划很重要

3.晶体管Finger(叉指) 和 Multiplier(乘数)的区别

4.工艺库名字解释

5.场氧Fox

6.设计规则术语


 

1.模拟版图需要具备什么条件

首先要对半导体工艺、电路设计具有一定的基础,其次在手绘版图时需要大量考虑寄生以及匹配问题,这需要我们具备一定的耐心和画版图的风格习惯。

2.绘制版图之前的前期规划很重要

绘制版图之前需要构思版图布局,画一个草纸草图,这样才能更好的布局布线。此外,需要具有模拟电路思维,在画版图时去充分考虑电路的匹配,噪声,寄生和失效效应,然后在画版图过程中做到更好的匹配,减小噪声和寄生,画出一个美观的版图。

3.晶体管Finger和Multiplier的区别

晶体管串联,W不变,串联几个L变几倍;晶体管并联,L不变,并联几个W变几倍

Finge(叉指)r=3  把一个栅长为L ,宽度为Wtot 的一个晶体管的栅gate截成三段,变成三个晶体管并联且源漏区S和D交替出现。

这三个晶体管的其中一个:栅长L1=L2=L3=L 没变;

W1=W2=W3=Wtot/3  ;

Wtot/L=(W/L)1,2,3 × 3。

Multiplier(乘数)=2 将相同的晶体管进行复制。把一个栅长为L ,宽度为W 的一个晶体管复制两份,Wtot=2WLtot=L。

综合Finger和 Multiplier:

Total W/L= W/L(单个) ×  Finger × Multiplier

4.工艺库名字解释

5.场氧Fox

场氧用于器件隔离(在0.35μm 以上工艺使用),0.35μm 以下工艺用STI(浅沟槽隔离)。

有源区以外都是场氧或STI。

6.设计规则术语

DRC:验证所画的版图(GDSII版图文件)是否符合工艺库的设计规则(Design Rule)

LVS:验证所画的版图(GDSII版图文件)是否和所设计的电路图(Netlist)一致

PEX:寄生参数提取

Width:边长约束

Size:表示边长,形状一定是正方形,且是一个固定的值

Spacing:距离(同层或不同层)

Enclosure:包裹(Enclosure of A beyond B :A包裹B,A大B小)

Extension:延长(Extensio of A beyond B:A的一边超过B的一边)

Overlap:交叠(重叠部分边与变的长度)

7.metal,poly,via,Active layer介绍,方块电阻和寄生计算

注:

此笔记是个人学习B站课程后的总结,笔记中的图片均来自此课程,仅供学习使用。

B站课程链接为:集成电路版图设计技术更新版_哔哩哔哩_bilibili https://www.bilibili.com/video/BV1dL411n7c2/?spm_id_from=333.337.search-card.all.click&vd_source=9266b61fe05abbd5214aedab582404af

 

 

 

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