版图学习1：a-z快捷键

目录

1.快捷键a-z的作用与使用方法

2.其他快捷键

3.菜单栏常用命令操作

4.版图层次与工艺实现

5.标识规则：

6.图形规则：

7.画版图过程中常见错误：

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1.快捷键a-z的作用与使用方法

a：对齐选项（先按a，再选中点或线，再去选中你要对齐的点或者线）

对齐操作：右键工具栏->Align调出对齐按键，勾选第一个下拉框可设置水平间距，勾选第二个下拉框可设置垂直间距。

Ctrl+a：全选中所有图形

Ctrl+d：全取消所有图形

b：shift+b返回上一层，shift+x去往下一层

c：复制(先按c，选中被复制东西，点击别的地方就可复制，可以不用再按c进行多次复制；选中后按c只能进行一次复制)

c+F3：（选中被复制单元，设定好复制距离）可以进行批量复制

shift+c：切割块（先选中你要编辑的块，按shift+c，按住鼠标左键，会出现一个框，这个框里的东西将被切割掉，被切割的口自动补齐线）

Shift+d：返回上一层

e：可以修改最小格点间距分辨率

f：全屏显示当前设计窗口中的所有图形

Ctrl+f：所有的cell仅显示外框（隐藏细节）

shift+f：显示当前窗口所有图形，也显示外框（显示细节）

shift+g：给选中的图形添加Guard Ring（做保护环的，以防止闩锁效应，寄生晶体管）

i：用于调用器件

k：测量图形之间的间距（F3更改尺子颜色）

shift+k：清除所有标尺

l：为图层打下标签（按L，出现界面，在select layer选择标签层，用text打标记层，在label 空格人里写上标签名，还可以修改线的尺寸）

m：移动（选中图形，点击m，可以对它进行移动，移动的同时按n，可以对移动的方向进行调整，观察并修改左上角红色的放射状图标，可以看到移动的方向）

shift+m：合并图形（选中有重叠的两个图形，按shift+m，再点击一下这两个图形，两个图形重叠的部分就合并在一起）

o：打孔

p：用于画线（画线过程中按F3可以直接对线宽进行调整，可以按n修改画线的方向）在需要转角时单击即可。

shift+p：画多边形

q：修改属性

Ctrl+shift+q：在p画线时向上层mental转接添加via（p画线是按鼠标右键也可以）

r：绘制矩形

shift+r：整形图形（图形切角或产生多边形）

s：调整（鼠标放在图形单边或者拐角）/拖动图形（鼠标放在整个图形上）

shift+s：替换和查找

Ctrl+s：分割（一条矩形金属线，先按Ctrl+s，选中图形，然后在图形中间画一条直线双击停顿，然后有半边图形有紫色显示，单击图形，发现右半边图形就上移动了（鼠标中键可以控制移动的那一部分））

t：查看鼠标指向位置的所有图层(多次单击同一处可切换该点高亮层，左侧Layers中可设置显示的层，便于查看)。

Ctrl+t：放大选中物体

u：撤销

shift+u：取消撤销（重做操作）

w：Ctrl+shift+w画线（用P好一些）

x/双击：进入点击的子模块(仅可修改子模块内容，无法操作其他模块)

Shift+x：单独显示点击的子模块

y：复制好

shift+y：剪切出来

z：视图放大

Ctrl+z：放大两倍

shift+z：缩小两倍

 

2.其他快捷键

Shift+小写字母=相应大写字母，所以可以大写锁定情况下直接按对应字母

右键框选：视图自适应到框选区域

Ctrl+鼠标滚轮：垂直移动视图 

Shift+鼠标滚轮：水平移动视图

按Tab左键点击：视图将以点击处为中心

按Shift选元件：多选

按Ctrl选元件：取消选择

delete：删除

ESC：退出

F2：存盘(经常要按F2)

F3：另存为

F5：打开文件

 

3.菜单栏常用命令操作

s-Edit(菜单)：切角，缩放，修改尺寸

Convert：对图形进行转换

Make cell：创建单元

（Hierarchy）Flatten：打散单元结构

group：分组/取消分组

Create(shape）：多种形状选择

Create(group)：创建group进行整体操作移动等

edit（group）：ungroup打散组

Select：灵活选择对象

verify菜单：删除markers（清理标记）

options（connectivity Mark）：点亮特定路线，追踪和检查信号路径

options（connectivity unmark）：取消选中的线路

unmarke all：清除所有标记

Tools(Create pins from labels)：通过标签生成方框pin

window（assistants(wire assistant)）：调整线间距，宽度并添加via

 

4.版图层次与工艺实现

多晶硅层：形成晶体管栅极

金属层：电连接

接触孔：用来连接不同层次的导体

wafer：晶圆

mask：掩膜版

die：（裸片）晶圆中每个独立的小芯片单位

 

5.标识规则

方向一致性：所有标识都应顺着电流方向

label位置：应当放在器件或者线的中间（如线上标识，label不要超过线宽：在器件上标识，label不要超过我器件的宽度和高度）

尺寸适当：标识尺寸应与电路元件保持适当比例（电源和地的标识可以大些，便于区分）

 

6.图形规则

线宽与间距：线宽必须保持统一，线与线的间距须满足设计规则的最小要求，以免信号串扰或短路

via：连接不同层次的金属层（在没有DRC的情况下，via排列应尽量保持统一方向，以免影响电路的稳定性和信号完整性）

图形切齐：版图中的所有图形应整齐切齐，特别是在多层设计当中层与层之间的对齐至关重要

 

7.画版图过程中常见错误

线宽不足：应始终遵循最小线宽要求

via过度使用：过度使用或排列不当会增加信号延迟和损耗（应优化数量和位置）

标识不清：难以调试