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2.5 TTL与非门
TTL与非门
电路和运算
T1: 双发射极(多发射极)
计算
1:A=0\B=0\A=B=0
此时5v的高电压通过R1、T1直接到地
此时Vb1钳位于0.7V,不足以让T2,T5导通,因此此时F为5v电压经过R4,T4,D3压降的电压:
F为3.6v,高电平(1)。
0:A=B=1(3.6V)
此时的Vb1差不多为4.3v足以使得T2T5导通,从而可以计算出Vb4的电压约为1v,不足以使T4D3导通。可以计算出F的电压约为0.1~0.3v(饱和压降)。
电气特性
输入负载特性
即多了个输入电阻分压,从而控制输入高低电平。
然后01分界线就是门槛电阻大小。
看Ri的大小,例如第一个Ri为大电阻,对应输入高电平,因此为A与B与1的非,化简为AB非。
电压传输特性
注意Vt为门槛电压。随着输入电压的上升并达到高电平,T2T5打通,导致Vb1快速增加,T4D3关闭,然后使得V0达到低电平
输出特性
1.输出低,灌流负载
此时F为低电平,负载门的高电压使得电流由负载流向驱动,形成灌流。
计算电流为F到5v减去负载门的一个三极管压降。
TTL门不可以驱动过多负载门,能通过的最大电流为16mA.
扇出系数:一个输出电路所能驱动的同类门的最大数目,一般有冗余。
2.输出高电平,拉流负载
此时F为相对高电压,电流流向负载门,形成拉流负载。
每个负载门的漏电流为40μA,驱动门最大允许拉电流400μA。
其它类型的TTL门电路
集电极开路的门电路(OC门)
原本电路不能满足条件,原因如下,可以主要理解为输出电阻小,上面的电流灌到下面会烧毁。
改进为oc门:
不走T5了,改走外面的RL
此时才可以线与。
三态门
多了一个高阻抗状态,起到隔断作用。也就是说,输出端是开路或悬空,既不是高电平也不是低电平。
EN为1时,D关闭,电路正常工作
EN为0时,D导通Vb4不到1v,T4D3截止。Vb1小于1v,T2T5也截止,从而整个电路瘫痪,变为悬空。
EN那里没有圈是高电平有效,有圈是低电平有效。
2.6 门电路
NMOS门电路
上面一个管子栅级接Ed,总是饱和,此时可以看作为一个负载电阻。
A输入为0时:Vgs2为0,小于Vt(Vd),此时T2截止,电阻大约为10^10,根据分压原理可以得出F1.
A输入为1时:Vgs>Vt,T2导通,此时Rt2就很小了,根据分压原理能算出F约为0.
NMOS与非门
NMOS门的联合使用
容易理解,下面俩门只要有一个开着,分压就足以使得F为1,只有都关时的分压为0.
NMOS或非门
和上面一个思想。两个门只要有一个电阻小(10或11或01),根据并联法则,那么分压就可以算出F为0.
只有俩门电阻都大(00),此时可以分压使得F为1.
下面这个例子,注意反相同相:
CMOS电路
CMOS非门
A=0时,容易看出Tn截止,Tp导通,根据分压原理,可以得出F为1
A=1时,容易看出Tn导通,Tp截止,分压得F为0.
CMOS与非门
俩CMOS非门并联
CMOS或非门
俩非门串联
CMOS三态门
EN非为1时,Tp2截止,经过非门变为0,Tn2截止,
CMOS传输门
工作原理:
C=0时,C非=1,二者的Vgs都为0,此时断开
C=1,C非=0时,vI在3~7V之间变化时,TN、TP管均导通。输入和输出之间呈现低阻状态,相当于开关接通。